Исследование морфологии и спектральных свойств гетерокомпозиций GESI/SI, полученных методом молекулярно-лучевой эпитаксии автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук Спец. 01.04.15

Исследование морфологии и спектральных свойств гетерокомпозиций GESI/SI, полученных методом молекулярно-лучевой эпитаксии, автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук Спец. 01.04.15

Chi tiết về thư mục
Tác giả chính:	Лапин В. А. Вячеслав Анатольевич
Nhiều tác giả của công ty:	Северо-Кавказский федеральный университет (СКФУ) Кафедра нанотехнологий и технологии материалов электронной техники, Российская академия наук (РАН) Южный научный центр (ЮНЦ) Лаборатория "Солнечная энергетика"
Tác giả khác:	Бавижев М. Д. Мухамед Данильевич (727)
Tóm tắt:	Защита сост. 25.12.2013
Được phát hành:	Нальчик, 2013
Những chủ đề:	физика эпитаксиальные пленки молекулярно-лучевая эпитаксия спектральные свойства монокристаллические подложки кремний германий гетероструктуры пластическая релаксация кристаллические решетки рост нанокристаллы тонкие пленки авторефераты диссертаций
Định dạng:	Sách
KOHA link:	https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=248480

Những quyển sách tương tự

Особенности формирования AIN на подложке сапфира в процессе нитридизации методом молекулярно-лучевой эпитаксии автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук спец. 01.04.10
Bằng: Милахин Д. С. Денис Сергеевич
Được phát hành: (Новосибирск, [Б. и.], 2021)

Эпитаксиальные пленки
Bằng: Палатник Л. С. Лев Самойлович
Được phát hành: (Москва, Наука, 1971)

Эпитаксиальные пленки на основе гадолиний-галлиевого граната как перспективный магнитооптический и оптически-активный материал
Bằng: Рандошкин В. В.
Được phát hành: (2004)

Люминесценция и разрушение гетероструктур на основе InGaN/GaN при облучении сильноточным электронным пучком автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук спец. 01.04.07
Bằng: Сысоева С. Г. Светлана Геннадьевна
Được phát hành: (Томск, [Б. и.], 2018)

Эпитаксиальные слои GaN на кремниевых подложках для AlGaN/GaN гетероструктур с высокой подвижностью электронов автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук спец. 1.3.11
Bằng: Малин Т. В. Тимур Валерьевич
Được phát hành: (Новосибирск, 2025)

Люминесценция и разрушение гетероструктур на основе InGaN/GaN при облучении сильноточным электронным пучком диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук спец. 01.04.07
Bằng: Сысоева С. Г. Светлана Геннадьевна
Được phát hành: (Томск, [Б. и.], 2017)

Монокристаллические пленки доклады Международной конференции, 1963 г., г. Блю Белл (США)
Được phát hành: (Москва, Мир, 1966)

Люминесценция и разрушение гетероструктур на основе InGaN/GaN при облучении сильноточным электронным пучком диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук спец. 01.04.07
Bằng: Сысоева С. Г. Светлана Геннадьевна
Được phát hành: (Томск, 2017)

Эпитаксиальные пленки соединений АIIВVI
Bằng: Калинкин И. П. Игорь Петрович
Được phát hành: (Ленинград, Изд-во Ленинградского ун-та, 1978)

Люминесценция и разрушение гетероструктур на основе InGaN/GaN при облучении сильноточным электронным пучком автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук спец. 01.04.07
Bằng: Сысоева С. Г. Светлана Геннадьевна
Được phát hành: (Томск, 2018)

Экспериментальные свидетельства магнитно-двухфазного состояния в тонких эпитаксиальных пленках [Re0.6Ba0.4MnO3] (Re=La, Pr, Nd, Gd)
Được phát hành: (2004)

Кристаллизация и свойства кристаллов межвузовский сборник
Được phát hành: (Новочеркасск, Изд-во НПИ, 1978)

Радиационное дефектообразование при ионной имплантации в варизонных полупроводниковых структурах CdxHgx-1Te, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук Спец. 01.04.10
Bằng: Григорьев Д. В. Денис Валерьевич
Được phát hành: (Томск, [Б. и.], 2005)

Полупроводниковые пленки для микроэлектроники
Được phát hành: (Новосибирск, Наука, 1977)

Радиационное дефектообразование при ионной имплантации в варизонных полупроводниковых структурах CdxHgx-1Te, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук Спец. 01.04.10
Bằng: Григорьев Д. В. Денис Валерьевич
Được phát hành: (Томск, [Б. и.], 2005)

