|
|
|
|
| LEADER |
00000nam0a2200000 4500 |
| 001 |
259242 |
| 005 |
20231031220604.0 |
| 035 |
|
|
|a (RuTPU)RU\TPU\book\282158
|
| 090 |
|
|
|a 259242
|
| 100 |
|
|
|a 20140506d1981 k y0rusy50 ca
|
| 101 |
0 |
|
|a rus
|
| 102 |
|
|
|a RU
|
| 105 |
|
|
|a a z 001zy
|
| 200 |
1 |
|
|a Механизмы образования и миграции дефектов в полупроводниках
|f В. С. Вавилов, А. Е. Кив, О. Р. Ниязова
|
| 210 |
|
|
|a Москва
|c Наука
|d 1981
|
| 215 |
|
|
|a 368 с.
|c ил.
|
| 225 |
1 |
|
|a Физика полупроводников и полупроводниковых приборов
|
| 320 |
|
|
|a Библиогр.: с. 332-360, 367-368.
|
| 606 |
1 |
|
|a Полупроводники
|x Дефекты
|2 stltpush
|3 (RuTPU)RU\TPU\subj\50558
|
| 610 |
1 |
|
|a дефектообразование
|
| 610 |
1 |
|
|a атомы
|
| 610 |
1 |
|
|a термофлуктуационное смещение
|
| 610 |
1 |
|
|a кристаллы
|
| 610 |
1 |
|
|a бинарные полупроводники
|
| 610 |
1 |
|
|a диффузия
|
| 610 |
1 |
|
|a излучение
|
| 610 |
1 |
|
|a ионная имплантация
|
| 610 |
1 |
|
|a прикладные задачи
|
| 675 |
|
|
|a 537.311.322:539
|v 3
|
| 700 |
|
1 |
|a Вавилов
|b В. С.
|g Виктор Сергеевич
|
| 701 |
|
1 |
|a Кив
|b А. Е.
|g Арик Ефимович
|
| 701 |
|
1 |
|a Ниязова
|b О. Р.
|g Озод Рахимовна
|
| 801 |
|
1 |
|a RU
|b 63413507
|c 20140506
|
| 801 |
|
2 |
|a RU
|b 63413507
|c 20150203
|g RCR
|
| 942 |
|
|
|c BK
|
