Исследование морфологии и спектральных свойств гетерокомпозиций GESI/SI, полученных методом молекулярно-лучевой эпитаксии автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук Спец. 01.04.15

Исследование морфологии и спектральных свойств гетерокомпозиций GESI/SI, полученных методом молекулярно-лучевой эпитаксии автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук

Bibliographic Details
Main Author:	Лапин В. А. Вячеслав Анатольевич
Corporate Authors:	Северо-Кавказский федеральный университет (СКФУ) Кафедра нанотехнологий и технологии материалов электронной техники, Российская академия наук (РАН) Южный научный центр (ЮНЦ) Лаборатория "Солнечная энергетика"
Other Authors:	Бавижев М. Д. Мухамед Данильевич (727)
Summary:	Защита сост. 25.12.2013
Published:	Нальчик, 2013
Subjects:	физика эпитаксиальные пленки молекулярно-лучевая эпитаксия спектральные свойства монокристаллические подложки кремний германий гетероструктуры пластическая релаксация кристаллические решетки рост нанокристаллы тонкие пленки авторефераты диссертаций
Format:	Book
KOHA link:	https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=248480

Similar Items

Особенности формирования AIN на подложке сапфира в процессе нитридизации методом молекулярно-лучевой эпитаксии автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук спец. 01.04.10
by: Милахин Д. С. Денис Сергеевич
Published: (Новосибирск, [Б. и.], 2021)

Эпитаксиальные пленки
by: Палатник Л. С. Лев Самойлович
Published: (Москва, Наука, 1971)

Эпитаксиальные пленки на основе гадолиний-галлиевого граната как перспективный магнитооптический и оптически-активный материал
by: Рандошкин В. В.
Published: (2004)

Люминесценция и разрушение гетероструктур на основе InGaN/GaN при облучении сильноточным электронным пучком автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук спец. 01.04.07
by: Сысоева С. Г. Светлана Геннадьевна
Published: (Томск, [Б. и.], 2018)

Эпитаксиальные слои GaN на кремниевых подложках для AlGaN/GaN гетероструктур с высокой подвижностью электронов автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук спец. 1.3.11
by: Малин Т. В. Тимур Валерьевич
Published: (Новосибирск, 2025)

Люминесценция и разрушение гетероструктур на основе InGaN/GaN при облучении сильноточным электронным пучком диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук спец. 01.04.07
by: Сысоева С. Г. Светлана Геннадьевна
Published: (Томск, [Б. и.], 2017)

Монокристаллические пленки доклады Международной конференции, 1963 г., г. Блю Белл (США)
Published: (Москва, Мир, 1966)

Люминесценция и разрушение гетероструктур на основе InGaN/GaN при облучении сильноточным электронным пучком диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук спец. 01.04.07
by: Сысоева С. Г. Светлана Геннадьевна
Published: (Томск, 2017)

Эпитаксиальные пленки соединений АIIВVI
by: Калинкин И. П. Игорь Петрович
Published: (Ленинград, Изд-во Ленинградского ун-та, 1978)

Люминесценция и разрушение гетероструктур на основе InGaN/GaN при облучении сильноточным электронным пучком автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук спец. 01.04.07
by: Сысоева С. Г. Светлана Геннадьевна
Published: (Томск, 2018)

Экспериментальные свидетельства магнитно-двухфазного состояния в тонких эпитаксиальных пленках [Re0.6Ba0.4MnO3] (Re=La, Pr, Nd, Gd)
Published: (2004)

Кристаллизация и свойства кристаллов межвузовский сборник
Published: (Новочеркасск, Изд-во НПИ, 1978)

Радиационное дефектообразование при ионной имплантации в варизонных полупроводниковых структурах CdxHgx-1Te, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук Спец. 01.04.10
by: Григорьев Д. В. Денис Валерьевич
Published: (Томск, [Б. и.], 2005)

Полупроводниковые пленки для микроэлектроники
Published: (Новосибирск, Наука, 1977)

Радиационное дефектообразование при ионной имплантации в варизонных полупроводниковых структурах CdxHgx-1Te, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук Спец. 01.04.10
by: Григорьев Д. В. Денис Валерьевич
Published: (Томск, [Б. и.], 2005)

