MARC

LEADER 00000nam0a2200000 4500
001 258089
005 20231031220143.0
035 |a (RuTPU)RU\TPU\book\280923 
090 |a 258089 
100 |a 20140422d1977 k y0rusy50 ca 
101 0 |a rus 
102 |a RU 
105 |a a z 001zy 
200 1 |a Физические процессы в облученных полупроводниках  |f Академия наук СССР (АН СССР), Сибирское отделение (СО), Институт физики полупроводников (ИФП) ; под ред. Л. С. Смирнова 
210 |a Новосибирск  |c Наука  |d 1977 
215 |a 256 с.  |c ил. 
320 |a Библиогр. в конце глав. 
606 1 |a Полупроводники  |x Физика  |2 stltpush  |3 (RuTPU)RU\TPU\subj\50607 
610 1 |a радиационные дефекты 
610 1 |a пороговая энергия 
610 1 |a анизотропия 
610 1 |a аннигиляция 
610 1 |a облучение 
610 1 |a дефектообразование 
610 1 |a радиационные дефекты 
610 1 |a типы 
610 1 |a тяжелые частицы 
610 1 |a радиационный отжиг 
610 1 |a лазерный отжиг 
610 1 |a ионное внедрение 
610 1 |a полупроводниковые соединения 
675 |a 537.311.322  |v 3 
702 1 |a Смирнов  |b Л. С.  |g Леонид Степанович  |4 340 
712 0 2 |a Академия наук СССР (АН СССР)  |b Сибирское отделение (СО)  |b Институт физики полупроводников (ИФП)  |c (Новосибирск)  |2 stltpush  |3 (RuTPU)RU\TPU\col\11385 
801 1 |a RU  |b 63413507  |c 20140422 
801 2 |a RU  |b 63413507  |c 20140425  |g RCR 
942 |c BK