|
|
|
|
| LEADER |
00000nam0a2200000 4500 |
| 001 |
251330 |
| 005 |
20231101232640.0 |
| 010 |
|
|
|a 5283029638
|
| 020 |
|
|
|a RU
|b 89-22631
|
| 035 |
|
|
|a (RuTPU)RU\TPU\book\273606
|
| 090 |
|
|
|a 251330
|
| 100 |
|
|
|a 20140220d1989 km y0rusy5003 ca
|
| 101 |
0 |
|
|a rus
|
| 102 |
|
|
|a RU
|
| 105 |
|
|
|a a z 001zy
|
| 200 |
1 |
|
|a Радиационные эффекты в интегральных микросхемах
|f Т. М. Агаханян, Е. Р. Аствацатурьян, П. К. Скоробогатов
|
| 210 |
|
|
|a Москва
|c Энергоатомиздат
|d 1989
|
| 215 |
|
|
|a 253 с.
|c ил.
|
| 320 |
|
|
|a Библиогр.: с. 242-251.
|
| 606 |
1 |
|
|a Микроэлектронные схемы интегральные
|x Действие ионизирующих излучений
|2 stltpush
|3 (RuTPU)RU\TPU\subj\43856
|9 63297
|
| 610 |
1 |
|
|a взаимодействия
|
| 610 |
1 |
|
|a энерговыделение
|
| 610 |
1 |
|
|a ионизация
|
| 610 |
1 |
|
|a биполярные транзисторы
|
| 610 |
1 |
|
|a униполярные транзисторы
|
| 610 |
1 |
|
|a электронно-дырочные переходы
|
| 610 |
1 |
|
|a транзисторные структуры
|
| 610 |
1 |
|
|a пассивные элементы
|
| 610 |
1 |
|
|a электронные ключи
|
| 610 |
1 |
|
|a радиационные эффекты
|
| 675 |
|
|
|a 621.382.049.77:53
|z rus
|
| 700 |
|
1 |
|a Агаханян
|b Т. М.
|g Татевос Мамиконович
|
| 701 |
|
1 |
|a Аствацатурьян
|b Е. Р.
|g Евгений Раффиевич
|
| 701 |
|
1 |
|a Скоробогатов
|b П. К.
|g Петр Константинович
|
| 801 |
|
0 |
|a RU
|b RuMRKP
|c 19950417
|g psbo
|
| 801 |
|
1 |
|a RU
|b 63413507
|c 20140220
|
| 801 |
|
2 |
|a RU
|b 63413507
|c 20150521
|g RCR
|
| 942 |
|
|
|c BK
|
