• English
    • Deutsch
    • Español
    • Français
    • Italiano
    • 日本語
    • Nederlands
    • Português
    • Português (Brasil)
    • 中文(简体)
    • 中文(繁體)
    • Türkçe
    • עברית
    • Gaeilge
    • Cymraeg
    • Ελληνικά
    • Català
    • Euskara
    • Русский
    • Čeština
    • Suomi
    • Svenska
    • polski
    • Dansk
    • slovenščina
    • اللغة العربية
    • বাংলা
    • Galego
    • Tiếng Việt
    • Hrvatski
    • हिंदी
    • Հայերէն
    • Українська
Avançada
  • Механизмы образования и миграц...
  • Citar
  • Enviar aquest missatge de text
  • Enviar per correu electrònic aquest
  • Imprimir
  • Exportar registre
    • Exportar a RefWorks
    • Exportar a EndNoteWeb
    • Exportar a EndNote
  • Enllaç permanent
Механизмы образования и миграции дефектов в полупроводниках

Механизмы образования и миграции дефектов в полупроводниках

Dades bibliogràfiques
Autor principal: Вавилов В. С. Виктор Сергеевич
Altres autors: Кив А. Е. Арик Ефимович, Ниязова О. Р. Озод Рахимовна
Idioma:rus
Publicat: Москва, Наука, 1981
Col·lecció:Физика полупроводников и полупроводниковых приборов
Matèries:
Полупроводники > Дефекты
дефектообразование
атомы
термофлуктуационное смещение
кристаллы
бинарные полупроводники
диффузия
излучение
ионная имплантация
прикладные задачи
Format: Llibre
KOHA link:https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=259242
  • Fons
  • Descripció
  • Ítems similars
  • Visualització del personal
Descripció
Descripció física:368 с. ил.

Ítems similars

  • Дефекты и диффузия в эпитаксиальных структурах: [монография]
    per: Джафаров Т. Д. Таяр Джумшуд оглы
    Publicat: (Ленинград, Наука, 1978)
  • Дефектно-примесные реакции в полупроводниках
    per: Васильев А. В. Альберт Васильевич
    Publicat: (Новосибирск, Изд-во СО РАН, 2001)
  • Теория радиационных дефектов в полупроводниках
    per: Тележкин В. А. Вениамин Александрович
    Publicat: (Киев, Наукова думка, 1988)
  • Закономерности образования структурных дефектов в полупроводниках A2B6
    per: Логинов Ю. Ю. Юрий Юрьевич
    Publicat: (Москва, Логос, 2003)
  • Внутреннее трение и дефекты в полупроводниках
    per: Александров Л. Н. Леонид Наумович
    Publicat: (Новосибирск, Наука, 1979)