Эпитаксиальные методы получения наноразмерных гетероструктур InGaAlP
by: Орлова К. Н. Ксения Николаевна
Published: (2012)

Радиационное дефектообразование при ионной имплантации в варизонных полупроводниковых структурах CdxHgx-1Te, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук
by: Григорьев Д. В. Денис Валерьевич
Published: (Томск, [Б. и.], 2005)

Газофазная микрометаллургия полупроводников
by: Дорфман В. Ф. Вениамин Фриделевич
Published: (Москва, Металлургия, 1974)

Особенности определения электрофизических параметров варизонных структур КРТ, выращенных методом молекулярно-лучевой терапии
Published: (2004)

Переходные области эпитаксиальных полупроводниковых пленок монография
by: Александров Л. Н. Леонид Наумович
Published: (Новосибирск, Наука, 1978)

Эпитаксиальные датчики Холла и их применение
Published: (Ташкент, Фан, 1986)

Поверхность кристалла и эпитаксия
by: Абдурагимов Г. А. Гаджи Асланович
Published: (Ростов-на-Дону, Изд-во Ростовского ун-та, 1987)

Химия и технология ферритов учебное пособие
by: Летюк Л. М. Леонид Михайлович
Published: (Ленинград, Химия, 1983)

Методы получения эпитаксиальных гетерокомпозиций учебное пособие для вузов
by: Ратушный В. И.
Published: (Москва, НИЯУ МИФИ, 2012)

Дефекты в кристаллах полупроводников сборник статей пер. с англ.
Published: (Москва, Мир, 1969)

Электрофизические и фотоэлектрические характеристики МДП-структур на основе гетероэпитаксиального варизонного HgCdTe, выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии, с различными диэлектриками автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук спец. 01.04.10
by: Дзядух С. М. Станислав Михайлович
Published: (Томск, 2010)

Введение в технологию материалов микроэлектроники. В 3 частях. Часть 3. Эпитаксиальный рост учебник для вузов
by: Александрова О. А.
Published: (Санкт-Петербург, Лань, 2023)

О магнитном поле, действующем на движущиеся доменные стенки в плёнках феррит-граната (Bi, Yb)3(Fe, Ga)5O12
Published: (2002)

Поверхностные свойства твердых тел пер. с англ.
Published: (Москва, Мир, 1972)

Осаждение из газовой фазы сокр. пер. с англ.
Published: (Москва, Атомиздат, 1970)

Тонкие пленки антимонида индия: получение, свойства, применение монография
Published: (Кишинев, Штиинца, 1989)

Основные процессы планарной технологии кремниевых ИПС учебное пособие
Published: (Москва, [Б. и.], 1977)

Influence of a high-frequency pulsed nanosecond diffusion discharge in the nitrogen atmosphere on the electrical characteristics of a CdHgTe epitaxial films
Published: (2017)

Эпитаксиальные образования в природе и их учет в землепользовании
by: Киреева А. Е.
Published: (2016)

Кристаллизация и свойства кристаллов. межвузовский сборник
Published: (Новочеркасск, Изд-во Новочеркасского политехн. ин-та, 1987)

Кристаллизация и свойства кристаллов межвузовский сборник научных трудов
Published: (Новочеркасск, НПИ, 1991)

Динамика и статика доменной структуры в магнитоупорядоченных кристаллах сборник научных трудов
Published: (Уфа, Изд-во УрО АН СССР, 1988)

Сверхструктурные переходы при синтезе гетероэпитаксиальных пленок Ge/Si, GeSi/Si методом молекулярно-лучевой эпитаксии автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук спец. 1.3.11
by: Дирко В. В. Владимир Владиславович
Published: (Томск, [Б. и.], 2022)

Технология эпитаксиальных слоев арсенида галлия и приборы на их основе
by: Черняев В. Н. Владимир Николаевич
Published: (Москва, Энергия, 1974)

Производство полупроводниковых приборов
by: Федоров Л. П. Лель Павлович
Published: (Москва, Энергия, 1979)