Физика и материаловедение полупроводников с глубокими уровнями.

Физика и материаловедение полупроводников с глубокими уровнями.

Podrobná bibliografie
Další autoři:	Фистуль В. И. (340)
Jazyk:	ruština
Vydáno:	Москва, Металлургия, 1987
Témata:	глубокие уровни электронная структура примесные центры магнетизм полупроводниковые материалы экспериментальные исследования
Médium:	Kniha
KOHA link:	https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=256669

Podobné jednotky

Точечные дефекты в полупроводниках.Теория. пер. с англ.
Autor: Ланно М. Мишель
Vydáno: (Москва, Мир, 1984)

Структурные дефекты в монокристаллах полупроводников
Autor: Мильвидский М. Г. Михаил Григорьевич
Vydáno: (Москва, Металлургия, 1984)

Коэффициенты распределения в сложных полупроводниковых системах
Vydáno: (Ташкент, Фан, 1987)

Дефекты в кремнии и на его поверхности
Autor: Вавилов В. С. Виктор Сергеевич
Vydáno: (Москва, Наука, 1990)

Квантовая теория явлений электронного переноса в кристаллических полупроводниках
Autor: Зырянов П. С. Павел Степанович
Vydáno: (Москва, Наука, 1976)

Несовершенства в кристаллах полупроводников сборник статей пер. с англ.
Vydáno: (Москва, Металлургия, 1964)

Упорядоченные массивы нанокристаллов диоксида ванадия с обратимым фазовым переходом полупроводник-металл на наноструктурах кремния автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук спец. 1.3.11
Autor: Мутилин С. В. Сергей Владимирович
Vydáno: (Новосибирск, [Б. и.], 2022)

Точечные дефекты в полупроводниках пер. с англ.
Autor: Бургуэн Ж. Жак
Vydáno: (Москва, Мир, 1985)

Кинетические процессы в примесных полупроводниках во внешних полях [сборник]
Vydáno: (Кишинев, Штиинца, 1984)

Примеси с глубокими уровнями в полупроводниках пер. с англ.
Autor: Милнс А.
Vydáno: (Москва, Мир, 1977)

Глубокие уровни в полупроводниках сборник статей
Vydáno: (Ташкент, Изд-во ТашГУ, 1981)

Фоточувствительность полупроводниковых структур с глубокими примесями монография
Autor: Карагеоргий-Алкалаев П. М. Павел Михайлович
Vydáno: (Ташкент, Фан, 1981)

Емкостная спектроскопия глубоких центров в полупроводниках
Autor: Берман Л. С. Лев Соломонович
Vydáno: (Ленинград, Наука, 1981)

Методы спектроскопии полупроводников
Vydáno: (Новосибирск, Изд-во ИФП, 1986)

Физические основы образования глубоких уровней в кремнии
Autor: Зайнабидинов С.
Vydáno: (Ташкент, Фан, 1984)

Применение эффекта Мессбауэра в физике аморфных полупроводников
Autor: Серегин П. П. Павел Павлович
Vydáno: (Ташкент, Фан, 1989)

Люминесценция кристаллов учебное пособие для вузов
Autor: Волошина Т. В.
Vydáno: (Воронеж, ВГУ, 2012)

Вхождение примесных центров в кристаллический слой полупроводника (процессы образования монокристаллических слоев для микроэлектроники)
Autor: Смородина Т. А. Татьяна Александровна
Vydáno: (Ленинград, Наука, 1986)

Легирование полупроводников [сборник статей]
Vydáno: (Москва, Наука, 1982)

Электронный спиновый резонанс в полупроводниках сборник статей пер. с англ.
Vydáno: (Москва, Иностранная литература, 1962)

Т. 2
Vydáno: (1959)

Электронные состояния в квантово-размерных и дефектных полупроводниковых структурах автореферат диссертации на соискание ученой степени доктора физико-математических наук спец. 27.10.2011 г.
Autor: Гриняев С. Н. Сергей Николаевич
Vydáno: (Томск, 2011)

Полупроводниковые вещества. Вопросы химической связи сборник статей
Vydáno: (Москва, Изд-во иностранной литературы, 1960)

Арсенид галлия, компенсированный примесями с глубокими уровнями (электронные свойства, структуры, применение диссертация на соискание ученой степени доктора физико-математических наук
Autor: Толбанов О. П. Олег Петрович
Vydáno: (Томск, 1999)

Кинетика неравновесных электронных и электрон-колебательных систем сборник статей
Vydáno: (Кишинев, Штиинца, 1982)

Арсенид галлия, компенсированный примесями с глубокими уровнями (электронные свойства, структуры, применение автореферат диссертации на соискание ученой степени доктора физико-математических наук
Autor: Толбанов О. П. Олег Петрович
Vydáno: (Томск, [Б. и.], 1999)

Ионное легирование полупроводников (Кремний и германий) пер. с англ.
Autor: Мейер Дж. Джеймс
Vydáno: (Москва, Мир, 1973)

Добыча нефти глубокими насосами [оттиск]
Autor: Газиев Г. Н.
Vydáno: (Баку, 1930)

Кн. 2. Гл. 4, гл. 5, гл. 6
Autor: Воробьев А. А. Александр Акимович
Vydáno: (1965)

Исследование бинарных полупроводников
Vydáno: (Кишинев, Штиинца, 1983)

Физика примесных центров в кристаллах материалы Международного семинара "Избранные проблемы теории примесного центра кристалла", 21-26 сентября 1970 г., Таллин
Vydáno: (Таллин, Изд-во АН ЭССР, 1972)

Полупроводниковые приборы и электронная аппаратура межвузовский сборник
Vydáno: (Кишинев, Штиинца, 1978)

Свойства и применение металлов и полупроводников учебное пособие
Autor: Вихров С. П.
Vydáno: (Рязань, РГРТУ, 2004)

Физические свойства магнитных полупроводников
Vydáno: (Красноярск, Изд-во ИФ СО АН СССР, 1983)

Высокотемпературные сверхпроводники на основе FeAs-соединений
Autor: Изюмов Ю. А. Юрий Александрович
Vydáno: (Москва, Регулярная и хаотическая динамика, 2010)

Магнитооптические эффекты в многоямных квантовых структурах с примесными центрами атомного типа учебное пособие
Autor: Грунин А. Б. Александр Борисович
Vydáno: (Пенза, Изд-во Пензенского гос. ун-та, 2008)

Применение эффекта Мессбауэра и фотоэлектронной спектроскопии в физике аморфных полупроводников
Autor: Серегин П. П. Павел Павлович
Vydáno: (Кишинев, Штиинца, 1991)

Вып. 7 : Неравновесные процессы в полупроводниках
Vydáno: (1987)

Теплопроводность полупроводников пер. с англ.
Autor: Драбл Дж.
Vydáno: (Москва, Изд-во иностранной литературы, 1963)

Исследование и применение широкозонных полупроводников сборник научных трудов
Vydáno: (Ленинград, Изд-во ЛЭТИ, 1981)