Радиационная стойкость гетероструктур AlGaInP с множественными квантовыми ямами диссертация на соискание ученой степени кандидата технических наук спец. 01.04.07

Радиационная стойкость гетероструктур AlGaInP с множественными квантовыми ямами, диссертация на соискание ученой степени кандидата технических наук спец. 01.04.07

Bibliografski detalji
Glavni autor:	Орлова К. Н. Ксения Николаевна
Autor kompanije:	Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ) Юргинский технологический институт (ЮТИ)
Daljnji autori:	Градобоев А. В. Александр Васильевич (727)
Sažetak:	Защита сост. 06.11.2013 г.
Jezik:	ruski
Izdano:	Томск, 2013
Teme:	физика гетероструктуры квантовые ямы светодиоды радиационная стойкость ионизирующее излучение облучение гамма-кванты быстрые нейтроны диссертации труды учёных ТПУ
Format:	Knjiga
KOHA link:	https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=245923

Slični predmeti

Радиационная стойкость гетероструктур AlGaInP с множественными квантовыми ямами автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук спец. 01.04.07
od: Орлова К. Н. Ксения Николаевна
Izdano: (Томск, 2013)

Радиационная стойкость гетероструктур AlGaInP с множественными квантовыми ямами автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук спец. 01.04.07
od: Орлова К. Н. Ксения Николаевна
Izdano: (Томск, 2013)

Радиационная стойкость гетероструктур AlGaInP (λ = 630 нм) с множественными квантовыми ямами
od: Орлова К. Н. Ксения Николаевна
Izdano: (2014)

LEDs based upon AlGaInP heterostructures with multiple quantum wells: comparison of fast neutrons and gammaquanta irradiation
od: Gradoboev A. V. Aleksandr Vasilyevich
Izdano: (2018)

Диагностика радиационной стойкости светодиодов с наноразмерными квантовыми ямами на основе гетероструктур AlGaInP
od: Орлова К. Н. Ксения Николаевна
Izdano: (2012)

Исследование гетероструктур AlGaInP при облучении гамма-квантами в области перестройки дефектной структуры
Izdano: (2013)

Deterioration of Watt and Voltage Characteristics of AlGaInP Heterostructures under Irradiation by Fast Neutrons
od: Gradoboev A. V. Aleksandr Vasilyevich
Izdano: (2016)

Оптическая ориентация
Izdano: (Ленинград, Наука, 1989)

Transition in AlGaInP heterostructures with multiple quantum wells during fast neutron radiation
od: Gradoboev A. V. Aleksandr Vasilyevich
Izdano: (2015)

Радиационная модель светодиодов на основе гетероструктур AlGaInP
od: Градобоев А. В. Александр Васильевич
Izdano: (2012)

Деградация параметров гетероструктур AlGaInP при облучении быстрыми нейтронами и гамма-квантами
od: Градобоев А. В. Александр Васильевич
Izdano: (2013)

Облучение гамма-квантами 60Co светодиодов на основе гетероструктур AlGaInP множественными квантовыми ямами
od: Градобоев А. В. Александр Васильевич
Izdano: (2013)

Resistance of LEDs Based on AlGaInP Heterostructures to Irradiation by Fast Neutrons
od: Gradoboev A. V. Aleksandr Vasilyevich
Izdano: (2013)

Радиационная стойкость гетероструктур AlGaAs для светодиодов ИК-диапазона диссертация на соискание ученой степени кандидата технических наук спец. 01.04.07
od: Рубанов П. В. Павел Владимирович
Izdano: (Томск, 2012)

Радиационная стойкость гетероструктур AlGaAs для светодиодов ИК-диапазона автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук спец. 01.04.07
od: Рубанов П. В. Павел Владимирович
Izdano: (Томск, 2012)

Investigation of AlGaInP heterostructures under gamma-irradiation in the field of restructuring defect structure
od: Gradoboev A. V. Aleksandr Vasilyevich
Izdano: (2015)

Радиационная стойкость гетероструктур AlGaAs для светодиодов ИК-диапазона автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук спец. 01.04.07
od: Рубанов П. В. Павел Владимирович
Izdano: (Томск, 2012)

