MARC

LEADER 00000nam0a2200000 4500
001 250867
005 20231101232614.0
010 |a 5648000766 
035 |a (RuTPU)RU\TPU\book\273103 
090 |a 250867 
100 |a 20140217d1988 k a0rusy5003 ca 
101 0 |a rus 
102 |a UZ 
105 |a a z 001zy 
200 1 |a Выращивание кристаллов методом радиационного нагрева. Оксидные системы  |f Академия наук Узбекской ССР (АН УзССР), Физико-технический институт ; под ред. И. В. Тананаева 
210 |a Ташкент  |c Фан  |d 1988 
215 |a 156 с.  |c ил. 
320 |a Библиогр.: с. 136-155 (412 назв.) 
606 1 |a Кристаллы  |x Выращивание  |2 stltpush  |3 (RuTPU)RU\TPU\subj\16369  |9 42451 
610 1 |a металлы 
610 1 |a нагрев радиационный 
610 1 |a окислы 
610 1 |a монокристаллы 
610 1 |a оксидные соединения 
610 1 |a тугоплавкие соединения 
610 1 |a физико-химические свойства 
610 1 |a радиационный нагрев 
610 1 |a техника 
610 1 |a монокристаллы 
675 |a 548.52  |z rus  |v 3 
702 1 |a Тананаев  |b И. В.  |g Иван Владимирович  |4 340 
712 0 2 |a Академия наук Узбекской ССР (АН УзССР)  |b Физико-технический институт  |2 stltpush  |3 (RuTPU)RU\TPU\col\13582 
801 0 |a RU  |b RuMRKP  |c 19950417  |g psbo 
801 1 |a RU  |b 63413507  |c 20140217 
801 2 |a RU  |b 63413507  |c 20160627  |g RCR 
942 |c BK