Исследование морфологии и спектральных свойств гетерокомпозиций GESI/SI, полученных методом молекулярно-лучевой эпитаксии: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук; Спец. 01.04.15
| Autor principal: | Лапин В. А. Вячеслав Анатольевич |
|---|---|
| Autores Corporativos: | Северо-Кавказский федеральный университет (СКФУ) Кафедра нанотехнологий и технологии материалов электронной техники, Российская академия наук (РАН) Южный научный центр (ЮНЦ) Лаборатория "Солнечная энергетика" |
| Otros Autores: | Бавижев М. Д. Мухамед Данильевич (научный руководитель) |
| Sumario: | Защита сост. 25.12.2013 |
| Lenguaje: | ruso |
| Publicado: |
Нальчик, 2013
|
| Materias: | |
| Formato: | Libro |
| KOHA link: | https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=248480 |
Ejemplares similares
Особенности формирования AIN на подложке сапфира в процессе нитридизации методом молекулярно-лучевой эпитаксии: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук; спец. 01.04.10
por: Милахин Д. С. Денис Сергеевич
Publicado: (Новосибирск, [Б. и.], 2021)
por: Милахин Д. С. Денис Сергеевич
Publicado: (Новосибирск, [Б. и.], 2021)
Эпитаксиальные пленки
por: Палатник Л. С. Лев Самойлович
Publicado: (Москва, Наука, 1971)
por: Палатник Л. С. Лев Самойлович
Publicado: (Москва, Наука, 1971)
Эпитаксиальные пленки на основе гадолиний-галлиевого граната как перспективный магнитооптический и оптически-активный материал; Наукоемкие технологии; № 11
por: Рандошкин В. В.
Publicado: (2004)
por: Рандошкин В. В.
Publicado: (2004)
Люминесценция и разрушение гетероструктур на основе InGaN/GaN при облучении сильноточным электронным пучком: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук; спец. 01.04.07
por: Сысоева С. Г. Светлана Геннадьевна
Publicado: (Томск, [Б. и.], 2018)
por: Сысоева С. Г. Светлана Геннадьевна
Publicado: (Томск, [Б. и.], 2018)
Эпитаксиальные слои GaN на кремниевых подложках для AlGaN/GaN гетероструктур с высокой подвижностью электронов: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук; спец. 1.3.11
por: Малин Т. В. Тимур Валерьевич
Publicado: (Новосибирск, 2025)
por: Малин Т. В. Тимур Валерьевич
Publicado: (Новосибирск, 2025)
Структурные и морфологические трансформации слоистых халькогенидов металлов при эпитаксиальном росте: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук; спец. 1.3.8
por: Пономарев С. А. Сергей Артемьевич
Publicado: (Новосибирск, 2025)
por: Пономарев С. А. Сергей Артемьевич
Publicado: (Новосибирск, 2025)
Люминесценция и разрушение гетероструктур на основе InGaN/GaN при облучении сильноточным электронным пучком: диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук; спец. 01.04.07
por: Сысоева С. Г. Светлана Геннадьевна
Publicado: (Томск, [Б. и.], 2017)
por: Сысоева С. Г. Светлана Геннадьевна
Publicado: (Томск, [Б. и.], 2017)
Монокристаллические пленки: доклады Международной конференции, 1963 г., г. Блю Белл (США)
Publicado: (Москва, Мир, 1966)
Publicado: (Москва, Мир, 1966)
Люминесценция и разрушение гетероструктур на основе InGaN/GaN при облучении сильноточным электронным пучком: диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук; спец. 01.04.07
por: Сысоева С. Г. Светлана Геннадьевна
Publicado: (Томск, 2017)
por: Сысоева С. Г. Светлана Геннадьевна
Publicado: (Томск, 2017)
Эпитаксиальные пленки соединений АIIВVI
por: Калинкин И. П. Игорь Петрович
Publicado: (Ленинград, Изд-во Ленинградского ун-та, 1978)
por: Калинкин И. П. Игорь Петрович
Publicado: (Ленинград, Изд-во Ленинградского ун-та, 1978)
Люминесценция и разрушение гетероструктур на основе InGaN/GaN при облучении сильноточным электронным пучком: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук; спец. 01.04.07
por: Сысоева С. Г. Светлана Геннадьевна
Publicado: (Томск, 2018)
por: Сысоева С. Г. Светлана Геннадьевна
Publicado: (Томск, 2018)
Экспериментальные свидетельства магнитно-двухфазного состояния в тонких эпитаксиальных пленках [Re0.6Ba0.4MnO3] (Re=La, Pr, Nd, Gd); Журнал экспериментальной и теоретической физики; Т. 125, вып. 3
Publicado: (2004)
Publicado: (2004)
Кристаллизация и свойства кристаллов: межвузовский сборник; Вып. 5
Publicado: (Новочеркасск, Изд-во НПИ, 1978)
Publicado: (Новочеркасск, Изд-во НПИ, 1978)
Синтез и рост совершенных кристаллов и пленок полупроводников: сборник статей
Publicado: (Новосибирск, Наука, 1981)
Publicado: (Новосибирск, Наука, 1981)
Молекулярно-лучевая эпитаксия и гетероструктуры: пер. с англ.
