Радиационная стойкость гетероструктур AlGaInP с множественными квантовыми ямами: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук; спец. 01.04.07

Радиационная стойкость гетероструктур AlGaInP с множественными квантовыми ямами: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук; спец. 01.04.07

Detaylı Bibliyografya
Yazar:	Орлова К. Н. Ксения Николаевна
Müşterek Yazar:	Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ) Юргинский технологический институт (ЮТИ)
Diğer Yazarlar:	Градобоев А. В. Александр Васильевич (научный руководитель)
Özet:	Заглавие с титульного экрана Электронная версия печатной публикации
Dil:	Rusça
Baskı/Yayın Bilgisi:	Томск, 2013
Konular:	Полупроводники > Оптические свойства авторефераты диссертаций электронный ресурс труды учёных ТПУ физика гетероструктуры квантовые ямы светодиоды радиационная стойкость облучение гамма-кванты быстрые нейтроны
Online Erişim:	http://www.lib.tpu.ru/fulltext/a/2013/65.pdf
Materyal Türü:	Elektronik Kitap
KOHA link:	https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=244339

Benzer Materyaller

Радиационная стойкость гетероструктур AlGaInP с множественными квантовыми ямами: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук; спец. 01.04.07
Yazar:: Орлова К. Н. Ксения Николаевна
Baskı/Yayın Bilgisi: (Томск, 2013)

Радиационная стойкость гетероструктур AlGaInP с множественными квантовыми ямами: диссертация на соискание ученой степени кандидата технических наук; спец. 01.04.07
Yazar:: Орлова К. Н. Ксения Николаевна
Baskı/Yayın Bilgisi: (Томск, 2013)

Радиационная стойкость гетероструктур AlGaInP (λ = 630 нм) с множественными квантовыми ямами; Известия вузов. Физика; Т. 57, № 2-2
Yazar:: Орлова К. Н. Ксения Николаевна
Baskı/Yayın Bilgisi: (2014)

Диагностика радиационной стойкости светодиодов с наноразмерными квантовыми ямами на основе гетероструктур AlGaInP; Студент и научно-технический прогресс
Yazar:: Орлова К. Н. Ксения Николаевна
Baskı/Yayın Bilgisi: (2012)

Фотолюминесцентные свойства гетероструктур на основе CdxHg1-xTe с потенциальными и квантовыми ямами, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук; спец. 01.04.10
Yazar:: Горн Д. И. Дмитрий Игоревич
Baskı/Yayın Bilgisi: (Томск, 2012)

Облучение гамма-квантами 60Co светодиодов на основе гетероструктур AlGaInP множественными квантовыми ямами; Перспективные материалы; № 7
Yazar:: Градобоев А. В. Александр Васильевич
Baskı/Yayın Bilgisi: (2013)

Исследование гетероструктур AlGaInP при облучении гамма-квантами в области перестройки дефектной структуры; Известия вузов. Физика; Т. 56, № 11-3
Baskı/Yayın Bilgisi: (2013)

LEDs based upon AlGaInP heterostructures with multiple quantum wells: comparison of fast neutrons and gammaquanta irradiation; IOP Conference Series: Materials Science and Engineering; Vol. 363 : Cognitive Robotics
Yazar:: Gradoboev A. V. Aleksandr Vasilyevich
Baskı/Yayın Bilgisi: (2018)

Исследование изменения электрофизических характеристик светодиодов на основе гетероструктур AlGaInP (λ=624 нм) с множественными квантовыми ямами при воздействии быстрых нейтронов; Журнал радиоэлектроники; № 10
Yazar:: Орлова К. Н. Ксения Николаевна
Baskı/Yayın Bilgisi: (2016)

Основные способы увеличения мощности излучения светодиодов AlGaInP с квантовыми ямами; Радиоэлектроника и молодежь в ХХІ веке; Т. 1
Yazar:: Орлова К. Н. Ксения Николаевна
Baskı/Yayın Bilgisi: (2012)

Resistance of LEDs Based on AlGaInP Heterostructures to Irradiation by Fast Neutrons; Journal of Chemistry and Chemical Engineering; Vol. 7, № 5
Yazar:: Gradoboev A. V. Aleksandr Vasilyevich
Baskı/Yayın Bilgisi: (2013)

