Накопление заряда в диэлектриках при облучении их мощным импульсным потоком электронов наносекундной длительности; VI Всесоюзный симпозиум по сильноточной электронике; Ч. 3

Détails bibliographiques
Parent link:VI Всесоюзный симпозиум по сильноточной электронике: тезисы докладов, Томск 27-29 мая 1986 г./ Сильноточная электроника ; Академия наук СССР (АН СССР), Сибирское отделение (СО), Институт сильноточной электроники (ИСЭ) ; под ред. О. Б. Ладыженского.— , 1986
Ч. 3.— 1986.— С. 148-150
Auteur principal: Боев С. Г. Сергей Григорьевич
Autres auteurs: Пичугин В. Ф. Владимир Федорович
Langue:russe
Publié: 1986
Sujets:
Format: Chapitre de livre
KOHA link:https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=237480

MARC

LEADER 00000naa2a2200000 4500
001 237480
005 20231101231535.0
035 |a (RuTPU)RU\TPU\book\258654 
035 |a RU\TPU\book\258651 
090 |a 237480 
100 |a 20130516a1986 k y0rusy50 ca 
101 0 |a rus 
102 |a RU 
200 1 |a Накопление заряда в диэлектриках при облучении их мощным импульсным потоком электронов наносекундной длительности  |f С. Г. Боев, В. Ф. Пичугин 
320 |a Библиогр.: с. 150 (1 назв.) 
461 1 |0 (RuTPU)RU\TPU\book\171766  |t VI Всесоюзный симпозиум по сильноточной электронике  |o тезисы докладов, Томск 27-29 мая 1986 г.  |f Сильноточная электроника ; Академия наук СССР (АН СССР), Сибирское отделение (СО), Институт сильноточной электроники (ИСЭ) ; под ред. О. Б. Ладыженского  |d 1986 
463 1 |0 (RuTPU)RU\TPU\book\154839  |t Ч. 3  |v С. 148-150  |d 1986  |p 228 с. 
610 1 |a труды учёных ТПУ 
700 1 |a Боев  |b С. Г.  |c российский физик  |c профессор Томского политехнического университета  |f 1949-  |g Сергей Григорьевич  |2 stltpush  |3 (RuTPU)RU\TPU\pers\21948  |9 9268 
701 1 |a Пичугин  |b В. Ф.  |c российский физик  |c профессор Томского политехнического университета, доктор физико-математических наук  |f 1944-  |g Владимир Федорович  |2 stltpush  |3 (RuTPU)RU\TPU\pers\25824 
801 1 |a RU  |b 63413507  |c 20130516 
801 2 |a RU  |b 63413507  |c 20130516  |g RCR 
942 |c BK