MARC

LEADER 00000nam0a2200000 4500
001 255331
005 20231101233021.0
035 |a (RuTPU)RU\TPU\book\277837 
090 |a 255331 
100 |a 20140327d1976 km y0rusy50 ca 
101 0 |a rus 
102 |a RU 
105 |a a z 001zy 
200 1 |a Управление составом полупроводниковых кристаллов  |f В. Н. Романенко 
210 |a Москва  |c Металлургия  |d 1976 
215 |a 368 с.  |c ил. 
320 |a Библиогр.: с. 355-362. 
320 |a Предм. указатель: с. 363-368. 
606 1 |a Полупроводниковые материалы  |x Параметры  |x Измерение  |2 stltpush  |3 (RuTPU)RU\TPU\subj\50665  |9 69316 
606 1 |a Полупроводники  |2 stltpush  |3 (RuTPU)RU\TPU\subj\50553  |9 69206 
610 1 |a кристаллы 
610 1 |a кристаллическая решетка 
610 1 |a дефекты 
610 1 |a кристаллизация 
610 1 |a физико-химические явления 
610 1 |a окружающая среда 
610 1 |a сегрегационные процессы 
610 1 |a состав 
610 1 |a перераспределение 
610 1 |a скорость 
610 1 |a очистка 
610 1 |a выравнивание 
610 1 |a методы 
610 1 |a программирование 
610 1 |a подпитка 
675 |a 537.311.322  |v 3 
675 |a 621.315.592  |v 3 
700 1 |a Романенко  |b В. Н.  |g Владимир Николаевич 
801 1 |a RU  |b 63413507  |c 20140327 
801 2 |a RU  |b 63413507  |c 20161115  |g RCR 
942 |c BK