Физические процессы в облученных полупроводниках

Физические процессы в облученных полупроводниках

Detaylı Bibliyografya
Müşterek Yazar:	Академия наук СССР (АН СССР) Сибирское отделение (СО) Институт физики полупроводников (ИФП)
Diğer Yazarlar:	Смирнов Л. С. Леонид Степанович (340)
Dil:	Rusça
Baskı/Yayın Bilgisi:	Новосибирск, Наука, 1977
Konular:	радиационные дефекты пороговая энергия анизотропия аннигиляция облучение дефектообразование типы тяжелые частицы радиационный отжиг лазерный отжиг ионное внедрение полупроводниковые соединения
Materyal Türü:	Kitap
KOHA link:	https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=258089

Benzer Materyaller

Вопросы радиационной технологии полупроводников [монография]
Baskı/Yayın Bilgisi: (Новосибирск, Наука, 1980)

Импульсный отжиг полупроводниковых материалов
Baskı/Yayın Bilgisi: (Москва, Наука, 1982)

Влияние атомов Li на накопление радиационных дефектов в Al
Yazar:: Давлетшин А. Э.
Baskı/Yayın Bilgisi: (2011)

Отжиг радиационных дефектов в n-GaAs
Yazar:: Пешев В. В.
Baskı/Yayın Bilgisi: (2004)

Влияние ионного облучения и отжига на свойства оксида алюминия
Yazar:: Кабышев А. В. Александр Васильевич
Baskı/Yayın Bilgisi: (2015)

Технология ионного легирования пер. с яп.
Baskı/Yayın Bilgisi: (Москва, Советское радио, 1974)

Новые исследования радиационных повреждений материалов при облучении частицами высокой энергии
Yazar:: Бронников В. А.
Baskı/Yayın Bilgisi: (2003)

Радиационно-стимулированная диффузия в полупроводниках
Yazar:: Джафаров Т. Д. Таяр Джумшуд оглы
Baskı/Yayın Bilgisi: (Москва, Энергоатомиздат, 1991)

Ч. III
Baskı/Yayın Bilgisi: (1979)

Зависимость свойств ионно-легированных слоёв GaAs : Si от дозы имплантации после радиационного отжига
Yazar:: Ардышев М. В.
Baskı/Yayın Bilgisi: (2002)

Исследование влияния температуры на дислокационные дефекты в цирокониевом сплаве Э110
Yazar:: Сюй Ханьюй
Baskı/Yayın Bilgisi: (2019)

Процессы радиационного дефектообразования в металлах
Yazar:: Кирсанов В. В. Владислав Владимирович
Baskı/Yayın Bilgisi: (Москва, Энергоатомиздат, 1985)

Структурные изменения в плёнках субфталоцианина SubPcBCl при температурном отжиге
Baskı/Yayın Bilgisi: (2011)

Статистическое взаимодействие электронов и дефектов в полупроводниках
Yazar:: Винецкий В. Л. Валентин Львович
Baskı/Yayın Bilgisi: (Киев, Наукова думка, 1969)

Образование радиационных дефектов и их отжиг в арсениде галлия
Yazar:: Пешев В. В. Владимир Викторович
Baskı/Yayın Bilgisi: (2005)

Фотостимулированные атомные процессы в полупроводниках
Yazar:: Джафаров Т. Д. Таяр Джумшуд оглы
Baskı/Yayın Bilgisi: (Москва, Энергоатомиздат, 1984)

Импульсный синтез соединений для кремниевой оптоэлектроники
Yazar:: Баязитов Р. М.
Baskı/Yayın Bilgisi: (2011)

Радиоспектроскопия конденсированных сред
Baskı/Yayın Bilgisi: (Москва, Наука, 1990)

Влияние точечных дефектов на активационные процессы в полуизолирующем GaAs, облученном ионами [Si28]
Yazar:: Ардышев М. В.
Baskı/Yayın Bilgisi: (2004)

The Synthesis of Gallium Arsenide Films on Silicon Substrate by Ionics Ablation
Yazar:: Kabyshev A. V. Alexander Vasilievich
Baskı/Yayın Bilgisi: (2012)

Образование и отжиг радиационных дефектов в области пространственного заряда соединений GaAs и InP
Yazar:: Соболева Э. Г. Эльвира Гомеровна
Baskı/Yayın Bilgisi: (2016)

Материалы полупроводниковой электроники тематический сборник
Baskı/Yayın Bilgisi: (Ленинград, Изд-во ФТИ, 1984)

Метод ионной имплантации в технологии приборов и интегральных схем на арсениде галлия
Yazar:: Черняев А. В. Александр Владимирович
Baskı/Yayın Bilgisi: (Москва, Радио и связь, 1990)

Физические свойства облученного кремния
Baskı/Yayın Bilgisi: (Ташкент, Фан, 1987)

Особенности влияния изохронного отжига на дефектную структуру наноразмерных многослойных покрытий Zr/Nb после наводораживания
Yazar:: Ван Ч.
Baskı/Yayın Bilgisi: (2024)

High Intensive Short Pulsed Ions Implantation Effect on Electrical and Photoelectrical Properties of Polycrystalline Silicon
Yazar:: Kabyshev A. V. Alexander Vasilievich
Baskı/Yayın Bilgisi: (2012)

Исследование процессов отжига радиационных дефектов некоторых неорганических диэлектриков. Диэлектрик [Отчет о НИР]
Baskı/Yayın Bilgisi: (Томск, 1969)

Центры захвата позитронов и особенности аннигиляции позитронов в дефектных полупроводниковых диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук Спец. 01.04.07
Yazar:: Цой А. А. Альберт Алексеевич
Baskı/Yayın Bilgisi: (Томск, [Б. и.], 1981)

Физика соединений A3B5 сборник статей по материалам конференции
Baskı/Yayın Bilgisi: (Ленинград, Изд-во ЛПИ, 1979)

Fabrication of 2D based pn junctions with improved performance by selective laser annealing
Baskı/Yayın Bilgisi: (2017)

Влияние ионного облучения на свойства пиролитического нитрида бора
Baskı/Yayın Bilgisi: (2017)

Positron annihilation spectroscopy of vacancy-type defects hierarchy in submicrocrystalline nickel during annealing
Baskı/Yayın Bilgisi: (2014)

Mechanism of hot spots formation in pentaerythritol tetranitrate under pulsed laser irradiation
Baskı/Yayın Bilgisi: (2019)

Моделирование на ЭВМ структурночувствительных свойств кристаллических материалов тематический сборник
Baskı/Yayın Bilgisi: (Ленинград, Изд-во ФТИ, 1986)

Точечные дефекты в твердых телах Сборник статей
Baskı/Yayın Bilgisi: (Москва, Мир, 1979)

Исследования по прикладной квантовой электронике сборник статей
Baskı/Yayın Bilgisi: (Таллин, Изд-во ТалПИ, 1983)

Механизмы образования и миграции дефектов в полупроводниках
Yazar:: Вавилов В. С. Виктор Сергеевич
Baskı/Yayın Bilgisi: (Москва, Наука, 1981)

Машинное моделирование при исследованиии материалов. Моделирование на ЭВМ дефектов кристаллической решетки сборник переводов
Baskı/Yayın Bilgisi: (Москва, Мир, 1974)

Радиационные эффекты в полупроводниковых приборах
Yazar:: Коршунов Ф. П. Федор Павлович
Baskı/Yayın Bilgisi: (Минск, Наука и техника, 1978)

Radiation effects in Solids
Yazar:: Dienes G. J.
Baskı/Yayın Bilgisi: (New York, Interscience Publishers, INC., 1957)