MARC

LEADER 00000nam0a2200000 4500
001 244064
005 20231031210725.0
010 |a 5256004980 
020 |a RU  |b 90-46788 
035 |a (RuTPU)RU\TPU\book\265426 
090 |a 244064 
100 |a 20131014d1990 k a0rusy5003 ca 
101 0 |a rus 
102 |a RU 
105 |a a z 001zy 
200 1 |a Фотоэлектрические МДП-структуры из узкозонных полупроводников  |f А. В. Войцеховский, В. Н. Давыдов 
210 |a Томск  |c Радио и связь  |d 1990 
215 |a 328 с.  |c ил.  |d 22 см 
320 |a Библиогр.: с. 307-325 (492 назв.) 
606 1 |a Полупроводники  |x Физика  |2 stltpush  |3 (RuTPU)RU\TPU\subj\50622 
610 1 |a МДП-структуры 
610 1 |a зонная теория 
610 1 |a фотоэлектрические свойства 
610 1 |a ионизирующая радиация 
610 1 |a фотоприемники 
610 1 |a изготовление 
610 1 |a дефекты 
610 1 |a термическое воздействие 
675 |a 621.315.592:53  |z rus 
700 1 |a Войцеховский  |b А. В.  |g Александр Васильевич  |4 070 
701 1 |a Давыдов  |b В. Н.  |g Валерий Николаевич  |4 070 
801 0 |a RU  |b RuMRKP  |c 19950417  |g psbo 
801 1 |a RU  |b 63413507  |c 20131014 
801 2 |a RU  |b 63413507  |c 20131018  |g RCR 
942 |c BK