Publicado: (Москва, Мир, 1989)
Publicado: (Москва, Мир, 1989)
Полупроводниковые пленки для микроэлектроники
Publicado: (Новосибирск, Наука, 1977)
Publicado: (Новосибирск, Наука, 1977)
Радиационное дефектообразование при ионной имплантации в варизонных полупроводниковых структурах CdxHgx-1Te, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии: диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук; Спец. 01.04.10
por: Григорьев Д. В. Денис Валерьевич
Publicado: (Томск, [Б. и.], 2005)
por: Григорьев Д. В. Денис Валерьевич
Publicado: (Томск, [Б. и.], 2005)
Технология микроэлектронных устройств: справочник
por: Готра З. Ю. Зенон Юрьевич
Publicado: (Москва, Радио и связь, 1991)
por: Готра З. Ю. Зенон Юрьевич
Publicado: (Москва, Радио и связь, 1991)
Эпитаксиальные методы получения наноразмерных гетероструктур InGaAlP; Актуальные проблемы биохимии и бионанотехнологии; Т. 2
por: Орлова К. Н. Ксения Николаевна
Publicado: (2012)
por: Орлова К. Н. Ксения Николаевна
Publicado: (2012)
Радиационное дефектообразование при ионной имплантации в варизонных полупроводниковых структурах CdxHgx-1Te, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук; Спец. 01.04.10
por: Григорьев Д. В. Денис Валерьевич
Publicado: (Томск, [Б. и.], 2005)
por: Григорьев Д. В. Денис Валерьевич
Publicado: (Томск, [Б. и.], 2005)
Газофазная микрометаллургия полупроводников
por: Дорфман В. Ф. Вениамин Фриделевич
Publicado: (Москва, Металлургия, 1974)
por: Дорфман В. Ф. Вениамин Фриделевич
Publicado: (Москва, Металлургия, 1974)
Радиационное дефектообразование при ионной имплантации в варизонных полупроводниковых структурах CdxHgx-1Te, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук
por: Григорьев Д. В. Денис Валерьевич
Publicado: (Томск, [Б. и.], 2005)
por: Григорьев Д. В. Денис Валерьевич
Publicado: (Томск, [Б. и.], 2005)
Переходные области эпитаксиальных полупроводниковых пленок: монография
por: Александров Л. Н. Леонид Наумович
Publicado: (Новосибирск, Наука, 1978)
por: Александров Л. Н. Леонид Наумович
Publicado: (Новосибирск, Наука, 1978)
Эпитаксиальные датчики Холла и их применение
Publicado: (Ташкент, Фан, 1986)
Publicado: (Ташкент, Фан, 1986)
Поверхность кристалла и эпитаксия
por: Абдурагимов Г. А. Гаджи Асланович
Publicado: (Ростов-на-Дону, Изд-во Ростовского ун-та, 1987)
por: Абдурагимов Г. А. Гаджи Асланович
Publicado: (Ростов-на-Дону, Изд-во Ростовского ун-та, 1987)
Методы получения эпитаксиальных гетерокомпозиций учебное пособие для вузов
por: Ратушный В. И.
Publicado: (Москва, НИЯУ МИФИ, 2012)
por: Ратушный В. И.