Radiation Model of Light Emitting Diode Based on AlGaInP Heterostructures with Multiple Quantum Wells
od: Gradoboev A. V. Aleksandr Vasilyevich
Izdano: (2014)

Основные способы увеличения мощности излучения светодиодов AlGaInP с квантовыми ямами
od: Орлова К. Н. Ксения Николаевна
Izdano: (2012)

Фотолюминесцентные свойства гетероструктур на основе CdxHg1-xTe с потенциальными и квантовыми ямами, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук спец. 01.04.10
od: Горн Д. И. Дмитрий Игоревич
Izdano: (Томск, 2012)

Исследование изменения электрофизических характеристик светодиодов на основе гетероструктур AlGaInP (λ=624 нм) с множественными квантовыми ямами при воздействии быстрых нейтронов
od: Орлова К. Н. Ксения Николаевна
Izdano: (2016)

Деградация светодиодов на основе гетероструктур InGaN/GaN при облучении гамма-квантами
od: Градобоев А. В. Александр Васильевич
Izdano: (2011)

Investigation of Changing Volt-Ampere Characteristics of AlGaInP Heterostructures with Multiple Quantum Wells under Ionizing Radiation
od: Gradoboev A. V. Aleksandr Vasilyevich
Izdano: (2016)

Технологии получения гетероструктур AlGaInP
od: Орлова К. Н. Ксения Николаевна
Izdano: (2012)

Gamma degradation of light-emitting diodes based on heterostructured AlGaInP
od: Orlova K. N. Kseniya Nikolaevna
Izdano: (2012)

Phenomenological Model of Radiation Hardness of LEDs Based on AlGaInP Heterostructures with Multiple Quantum Wells
od: Gradoboev A. V. Aleksandr Vasilyevich
Izdano: (2019)

Анализ граничных условий для огибающих функций в гетероструктурах GaN/InGaN(0001)
od: Караваев Г. Ф. Геннадий Федорович
Izdano: (2012)

Исследование оптических свойств светодиодов на основе гетероструктур из широкозонных полупроводников
od: Бактыбаев А. А.
Izdano: (2016)

Change in radiating power of the AlGaInP heterostructures under irradiation by fast neutrons
od: Orlova K. N. Kseniya Nikolaevna
Izdano: (2014)

Влияние электрических полей на пропускание двойной гетероструктуры на основе GaN с квантовой ямой
od: Грушко Н. С.
Izdano: (2004)

Способы увеличения мощности излучения светодиодов на основе гетероструктур AlGaInP
od: Орлова К. Н. Ксения Николаевна
Izdano: (2012)

The fast neutron irradiation influence on the AlGaAs IR-LEDs reliability
Izdano: (2016)

Зависимость ширины основной минизоны сверхрешетки с прямоугольными квантовыми ямами от конструктивных параметров
od: Борисенко С. И.
Izdano: (2003)

Особенности перестройки электронного спектра двухъямной гетероструктуры GaAs/AlGaAs с переменной размерностью электронных состояний во внешнем электричесом поле
Izdano: (2004)

Влияния температуры на стойкость светодиодов ИК-диапазона к облучению гамма-квантами 60Со
od: Градобоев А. В. Александр Васильевич
Izdano: (2016)

Резонансное туннелирование через квантовую яму с двумя барьерами в поперечном магнитном поле
od: Серов А. Ю.
Izdano: (2004)

Люминесценция и разрушение гетероструктур на основе InGaN/GaN при облучении сильноточным электронным пучком диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук спец. 01.04.07
od: Сысоева С. Г. Светлана Геннадьевна
Izdano: (Томск, [Б. и.], 2017)

Топологические переходы в размерно-квантованных гетероструктурах
od: Горбацевич А. А.
Izdano: (2003)

Комбинированные переходы двумерных электронов в несимметричных гетероструктурах
od: Васько Ф. Т.
Izdano: (2003)

Люминесценция и разрушение гетероструктур на основе InGaN/GaN при облучении сильноточным электронным пучком автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук спец. 01.04.07
od: Сысоева С. Г. Светлана Геннадьевна
Izdano: (Томск, [Б. и.], 2018)