MARC

LEADER 00000nam0a2200000 4500
001 253054
005 20231101232816.0
010 |a 5648003692 
035 |a (RuTPU)RU\TPU\book\275435 
035 |a RU\TPU\book\208822 
090 |a 253054 
100 |a 20140311d1989 k y0rusy50 ca 
101 0 |a rus 
102 |a UZ 
105 |a a z 001zy 
200 1 |a Применение эффекта Мессбауэра в физике аморфных полупроводников  |f П. П. Серегин, Э. Ю. Тураев  |g Термезский государственный педагогический институт им. Т. Айбека 
210 |a Ташкент  |c Фан  |d 1989 
215 |a 80 с.  |c ил. 
320 |a Библиогр.: с. 72-76. 
606 1 |a Полупроводники аморфные  |2 stltpush  |3 (RuTPU)RU\TPU\subj\50646  |9 69298 
610 1 |a эффект Мессбауэра 
610 1 |a физика 
610 1 |a полупроводниковые соединения 
610 1 |a полупроводниковые сплавы 
610 1 |a структура 
610 1 |a кристаллические полупроводники 
610 1 |a оксидные стекла 
610 1 |a мессбауэровская спектроскопия 
610 1 |a примесные атомы 
610 1 |a электрически активные атомы 
610 1 |a электрически неактивные атомы 
675 |a 537.311.322:539  |v 3 
700 1 |a Серегин  |b П. П.  |g Павел Павлович 
701 1 |a Тураев  |b Э. Ю.  |g Эрдаш Юлдашевич 
712 0 2 |a Термезский государственный педагогический институт им. Т. Айбека  |2 stltpush  |3 (RuTPU)RU\TPU\col\19630 
801 1 |a RU  |b 63413507  |c 20110206 
801 2 |a RU  |b 63413507  |c 20140422  |g RCR 
942 |c BK