Люминесценция и разрушение гетероструктур на основе InGaN/GaN при облучении сильноточным электронным пучком: диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук; спец. 01.04.07
Yazar:: Сысоева С. Г. Светлана Геннадьевна
Baskı/Yayın Bilgisi: (Томск, [Б. и.], 2017)

Деградация параметров гетероструктур AlGaInP при облучении быстрыми нейтронами и гамма-квантами; Вопросы атомной науки и техники. Серия: Физика радиационного воздействия на радиоэлектронную аппаратуру; № 2
Yazar:: Градобоев А. В. Александр Васильевич
Baskı/Yayın Bilgisi: (2013)

Люминесценция и разрушение гетероструктур на основе InGaN/GaN при облучении сильноточным электронным пучком: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук; спец. 01.04.07
Yazar:: Сысоева С. Г. Светлана Геннадьевна
Baskı/Yayın Bilgisi: (Томск, [Б. и.], 2018)

Радиационная модель светодиодов на основе гетероструктур AlGaInP; I; Облучение гамма-квантами 60Со; Радиационная физика твердого тела
Yazar:: Градобоев А. В. Александр Васильевич
Baskı/Yayın Bilgisi: (2012)

Investigation of AlGaInP heterostructures under gamma-irradiation in the field of restructuring defect structure; Physica Status Solidi (C) Current Topics in Solid State Physics; № 1-2
Yazar:: Gradoboev A. V. Aleksandr Vasilyevich
Baskı/Yayın Bilgisi: (2015)

Radiation Model of Light Emitting Diode Based on AlGaInP Heterostructures with Multiple Quantum Wells; Advanced Materials Research; Vol. 880 : Prospects of Fundamental Sciences Development (PFSD-2013)
Yazar:: Gradoboev A. V. Aleksandr Vasilyevich
Baskı/Yayın Bilgisi: (2014)

Радиационная стойкость гетероструктур AlGaAs для светодиодов ИК-диапазона: диссертация на соискание ученой степени кандидата технических наук; спец. 01.04.07
Yazar:: Рубанов П. В. Павел Владимирович
Baskı/Yayın Bilgisi: (Томск, 2012)

Радиационная стойкость гетероструктур AlGaAs для светодиодов ИК-диапазона: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук; спец. 01.04.07
Yazar:: Рубанов П. В. Павел Владимирович
Baskı/Yayın Bilgisi: (Томск, 2012)

Радиационная стойкость гетероструктур AlGaAs для светодиодов ИК-диапазона: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук; спец. 01.04.07
Yazar:: Рубанов П. В. Павел Владимирович
Baskı/Yayın Bilgisi: (Томск, 2012)

Deterioration of Watt and Voltage Characteristics of AlGaInP Heterostructures under Irradiation by Fast Neutrons; IOP Conference Series: Materials Science and Engineering; Vol. 110 : Radiation-Thermal Effects and Processes in Inorganic Materials (RTEP2015)
Yazar:: Gradoboev A. V. Aleksandr Vasilyevich
Baskı/Yayın Bilgisi: (2016)

Transition in AlGaInP heterostructures with multiple quantum wells during fast neutron radiation; IOP Conference Series: Materials Science and Engineering; Vol. 81 : Radiation-Thermal Effects and Processes in Inorganic Materials
Yazar:: Gradoboev A. V. Aleksandr Vasilyevich
Baskı/Yayın Bilgisi: (2015)

Investigation of Changing Volt-Ampere Characteristics of AlGaInP Heterostructures with Multiple Quantum Wells under Ionizing Radiation; IOP Conference Series: Materials Science and Engineering; Vol. 110 : Radiation-Thermal Effects and Processes in Inorganic Materials (RTEP2015)
Yazar:: Gradoboev A. V. Aleksandr Vasilyevich
Baskı/Yayın Bilgisi: (2016)

Деградация светодиодов на основе гетероструктур InGaN/GaN при облучении гамма-квантами; Известия вузов. Физика; Т. 54, № 1/2 : Радиационно-термические эффекты и процессы в неорганических материалах
Yazar:: Градобоев А. В. Александр Васильевич
Baskı/Yayın Bilgisi: (2011)

