О некоторых особенностях зависимости конденсаторной фотоэдс от электрического поля в системе Si-SiO2; Известия Томского политехнического института [Известия ТПИ]; Т. 280 : Неразрушающие методы контроля

التفاصيل البيبلوغرافية
Parent link:	Известия Томского политехнического института [Известия ТПИ]/ Томский политехнический институт (ТПИ).— , 1944-1976 Т. 280 : Неразрушающие методы контроля.— 1975.— [С. 126-129]
المؤلف الرئيسي:	Зайдман С. А.
مؤلفون آخرون:	Курындина Н. К., Свирякин Д. И.
الملخص:	Заглавие с титульного листа Электронная версия печатной публикации В работе исследуется поведение сигнала фотоэдс (ΔУф) в системе полупроводник - диэлектрик (Si-SiO2) в зависимости от поверхностного потенциала (УS0) и оцениваются возможности метода фотоэдс для анализа границы раздела полупроводник - диэлектрик. Показано, что метод весьма чувствителен к параметрам поверхностных состояний. Для экспериментальных зависимостей ΔУф = ΔУф(УS0) характерен ряд особенностей, которые полностью не объясняются в рамках существующей теории конденсаторной фотоэдс.
اللغة:	الروسية
منشور في:	1975
الموضوعات:	электронный ресурс труды учёных ТПУ
الوصول للمادة أونلاين:	Черно-белая версия для предварительного просмотра Цветная версия без потери качества
التنسيق:	الكتروني فصل الكتاب
KOHA link:	https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=238427

MARC


LEADER	00000nla2a2200000 4500
001	238427
005	20231031205131.0
035			\|a (RuTPU)RU\TPU\book\259616
035			\|a RU\TPU\book\259613
090			\|a 238427
100			\|a 20130527d1975 k y0rusy50 ca
101	0		\|a rus
102			\|a RU
135			\|a drnn ---uucaa
181		0	\|a i
182		0	\|a b
200	1		\|a О некоторых особенностях зависимости конденсаторной фотоэдс от электрического поля в системе Si-SiO2 \|b Электронный ресурс \|f С. А. Зайдман, Н. К. Курындина, Д. И. Свирякин
203			\|a Текст \|c электронный
215			\|a 2 файла (203 Кб, 4.5 Мб)
230			\|a Электронные текстовые данные (2 файла : 203 Кб, 4.5 Мб)
300			\|a Заглавие с титульного листа
300			\|a Электронная версия печатной публикации
320			\|a [Библиогр.: с. 129 (9 назв.)]
330			\|a В работе исследуется поведение сигнала фотоэдс (ΔУф) в системе полупроводник - диэлектрик (Si-SiO2) в зависимости от поверхностного потенциала (УS0) и оцениваются возможности метода фотоэдс для анализа границы раздела полупроводник - диэлектрик. Показано, что метод весьма чувствителен к параметрам поверхностных состояний. Для экспериментальных зависимостей ΔУф = ΔУф(УS0) характерен ряд особенностей, которые полностью не объясняются в рамках существующей теории конденсаторной фотоэдс.
337			\|a Adobe Reader
461		1	\|0 (RuTPU)RU\TPU\book\200995 \|t Известия Томского политехнического института [Известия ТПИ] \|f Томский политехнический институт (ТПИ) \|d 1944-1976
463		1	\|0 (RuTPU)RU\TPU\book\259417 \|t Т. 280 : Неразрушающие методы контроля \|v [С. 126-129] \|d 1975 \|p 145 с.
610	1		\|a электронный ресурс
610	1		\|a труды учёных ТПУ
675			\|a 537.311.33 \|v 3
700		1	\|a Зайдман \|b С. А.
701		1	\|a Курындина \|b Н. К.
701		1	\|a Свирякин \|b Д. И.
801		1	\|a RU \|b 63413507 \|c 20090320 \|g PSBO
801		2	\|a RU \|b 63413507 \|c 20130531 \|g PSBO
856	4		\|u http://www.lib.tpu.ru/fulltext/v/Bulletin_TPU/1975/v280/30_bw.pdf \|z Черно-белая версия для предварительного просмотра
856	4		\|u http://www.lib.tpu.ru/fulltext/v/Bulletin_TPU/1975/v280/30_full.pdf \|z Цветная версия без потери качества
942			\|c CF

MARC

مواد مشابهة