The low-temperature removal of hydrogen isotopes from submicrocrystalline Ti-6Al-4V-H alloy; 9th International Conference on Modification of Materials with Particle Beams and Plasma Flows, Tomsk, 21-21September 2008
| Parent link: | 9th International Conference on Modification of Materials with Particle Beams and Plasma Flows, Tomsk, 21-21September 2008.— P. 316-319 |
|---|---|
| অন্যান্য লেখক: | , , , , , , |
| সংক্ষিপ্ত: | Исследование влияния добавления водорода на деформацию и механические свойства двухфазных титановых сплавов проведено на примере титанового сплава Ti-6Al-4V в субмикрокристаллическом состоянии в области температур 773-1023 К. Изучено влияние потока электронов на выход водорода из сплава и стабильность СМКС структуры. Показано, что добавление водорода до 0.24 % масс при температуре выше 773 К приводит к росту его сопротивления и текучести в 2-3 раза и уменьшению склонности к разрушению в 1.5-2 раза. С ростом плотности тока с 3 до 30 мкА×см-2 интенсивность выхода водорода возрастает до 20 раз и при плотности тока 25-30 мкА×см-2 происходит нагрев образца до температуры более 673 К и рекристаллизация субмикронного состояния. |
| ভাষা: | ইংরেজি |
| প্রকাশিত: |
|
| বিষয়গুলি: | |
| বিন্যাস: | গ্রন্থের অধ্যায় |
| KOHA link: | https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=232558 |
| সংক্ষিপ্ত: | Исследование влияния добавления водорода на деформацию и механические свойства двухфазных титановых сплавов проведено на примере титанового сплава Ti-6Al-4V в субмикрокристаллическом состоянии в области температур 773-1023 К. Изучено влияние потока электронов на выход водорода из сплава и стабильность СМКС структуры. Показано, что добавление водорода до 0.24 % масс при температуре выше 773 К приводит к росту его сопротивления и текучести в 2-3 раза и уменьшению склонности к разрушению в 1.5-2 раза. С ростом плотности тока с 3 до 30 мкА×см-2 интенсивность выхода водорода возрастает до 20 раз и при плотности тока 25-30 мкА×см-2 происходит нагрев образца до температуры более 673 К и рекристаллизация субмикронного состояния. |
|---|