Радиационная стойкость гетероструктур AlGaInP с множественными квантовыми ямами автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук спец. 01.04.07

Радиационная стойкость гетероструктур AlGaInP с множественными квантовыми ямами, автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук спец. 01.04.07

Bibliografische gegevens
Hoofdauteur:	Орлова К. Н. Ксения Николаевна
Coauteur:	Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ) Юргинский технологический институт (ЮТИ)
Andere auteurs:	Градобоев А. В. Александр Васильевич (727)
Samenvatting:	Защита сост. 06.11.2013 г.
Taal:	Russisch
Gepubliceerd in:	Томск, 2013
Onderwerpen:	физика гетероструктуры квантовые ямы светодиоды радиационная стойкость облучение гамма-кванты быстрые нейтроны авторефераты диссертаций труды учёных ТПУ
Formaat:	Boek
KOHA link:	https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=245922

Gelijkaardige items

Радиационная стойкость гетероструктур AlGaInP с множественными квантовыми ямами автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук спец. 01.04.07
door: Орлова К. Н. Ксения Николаевна
Gepubliceerd in: (Томск, 2013)

Радиационная стойкость гетероструктур AlGaInP с множественными квантовыми ямами диссертация на соискание ученой степени кандидата технических наук спец. 01.04.07
door: Орлова К. Н. Ксения Николаевна
Gepubliceerd in: (Томск, 2013)

Радиационная стойкость гетероструктур AlGaInP (λ = 630 нм) с множественными квантовыми ямами
door: Орлова К. Н. Ксения Николаевна
Gepubliceerd in: (2014)

Фотолюминесцентные свойства гетероструктур на основе CdxHg1-xTe с потенциальными и квантовыми ямами, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук спец. 01.04.10
door: Горн Д. И. Дмитрий Игоревич
Gepubliceerd in: (Томск, 2012)

Диагностика радиационной стойкости светодиодов с наноразмерными квантовыми ямами на основе гетероструктур AlGaInP
door: Орлова К. Н. Ксения Николаевна
Gepubliceerd in: (2012)

LEDs based upon AlGaInP heterostructures with multiple quantum wells: comparison of fast neutrons and gammaquanta irradiation
door: Gradoboev A. V. Aleksandr Vasilyevich
Gepubliceerd in: (2018)

Исследование гетероструктур AlGaInP при облучении гамма-квантами в области перестройки дефектной структуры
Gepubliceerd in: (2013)

Радиационная модель светодиодов на основе гетероструктур AlGaInP
door: Градобоев А. В. Александр Васильевич
Gepubliceerd in: (2012)

Облучение гамма-квантами 60Co светодиодов на основе гетероструктур AlGaInP множественными квантовыми ямами
door: Градобоев А. В. Александр Васильевич
Gepubliceerd in: (2013)

Деградация параметров гетероструктур AlGaInP при облучении быстрыми нейтронами и гамма-квантами
door: Градобоев А. В. Александр Васильевич
Gepubliceerd in: (2013)

Resistance of LEDs Based on AlGaInP Heterostructures to Irradiation by Fast Neutrons
door: Gradoboev A. V. Aleksandr Vasilyevich
Gepubliceerd in: (2013)

Investigation of AlGaInP heterostructures under gamma-irradiation in the field of restructuring defect structure
door: Gradoboev A. V. Aleksandr Vasilyevich
Gepubliceerd in: (2015)

Радиационная стойкость гетероструктур AlGaAs для светодиодов ИК-диапазона диссертация на соискание ученой степени кандидата технических наук спец. 01.04.07
door: Рубанов П. В. Павел Владимирович
Gepubliceerd in: (Томск, 2012)

Radiation Model of Light Emitting Diode Based on AlGaInP Heterostructures with Multiple Quantum Wells
door: Gradoboev A. V. Aleksandr Vasilyevich
Gepubliceerd in: (2014)

Радиационная стойкость гетероструктур AlGaAs для светодиодов ИК-диапазона автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук спец. 01.04.07
door: Рубанов П. В. Павел Владимирович
Gepubliceerd in: (Томск, 2012)

Люминесценция и разрушение гетероструктур на основе InGaN/GaN при облучении сильноточным электронным пучком диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук спец. 01.04.07
door: Сысоева С. Г. Светлана Геннадьевна
Gepubliceerd in: (Томск, [Б. и.], 2017)

Радиационная стойкость гетероструктур AlGaAs для светодиодов ИК-диапазона автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук спец. 01.04.07
door: Рубанов П. В. Павел Владимирович
Gepubliceerd in: (Томск, 2012)

