|
|
|
|
| LEADER |
00000nla2a2200000 4500 |
| 001 |
236368 |
| 005 |
20231031204654.0 |
| 035 |
|
|
|a (RuTPU)RU\TPU\book\257528
|
| 035 |
|
|
|a RU\TPU\book\257524
|
| 090 |
|
|
|a 236368
|
| 100 |
|
|
|a 20130423d2012 k y0rusy50 ba
|
| 101 |
0 |
|
|a eng
|g eng
|g rus
|
| 102 |
|
|
|a RU
|
| 105 |
|
|
|a y z 101zy
|
| 135 |
|
|
|a drcn ---uucaa
|
| 200 |
1 |
|
|a Properties of low-e coatings on a polymer film with structure TiO2/ZnO:Ga/Ag/ZnO:Ga/TiO2 and TiO2/Cu/TiO2
|b Electronic resource
|f A. S. Grenadyorov
|g sci. adv. S. V. Rabotkin
|d Характеристики низкоэмиссионных покрытий на полимерной пленке со структурой TiO2/ZnO:Ga/Ag/ZnO:Ga/TiO2 и TiO2/Cu/TiO2
|
| 203 |
|
|
|a Text
|c electronic
|
| 215 |
|
|
|a 1 файл(373 Кб)
|
| 225 |
1 |
|
|a Физика
|
| 230 |
|
|
|a Электронные текстовые данные (1 файл: 373 Кб)
|
| 300 |
|
|
|a Заглавие с экрана
|
| 320 |
|
|
|a [Библиогр.: с. 75 (2 назв.)]
|
| 330 |
|
|
|a В данной работе будут приведены результаты исследований основных характеристик низкоэмиссионных покрытий со структурой TiO2/ZnO:Ga/Ag/ZnO:Ga/TiO2 и TiO2/Cu/TiO2. Основными характеристиками низкоэмиссионных покрытий является отражение в ИК диапазоне, прозрачность в видимом диапазоне и стойкость к атмосферным воздействиям.
|
| 337 |
|
|
|a Adobe Reader
|
| 463 |
|
1 |
|0 (RuTPU)RU\TPU\book\256864
|t Перспективы развития фундаментальных наук
|o сборник научных трудов IX Международной конференция студентов и молодых ученых, г. Томск, 24-27 апреля 2012 г.
|f Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ)
|v [С. 73-75]
|l Prospects of fundamental sciences development
|d 2012
|
| 510 |
1 |
|
|a Характеристики низкоэмиссионных покрытий на полимерной пленке со структурой TiO2/ZnO:Ga/Ag/ZnO:Ga/TiO2 и TiO2/Cu/TiO2
|z rus
|
| 610 |
1 |
|
|a электронный ресурс
|
| 610 |
1 |
|
|a труды учёных ТПУ
|
| 610 |
1 |
|
|a полимерные пленки
|
| 610 |
1 |
|
|a характеристики
|
| 610 |
1 |
|
|a низкоэмиссионные покрытия
|
| 610 |
1 |
|
|a структура
|
| 700 |
|
1 |
|a Grenadyorov
|b A. S.
|
| 702 |
|
1 |
|a Rabotkin
|b S. V.
|4 727
|
| 712 |
0 |
2 |
|a Российская академия наук (РАН)
|b Сибирское отделение (СО)
|b Институт сильноточной электроники (ИСЭ)
|c (Томск)
|2 stltpush
|3 (RuTPU)RU\TPU\col\1124
|
| 801 |
|
1 |
|a RU
|b 63413507
|c 20101016
|
| 801 |
|
2 |
|a RU
|b 63413507
|c 20131016
|g RCR
|
| 856 |
4 |
|
|u http://www.lib.tpu.ru/fulltext/c/2012/C21/020.pdf
|
| 942 |
|
|
|c CF
|