О некоторых особенностях зависимости конденсаторной фотоэдс от электрического поля в системе Si-SiO2; Известия Томского политехнического института [Известия ТПИ]; Т. 280 : Неразрушающие методы контроля
| Parent link: | Известия Томского политехнического института [Известия ТПИ]/ Томский политехнический институт (ТПИ).— , 1944-1976 Т. 280 : Неразрушающие методы контроля.— 1975.— [С. 126-129] |
|---|---|
| Auteur principal: | |
| Autres auteurs: | , |
| Résumé: | Заглавие с титульного листа Электронная версия печатной публикации В работе исследуется поведение сигнала фотоэдс (ΔУф) в системе полупроводник - диэлектрик (Si-SiO2) в зависимости от поверхностного потенциала (УS0) и оцениваются возможности метода фотоэдс для анализа границы раздела полупроводник - диэлектрик. Показано, что метод весьма чувствителен к параметрам поверхностных состояний. Для экспериментальных зависимостей ΔУф = ΔУф(УS0) характерен ряд особенностей, которые полностью не объясняются в рамках существующей теории конденсаторной фотоэдс. |
| Langue: | russe |
| Publié: |
1975
|
| Sujets: | |
| Accès en ligne: | Черно-белая версия для предварительного просмотра Цветная версия без потери качества |
| Format: | Électronique Chapitre de livre |
| KOHA link: | https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=238427 |