Нано-КМОП-схемы и проектирование на физическом уровне, пер. с англ.

Bibliographic Details
Other Authors: Вонг Б. П., Миттал А., Цао Ю., Старр Г.
Summary:Книга содержит весьма актуальные сведения по особенностям современных технологий СБИС, уровня 130-90 нм, которые необходимо знать и учитывать при проектировании. Эти сведения изложены в первом разделе (главы 1-3). Во втором разделе (главы 4-9) описаны соответствующие приемы проектирования на физическом уровне для схем смешанного сигнала и аналоговых компонентов, схем памяти, методов снижения потребляемой мощности, схем ввода/вывода и защиты от электростатического разряда, целостности сигнала с учетом длинных межсоединений. В третьем разделе (главы 10-11) рассмотрены приемы проектирования, обеспечивающие повышение выхода годных и учет вариаций технологического процесса.Следует заметку, что до появления этой книги системного и собранного в одну книгу пособия для разработчиков современных СБИС на транзисторном уровне просто не было. Книга будет весьма полезна не только конструкторам, но и инженерам-технологам, осуществляющим разработку новых технологий и соответствующих правил проектирования.
Language:Russian
Published: Москва, Техносфера, 2014
Series:Мир радиоэлектроники
Subjects:
Format: Book
KOHA link:https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=252222

MARC

LEADER 00000nam0a2200000 4500
001 252222
005 20231101232729.0
010 |a 9785948363776 
035 |a (RuTPU)RU\TPU\book\274552 
090 |a 252222 
100 |a 20140228d2014 km y0rusy50 ca 
101 1 |a rus  |c eng 
102 |a RU 
105 |a a z 001zy 
200 1 |a Нано-КМОП-схемы и проектирование на физическом уровне  |e пер. с англ.  |f Б. П. Вонг [и др.] 
210 |a Москва  |c Техносфера  |d 2014 
215 |a 432 с.  |c ил. 
225 1 |a Мир радиоэлектроники 
320 |a Библиогр.: с. 422-424. 
320 |a Предметный указатель: с. 425-431. 
330 |a Книга содержит весьма актуальные сведения по особенностям современных технологий СБИС, уровня 130-90 нм, которые необходимо знать и учитывать при проектировании. Эти сведения изложены в первом разделе (главы 1-3). Во втором разделе (главы 4-9) описаны соответствующие приемы проектирования на физическом уровне для схем смешанного сигнала и аналоговых компонентов, схем памяти, методов снижения потребляемой мощности, схем ввода/вывода и защиты от электростатического разряда, целостности сигнала с учетом длинных межсоединений. В третьем разделе (главы 10-11) рассмотрены приемы проектирования, обеспечивающие повышение выхода годных и учет вариаций технологического процесса.Следует заметку, что до появления этой книги системного и собранного в одну книгу пособия для разработчиков современных СБИС на транзисторном уровне просто не было. Книга будет весьма полезна не только конструкторам, но и инженерам-технологам, осуществляющим разработку новых технологий и соответствующих правил проектирования. 
606 1 |a Интегральные схемы  |2 stltpush  |3 (RuTPU)RU\TPU\subj\12775  |9 39495 
610 1 |a КМОП-схемы 
610 1 |a масштабирование 
610 1 |a нанодиапазон 
610 1 |a КМОП-приборы 
610 1 |a изготовление 
610 1 |a оптическая литография 
610 1 |a проектирование 
610 1 |a электростатический разряд 
610 1 |a защита 
610 1 |a сверхмаломощные схемы 
610 1 |a массовое производство 
610 1 |a вариации 
675 |a 621.382.049.77  |v 3 
701 1 |a Вонг  |b Б. П. 
701 1 |a Миттал  |b А. 
701 1 |a Цао  |b Ю. 
701 1 |a Старр  |b Г. 
801 1 |a RU  |b 63413507  |c 20140228 
801 2 |a RU  |b 63413507  |c 20150706  |g RCR 
942 |c BK 
959 |a 8/20140122  |d 2  |e 840,00  |f ЧЗТЛ:1  |f АНЛ:1