MARC

LEADER 00000nam0a2200000 4500
001 255478
005 20231101233029.0
035 |a (RuTPU)RU\TPU\book\277991 
090 |a 255478 
100 |a 20140328d1984 k y0rusy50 ca 
101 0 |a rus 
102 |a UA 
105 |a a z 001zy 
200 1 |a Фотоэффекты в приповерхностных слоях полупроводников  |f А. В. Саченко, О. В. Снитко 
210 |a Киев  |c Наукова думка  |d 1984 
215 |a 232 с.  |c ил. 
320 |a Библиогр.: с. 216-228. 
606 1 |a Полупроводники  |x Фотопроводность  |2 stltpush  |3 (RuTPU)RU\TPU\subj\50617  |9 69269 
610 1 |a заряд 
610 1 |a неравновесные носители 
610 1 |a распределение 
610 1 |a фотомагнитный эффект 
610 1 |a фото-ЭДС 
610 1 |a фотоемкость 
610 1 |a фотопроводимость 
610 1 |a МДП-фототранзисторы 
610 1 |a поверхности 
610 1 |a фотодетектирование 
610 1 |a фотопреобразование 
610 1 |a металл-диэлектрик-полупроводник 
610 1 |a люминесценция 
610 1 |a фотоэффекты 
610 1 |a неравновесное истощение 
610 1 |a применение 
610 1 |a фоторезисторы 
675 |a 537.311.322:535  |v 3 
700 1 |a Саченко  |b А. В.  |g Анатолий Васильевич 
701 1 |a Снитко  |b О. В.  |g Олег Вячеславович 
712 0 2 |a Академия наук Украинской ССР (АН УССР)  |b Институт полупроводников (ИП)  |c (Киев)  |2 stltpush  |3 (RuTPU)RU\TPU\col\12057 
801 1 |a RU  |b 63413507  |c 20140328 
801 2 |a RU  |b 63413507  |c 20150608  |g RCR 
942 |c BK