Люминесценция и разрушение гетероструктур на основе InGaN/GaN при облучении сильноточным электронным пучком автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук спец. 01.04.07
door: Сысоева С. Г. Светлана Геннадьевна
Gepubliceerd in: (Томск, [Б. и.], 2018)

Основные способы увеличения мощности излучения светодиодов AlGaInP с квантовыми ямами
door: Орлова К. Н. Ксения Николаевна
Gepubliceerd in: (2012)

Deterioration of Watt and Voltage Characteristics of AlGaInP Heterostructures under Irradiation by Fast Neutrons
door: Gradoboev A. V. Aleksandr Vasilyevich
Gepubliceerd in: (2016)

Transition in AlGaInP heterostructures with multiple quantum wells during fast neutron radiation
door: Gradoboev A. V. Aleksandr Vasilyevich
Gepubliceerd in: (2015)

Investigation of Changing Volt-Ampere Characteristics of AlGaInP Heterostructures with Multiple Quantum Wells under Ionizing Radiation
door: Gradoboev A. V. Aleksandr Vasilyevich
Gepubliceerd in: (2016)

Деградация светодиодов на основе гетероструктур InGaN/GaN при облучении гамма-квантами
door: Градобоев А. В. Александр Васильевич
Gepubliceerd in: (2011)

Исследование изменения электрофизических характеристик светодиодов на основе гетероструктур AlGaInP (λ=624 нм) с множественными квантовыми ямами при воздействии быстрых нейтронов
door: Орлова К. Н. Ксения Николаевна
Gepubliceerd in: (2016)

Gamma degradation of light-emitting diodes based on heterostructured AlGaInP
door: Orlova K. N. Kseniya Nikolaevna
Gepubliceerd in: (2012)

Phenomenological Model of Radiation Hardness of LEDs Based on AlGaInP Heterostructures with Multiple Quantum Wells
door: Gradoboev A. V. Aleksandr Vasilyevich
Gepubliceerd in: (2019)

Люминесценция и разрушение гетероструктур на основе InGaN/GaN при облучении сильноточным электронным пучком диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук спец. 01.04.07
door: Сысоева С. Г. Светлана Геннадьевна
Gepubliceerd in: (Томск, 2017)

Люминесценция и разрушение гетероструктур на основе InGaN/GaN при облучении сильноточным электронным пучком автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук спец. 01.04.07
door: Сысоева С. Г. Светлана Геннадьевна
Gepubliceerd in: (Томск, 2018)

Способы увеличения мощности излучения светодиодов на основе гетероструктур AlGaInP
door: Орлова К. Н. Ксения Николаевна
Gepubliceerd in: (2012)

Влияния температуры на стойкость светодиодов ИК-диапазона к облучению гамма-квантами 60Со
door: Градобоев А. В. Александр Васильевич
Gepubliceerd in: (2016)

Оптическая бистабильность в системе когерентных экситонов и биэкситонов в полупроводниках
door: Хаджи П. И. Петр Иванович
Gepubliceerd in: (Кишинев, Штиинца, 1988)

Оптические свойства полупроводников
door: Уханов Ю. И. Юлий Иванович
Gepubliceerd in: (Москва, Наука, 1977)

Магнито- и электропоглощение света в полупроводниках [монография]
door: Жилич А. Г.
Gepubliceerd in: (Ленинград, Изд-во ЛГУ, 1984)

Технологии получения гетероструктур AlGaInP
door: Орлова К. Н. Ксения Николаевна
Gepubliceerd in: (2012)

Радиационно-стимулированный отжиг гамма-квантами светодиодов на основе гетероструктуры ALGAAS, подвергнутых воздействию быстрых нейтронов
door: Терниевская А. В. Анастасия Витальевна
Gepubliceerd in: (2020)

Ч. I
Gepubliceerd in: (1970)

Анализ граничных условий для огибающих функций в гетероструктурах GaN/InGaN(0001)
door: Караваев Г. Ф. Геннадий Федорович
Gepubliceerd in: (2012)

Investigation of the resistance of AlGaInP LEDs (λ=630 nm) to irradiation with fast neutrons
Gepubliceerd in: (2022)

Исследование деградации мощности излучения гетероструктур AlGaInP красного и желтого цвета свечения при облучении гамма-квантами
door: Градобоев А. В. Александр Васильевич
Gepubliceerd in: (2013)

Исследование стойкости светодиодов на основе гетероструктур AlGaAs к воздействию нейтронного излучения
door: Жамалдинов Ф. Ф.
Gepubliceerd in: (2022)