Способы увеличения мощности излучения светодиодов на основе гетероструктур AlGaInP; Приволжский научный вестник; № 10 (14)
Yazar:: Орлова К. Н. Ксения Николаевна
Baskı/Yayın Bilgisi: (2012)

Люминесценция и разрушение гетероструктур на основе InGaN/GaN при облучении сильноточным электронным пучком: диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук; спец. 01.04.07
Yazar:: Сысоева С. Г. Светлана Геннадьевна
Baskı/Yayın Bilgisi: (Томск, 2017)

Phenomenological Model of Radiation Hardness of LEDs Based on AlGaInP Heterostructures with Multiple Quantum Wells; Materials Science Forum; Vol. 970 : Modern Problems in Materials Processing, Manufacturing, Testing and Quality Assurance II
Yazar:: Gradoboev A. V. Aleksandr Vasilyevich
Baskı/Yayın Bilgisi: (2019)

Gamma degradation of light-emitting diodes based on heterostructured AlGaInP; The 7th International Forum on Strategic Technology (IFOST-2012), September 18-21, 2012, Tomsk
Yazar:: Orlova K. N. Kseniya Nikolaevna
Baskı/Yayın Bilgisi: (2012)

Люминесценция и разрушение гетероструктур на основе InGaN/GaN при облучении сильноточным электронным пучком: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук; спец. 01.04.07
Yazar:: Сысоева С. Г. Светлана Геннадьевна
Baskı/Yayın Bilgisi: (Томск, 2018)

Технологии получения гетероструктур AlGaInP; Инновации в машиностроении
Yazar:: Орлова К. Н. Ксения Николаевна
Baskı/Yayın Bilgisi: (2012)

Влияния температуры на стойкость светодиодов ИК-диапазона к облучению гамма-квантами 60Со; Вопросы атомной науки и техники. Серия: Физика радиационного воздействия на радиоэлектронную аппаратуру; № 1
Yazar:: Градобоев А. В. Александр Васильевич
Baskı/Yayın Bilgisi: (2016)

Оптическая бистабильность в системе когерентных экситонов и биэкситонов в полупроводниках
Yazar:: Хаджи П. И. Петр Иванович
Baskı/Yayın Bilgisi: (Кишинев, Штиинца, 1988)

Оптические свойства полупроводников
Yazar:: Уханов Ю. И. Юлий Иванович
Baskı/Yayın Bilgisi: (Москва, Наука, 1977)

Магнито- и электропоглощение света в полупроводниках: [монография]
Yazar:: Жилич А. Г.
Baskı/Yayın Bilgisi: (Ленинград, Изд-во ЛГУ, 1984)

Исследование деградации мощности излучения гетероструктур AlGaInP красного и желтого цвета свечения при облучении гамма-квантами; Журнал радиоэлектроники; № 4
Yazar:: Градобоев А. В. Александр Васильевич
Baskı/Yayın Bilgisi: (2013)

Анализ граничных условий для огибающих функций в гетероструктурах GaN/InGaN(0001); Известия вузов. Физика; Т. 55, № 7
Yazar:: Караваев Г. Ф. Геннадий Федорович
Baskı/Yayın Bilgisi: (2012)

Ч. I; Оптика полупроводников
Baskı/Yayın Bilgisi: (1970)

Радиационно-стимулированный отжиг гамма-квантами светодиодов на основе гетероструктуры ALGAAS, подвергнутых воздействию быстрых нейтронов; Интеграция науки, образования и производства – основа реализации Плана нации (Сагиновские чтения №12); Ч. 1
Yazar:: Терниевская А. В. Анастасия Витальевна
Baskı/Yayın Bilgisi: (2020)

Изменение вольт-амперных характеристик светодиодов на основе гетероструктур AlGaInP красного и желтого цвета свечения при облучении гамма-квантами и быстрыми нейтронами; Журнал радиоэлектроники; № 10
Yazar:: Градобоев А. В. Александр Васильевич
Baskı/Yayın Bilgisi: (2013)

Investigation of the resistance of AlGaInP LEDs (λ=630 nm) to irradiation with fast neutrons; Физико-технические проблемы в науке, промышленности и медицине
Baskı/Yayın Bilgisi: (2022)