Publicado: (Москва, НИЯУ МИФИ, 2012)
Химия и технология ферритов: учебное пособие
por: Летюк Л. М. Леонид Михайлович
Publicado: (Ленинград, Химия, 1983)
por: Летюк Л. М. Леонид Михайлович
Publicado: (Ленинград, Химия, 1983)
Формирование состава в подрешётке пятой группы твёрдых растворов GaPxAs1-x(001) и InAsxSb1-x(001) при молекулярно-лучевой эпитаксии: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук; спец. 1.3.11
por: Емельянов Е. А. Евгений Александрович
Publicado: (Новосибирск, 2026)
por: Емельянов Е. А. Евгений Александрович
Publicado: (Новосибирск, 2026)
Особенности определения электрофизических параметров варизонных структур КРТ, выращенных методом молекулярно-лучевой терапии; Известия вузов. Физика; Т. 47, № 7
Publicado: (2004)
Publicado: (2004)
Дефекты в кристаллах полупроводников: сборник статей; пер. с англ.
Publicado: (Москва, Мир, 1969)
Publicado: (Москва, Мир, 1969)
Полупроводниковые пленки и слоистые структуры
Publicado: (Киев, Наукова думка, 1977)
Publicado: (Киев, Наукова думка, 1977)
О магнитном поле, действующем на движущиеся доменные стенки в плёнках феррит-граната (Bi, Yb)3(Fe, Ga)5O12; Письма в Журнал технической физики; Т. 28, вып. 14
Publicado: (2002)
Publicado: (2002)
Электрофизические и фотоэлектрические характеристики МДП-структур на основе гетероэпитаксиального варизонного HgCdTe, выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии, с различными диэлектриками: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук; спец. 01.04.10
por: Дзядух С. М. Станислав Михайлович
Publicado: (Томск, 2010)
por: Дзядух С. М. Станислав Михайлович
Publicado: (Томск, 2010)
Тонкие пленки антимонида индия: получение, свойства, применение: монография
Publicado: (Кишинев, Штиинца, 1989)
Publicado: (Кишинев, Штиинца, 1989)
Осаждение из газовой фазы: сокр. пер. с англ.
Publicado: (Москва, Атомиздат, 1970)
Publicado: (Москва, Атомиздат, 1970)
Поверхностные свойства твердых тел: пер. с англ.
Publicado: (Москва, Мир, 1972)
Publicado: (Москва, Мир, 1972)
Основные процессы планарной технологии кремниевых ИПС: учебное пособие
Publicado: (Москва, [Б. и.], 1977)
Publicado: (Москва, [Б. и.], 1977)
Influence of a high-frequency pulsed nanosecond diffusion discharge in the nitrogen atmosphere on the electrical characteristics of a CdHgTe epitaxial films; Journal of Physics: Conference Series; Vol. 830 : Energy Fluxes and Radiation Effects 2016
Publicado: (2017)
Publicado: (2017)
Кристаллизация и свойства кристаллов.: межвузовский сборник
Publicado: (Новочеркасск, Изд-во Новочеркасского политехн. ин-та, 1987)
Publicado: (Новочеркасск, Изд-во Новочеркасского политехн. ин-та, 1987)
Кристаллизация и свойства кристаллов: межвузовский сборник научных трудов
Publicado: (Новочеркасск, НПИ, 1991)
Publicado: (Новочеркасск, НПИ, 1991)
Ejemplares similares
-
Особенности формирования AIN на подложке сапфира в процессе нитридизации методом молекулярно-лучевой эпитаксии: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук; спец. 01.04.10
por: Милахин Д. С. Денис Сергеевич
Publicado: (Новосибирск, [Б. и.], 2021) -
Эпитаксиальные пленки
por: Палатник Л. С. Лев Самойлович
Publicado: (Москва, Наука, 1971) -
Эпитаксиальные пленки на основе гадолиний-галлиевого граната как перспективный магнитооптический и оптически-активный материал; Наукоемкие технологии; № 11
por: Рандошкин В. В.
Publicado: (2004) -
Люминесценция и разрушение гетероструктур на основе InGaN/GaN при облучении сильноточным электронным пучком: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук; спец. 01.04.07
por: Сысоева С. Г. Светлана Геннадьевна
Publicado: (Томск, [Б. и.], 2018) -
Эпитаксиальные слои GaN на кремниевых подложках для AlGaN/GaN гетероструктур с высокой подвижностью электронов: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук; спец. 1.3.11
por: Малин Т. В. Тимур Валерьевич
Publicado: (Новосибирск, 2025)