• English
    • Deutsch
    • Español
    • Français
    • Italiano
    • 日本語
    • Nederlands
    • Português
    • Português (Brasil)
    • 中文(简体)
    • 中文(繁體)
    • Türkçe
    • עברית
    • Gaeilge
    • Cymraeg
    • Ελληνικά
    • Català
    • Euskara
    • Русский
    • Čeština
    • Suomi
    • Svenska
    • polski
    • Dansk
    • slovenščina
    • اللغة العربية
    • বাংলা
    • Galego
    • Tiếng Việt
    • Hrvatski
    • हिंदी
    • Հայերէն
    • Українська
Avanzado
  • Физические процессы в облученн...
  • Citar
  • Text this
  • Enviar este rexistro por email
  • Imprimir
  • Exportar rexistro
    • Exportar a RefWorks
    • Exportar a EndNoteWeb
    • Exportar a EndNote
  • Permanent link
Exportación Completada — 
Физические процессы в облученных полупроводниках

Физические процессы в облученных полупроводниках

Detalles Bibliográficos
Autor Corporativo: Академия наук СССР (АН СССР) Сибирское отделение (СО) Институт физики полупроводников (ИФП)
Outros autores: Смирнов Л. С. Леонид Степанович (редактор)
Idioma:ruso
Publicado: Новосибирск, Наука, 1977
Subjects:
Полупроводники > Физика
радиационные дефекты
пороговая энергия
анизотропия
аннигиляция
облучение
дефектообразование
типы
тяжелые частицы
радиационный отжиг
лазерный отжиг
ионное внедрение
полупроводниковые соединения
Formato: Libro
KOHA link:https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=258089
  • Existencias
  • Descripción
  • Títulos similares
  • Staff View

Títulos similares

  • Вопросы радиационной технологии полупроводников: [монография]
    Publicado: (Новосибирск, Наука, 1980)
  • Импульсный отжиг полупроводниковых материалов
    Publicado: (Москва, Наука, 1982)
  • Зависимость свойств ионно-легированных слоёв GaAs : Si от дозы имплантации после радиационного отжига; Радиационно-термические эффекты и процессы в неорганических материалах
    por: Ардышев М. В.
    Publicado: (2002)
  • Влияние ионного облучения и отжига на свойства оксида алюминия; XLV Международная Тулиновская конференция по физике взаимодействия заряженных частиц с кристаллами: ФВЗЧК-2015
    por: Кабышев А. В. Александр Васильевич
    Publicado: (2015)
  • Влияние атомов Li на накопление радиационных дефектов в Al; Известия вузов. Физика; Т. 54, № 1/2 : Радиационно-термические эффекты и процессы в неорганических материалах
    por: Давлетшин А. Э.
    Publicado: (2011)