О некоторых особенностях зависимости конденсаторной фотоэдс от электрического поля в системе Si-SiO2; Известия Томского политехнического института [Известия ТПИ]; Т. 280 : Неразрушающие методы контроля

التفاصيل البيبلوغرافية
Parent link:Известия Томского политехнического института [Известия ТПИ]/ Томский политехнический институт (ТПИ).— , 1944-1976
Т. 280 : Неразрушающие методы контроля.— 1975.— [С. 126-129]
المؤلف الرئيسي: Зайдман С. А.
مؤلفون آخرون: Курындина Н. К., Свирякин Д. И.
الملخص:Заглавие с титульного листа
Электронная версия печатной публикации
В работе исследуется поведение сигнала фотоэдс (ΔУф) в системе полупроводник - диэлектрик (Si-SiO2) в зависимости от поверхностного потенциала (УS0) и оцениваются возможности метода фотоэдс для анализа границы раздела полупроводник - диэлектрик. Показано, что метод весьма чувствителен к параметрам поверхностных состояний. Для экспериментальных зависимостей ΔУф = ΔУф(УS0) характерен ряд особенностей, которые полностью не объясняются в рамках существующей теории конденсаторной фотоэдс.
اللغة:الروسية
منشور في: 1975
الموضوعات:
الوصول للمادة أونلاين:Черно-белая версия для предварительного просмотра
Цветная версия без потери качества
التنسيق: الكتروني فصل الكتاب
KOHA link:https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=238427