Эпитаксиальные методы получения наноразмерных гетероструктур InGaAlP
Bằng: Орлова К. Н. Ксения Николаевна
Được phát hành: (2012)

Радиационное дефектообразование при ионной имплантации в варизонных полупроводниковых структурах CdxHgx-1Te, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук
Bằng: Григорьев Д. В. Денис Валерьевич
Được phát hành: (Томск, [Б. и.], 2005)

Газофазная микрометаллургия полупроводников
Bằng: Дорфман В. Ф. Вениамин Фриделевич
Được phát hành: (Москва, Металлургия, 1974)

Особенности определения электрофизических параметров варизонных структур КРТ, выращенных методом молекулярно-лучевой терапии
Được phát hành: (2004)

Переходные области эпитаксиальных полупроводниковых пленок монография
Bằng: Александров Л. Н. Леонид Наумович
Được phát hành: (Новосибирск, Наука, 1978)

Эпитаксиальные датчики Холла и их применение
Được phát hành: (Ташкент, Фан, 1986)

Поверхность кристалла и эпитаксия
Bằng: Абдурагимов Г. А. Гаджи Асланович
Được phát hành: (Ростов-на-Дону, Изд-во Ростовского ун-та, 1987)

Химия и технология ферритов учебное пособие
Bằng: Летюк Л. М. Леонид Михайлович
Được phát hành: (Ленинград, Химия, 1983)

Методы получения эпитаксиальных гетерокомпозиций учебное пособие для вузов
Bằng: Ратушный В. И.
Được phát hành: (Москва, НИЯУ МИФИ, 2012)

Дефекты в кристаллах полупроводников сборник статей пер. с англ.
Được phát hành: (Москва, Мир, 1969)

Электрофизические и фотоэлектрические характеристики МДП-структур на основе гетероэпитаксиального варизонного HgCdTe, выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии, с различными диэлектриками автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук спец. 01.04.10
Bằng: Дзядух С. М. Станислав Михайлович
Được phát hành: (Томск, 2010)

О магнитном поле, действующем на движущиеся доменные стенки в плёнках феррит-граната (Bi, Yb)3(Fe, Ga)5O12
Được phát hành: (2002)

Введение в технологию материалов микроэлектроники. В 3 частях. Часть 3. Эпитаксиальный рост учебник для вузов
Bằng: Александрова О. А.
Được phát hành: (Санкт-Петербург, Лань, 2023)

Тонкие пленки антимонида индия: получение, свойства, применение монография
Được phát hành: (Кишинев, Штиинца, 1989)

Поверхностные свойства твердых тел пер. с англ.
Được phát hành: (Москва, Мир, 1972)

Осаждение из газовой фазы сокр. пер. с англ.
Được phát hành: (Москва, Атомиздат, 1970)

Основные процессы планарной технологии кремниевых ИПС учебное пособие
Được phát hành: (Москва, [Б. и.], 1977)

Influence of a high-frequency pulsed nanosecond diffusion discharge in the nitrogen atmosphere on the electrical characteristics of a CdHgTe epitaxial films
Được phát hành: (2017)

Эпитаксиальные образования в природе и их учет в землепользовании
Bằng: Киреева А. Е.
Được phát hành: (2016)

Кристаллизация и свойства кристаллов. межвузовский сборник
Được phát hành: (Новочеркасск, Изд-во Новочеркасского политехн. ин-та, 1987)

Кристаллизация и свойства кристаллов межвузовский сборник научных трудов
Được phát hành: (Новочеркасск, НПИ, 1991)

Динамика и статика доменной структуры в магнитоупорядоченных кристаллах сборник научных трудов
Được phát hành: (Уфа, Изд-во УрО АН СССР, 1988)

Сверхструктурные переходы при синтезе гетероэпитаксиальных пленок Ge/Si, GeSi/Si методом молекулярно-лучевой эпитаксии автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук спец. 1.3.11
Bằng: Дирко В. В. Владимир Владиславович
Được phát hành: (Томск, [Б. и.], 2022)

Технология эпитаксиальных слоев арсенида галлия и приборы на их основе
Bằng: Черняев В. Н. Владимир Николаевич
Được phát hành: (Москва, Энергия, 1974)

Производство полупроводниковых приборов
Bằng: Федоров Л. П. Лель Павлович
Được phát hành: (Москва, Энергия, 1979)