MARC

LEADER 00000nam0a2200000 4500
001 255359
005 20231101233022.0
010 |a 5020286397 
020 |a RU  |b 89-68262 
035 |a (RuTPU)RU\TPU\book\277865 
090 |a 255359 
100 |a 20140327d1989 k a0rusy5003 ca 
101 0 |a rus 
102 |a RU 
105 |a a z 001zy 
200 1 |a Кристаллы галогенидов таллия  |e получение свойства и применение  |f К. И. Авдиенко [и др.]  |g Академия наук СССР (АН СССР), Сибирское отделение (СО), Институт физики полупроводников (ИФП) 
210 |a Новосибирск  |c Наука  |d 1989 
215 |a 149 с.  |c ил. 
300 |a Авт. указаны на обороте тит. л. 
320 |a Библиогр.: с. 138-150 (247 назв.) 
606 1 |a Таллий, галогениды  |x Химия  |2 stltpush  |3 (RuTPU)RU\TPU\subj\75184  |9 87055 
610 1 |a кристаллы 
610 1 |a физико-химические свойства 
610 1 |a твердые растворы 
610 1 |a механические свойства 
610 1 |a оптические свойства 
610 1 |a электрические свойства 
610 1 |a применение 
610 1 |a световоды 
610 1 |a качество 
675 |a 546.683  |z rus 
701 1 |a Авдиенко  |b К. И. 
701 1 |a Артюшенко  |b В. Г. 
701 1 |a Белоусов  |b А. С. 
701 1 |a Дарвойд  |b Т. И. 
701 1 |a Кисловский  |b Л. Д. 
701 1 |a Лисицкий  |b И. С. 
701 1 |a Лихолетова  |b Т. Л. 
701 1 |a Шелопут  |b Д. В. 
712 0 2 |a Академия наук СССР (АН СССР)  |b Сибирское отделение (СО)  |b Институт физики полупроводников (ИФП)  |c (Новосибирск)  |2 stltpush  |3 (RuTPU)RU\TPU\col\11385 
801 0 |a RU  |b RuMRKP  |c 19960704  |g psbo 
801 1 |a RU  |b 63413507  |c 20140327 
801 2 |a RU  |b 63413507  |c 20160315  |g RCR 
942 |c BK