О некоторых особенностях зависимости конденсаторной фотоэдс от электрического поля в системе Si-SiO2

О некоторых особенностях зависимости конденсаторной фотоэдс от электрического поля в системе Si-SiO2

Bibliographic Details
Parent link:Известия Томского политехнического института [Известия ТПИ]/ Томский политехнический институт (ТПИ).— , 1944-1976
Т. 280 : Неразрушающие методы контроля.— 1975.— [С. 126-129]
Main Author: Зайдман С. А.
Other Authors: Курындина Н. К., Свирякин Д. И.
Summary:Заглавие с титульного листа
Электронная версия печатной публикации
В работе исследуется поведение сигнала фотоэдс (ΔУф) в системе полупроводник - диэлектрик (Si-SiO2) в зависимости от поверхностного потенциала (УS0) и оцениваются возможности метода фотоэдс для анализа границы раздела полупроводник - диэлектрик. Показано, что метод весьма чувствителен к параметрам поверхностных состояний. Для экспериментальных зависимостей ΔУф = ΔУф(УS0) характерен ряд особенностей, которые полностью не объясняются в рамках существующей теории конденсаторной фотоэдс.
Published: 1975
Subjects:
электронный ресурс
труды учёных ТПУ
Online Access:Черно-белая версия для предварительного просмотра
Цветная версия без потери качества
Format: Electronic Book Chapter
KOHA link:https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=238427

Similar Items

Similar Items