MARC

LEADER 00000nam0a2200000 4500
001 248019
005 20231031212317.0
010 |a 5020000647 
020 |a RU  |b 88-57590ж 
035 |a (RuTPU)RU\TPU\book\269674 
090 |a 248019 
100 |a 20140116d1988 k y0rusy5003 ca 
101 0 |a rus 
102 |a RU 
105 |a a z 001zy 
200 1 |a Оптически возбужденные полупроводники при низких и сверхнизких температурах  |f Академия наук СССР (АН СССР), Физический институт им. П. Н. Лебедева (ФИАН) ; отв. ред. А. Б. Фрадков 
210 |a Москва  |c Наука  |d 1988 
215 |a 204,[1] с.  |c ил.  |d 27 см 
225 1 |a Труды физического института им. П. Н. Лебедева (ФИАН)  |v Т. 188 
320 |a Библиогр. в конце ст. 
606 1 |a Полупроводники  |x Теплопроводность  |2 stltpush  |3 (RuTPU)RU\TPU\subj\50602 
610 1 |a низкие температуры 
610 1 |a электронно-дырочные механизмы 
610 1 |a сверхнизкие температуры 
610 1 |a экситоны 
610 1 |a концентрация 
610 1 |a электронно-дырочные капли 
610 1 |a физические явления 
675 |a 537.311.322:536  |z rus  |v 3 
702 1 |a Фрадков  |b А. Б.  |4 340 
712 0 2 |a Академия наук СССР (АН СССР)  |b Физический институт им. П. Н. Лебедева (ФИАН)  |c (Москва)  |2 stltpush  |3 (RuTPU)RU\TPU\col\13766 
801 0 |a RU  |b RuMRKP  |c 19950417  |g psbo 
801 1 |a RU  |b 63413507  |c 20140116 
801 2 |a RU  |b 63413507  |c 20210722  |g RCR 
942 |c BK