|
|
|
|
| LEADER |
00000nam0a2200000 4500 |
| 001 |
231284 |
| 005 |
20231101231053.0 |
| 010 |
|
|
|a 9785915222259
|
| 035 |
|
|
|a (RuTPU)RU\TPU\book\252303
|
| 090 |
|
|
|a 231284
|
| 100 |
|
|
|a 20130131d2012 k y0rusy50 ca
|
| 101 |
1 |
|
|a rus
|c eng
|
| 102 |
|
|
|a RU
|
| 105 |
|
|
|a a z 001zy
|
| 200 |
1 |
|
|a Фундаментальные основы анализа нанопленок
|e пер. с англ.
|f Т. Альфорд, Л. К. Фельдман, Д. В. Майер
|g Московский государственный университет им. М. В. Ломоносова (МГУ), Научно-образовательный центр по нанотехнологиям
|
| 210 |
|
|
|a Москва
|c Научный мир
|d 2012
|
| 215 |
|
|
|a 392 с.
|c ил.
|
| 225 |
1 |
|
|a Фундаментальные основы нанотехнологий: лучшие зарубежные учебники
|
| 320 |
|
|
|a Библиогр. в конце гл.
|
| 330 |
|
|
|a Книга посвящена рассмотрению проблем фундаментальной физики, лежащих в основе методов, используемых для изучения поверхностей и приповерхностных слоев материалов. Появление и развитие таких аналитических методик, основанных на явлениях взаимодействия частиц и излучения с веществом, обусловлено, прежде всего, ростом технологических потребностей. Ионная имплантация, электронные пучки и лазеры используются также и для модификации состава и структуры материалов. Осаждение потоков частиц, получаемых с помощью различных источников, позволяет получать пленочные материалы. Так, эпитаксиальные слои могут быть получены с использованием молекулярных пучков, а также с помощью физического и химического газофазного осаждения. Методики, основанные на изучении взаимодействия с частицами, позволяют, например, обеспечить контролируемые условия окислительных и каталитических реакций. Ключом к успешному использованию данных методик является широкая доступность аналитических технологий, чувствительных к составу и структуре твердых тел на нанометровом масштабе. Книга предназначена для специалистов в области материаловедения и инженеров, интересующихся использованием различных видов спектроскопии и/или спектрометрии. Для людей, занимающихся анализом материалов, которым необходима информация о технике, имеющейся за пределами и лабораторий; и особенно для студентов старших курсов и выпускников, собирающихся использовать это новое поколение аналитических методов в своей научной работе.
|
| 606 |
1 |
|
|a Нанопленки
|x Физика
|2 stltpush
|3 (RuTPU)RU\TPU\subj\72377
|9 85926
|
| 610 |
1 |
|
|a атомная физика
|
| 610 |
1 |
|
|a атом Бора
|
| 610 |
1 |
|
|a атомные столкновения
|
| 610 |
1 |
|
|a спектроскопия
|
| 610 |
1 |
|
|a обратное рассеяние
|
| 610 |
1 |
|
|a резерфордовское рассеяние
|
| 610 |
1 |
|
|a распыления
|
| 610 |
1 |
|
|a масс-спектрометрия
|
| 610 |
1 |
|
|a каналирование
|
| 610 |
1 |
|
|a электрон-электронные взаимодействия
|
| 610 |
1 |
|
|a электронная спектроскопия
|
| 610 |
1 |
|
|a ионы
|
| 610 |
1 |
|
|a дифракция
|
| 610 |
1 |
|
|a рентгеновские лучи
|
| 610 |
1 |
|
|a электроны
|
| 610 |
1 |
|
|a поглощение
|
| 610 |
1 |
|
|a фотоны
|
| 610 |
1 |
|
|a твердые тела
|
| 610 |
1 |
|
|a твердые тела
|
| 610 |
1 |
|
|a рентгеновская спектроскопия
|
| 610 |
1 |
|
|a тонкие структуры
|
| 610 |
1 |
|
|a фотоэлектронная спектроскопия
|
| 610 |
1 |
|
|a излучательные переходы
|
| 610 |
1 |
|
|a электронный микроанализ
|
| 610 |
1 |
|
|a безызлучательные переходы
|
| 610 |
1 |
|
|a Оже-электроны
|
| 610 |
1 |
|
|a ядерные методы
|
| 610 |
1 |
|
|a активационный анализ
|
| 610 |
1 |
|
|a наведенная радиоактивность
|
| 610 |
1 |
|
|a сканирующая зондовая микроскопия
|
| 610 |
1 |
|
|a корпускулярно-волновой дуализм
|
| 610 |
1 |
|
|a тонкие пленки
|
| 675 |
|
|
|a 539.216.2
|v 3
|
| 700 |
|
1 |
|a Альфорд
|b Т.
|g Терри Л.
|
| 701 |
|
1 |
|a Фельдман
|b Л. К.
|g Леонард К.
|
| 701 |
|
1 |
|a Майер
|b Д. В.
|g Джеймс В.
|
| 712 |
0 |
2 |
|a Московский государственный университет им. М. В. Ломоносова (МГУ)
|b Научно-образовательный центр по нанотехнологиям
|2 stltpush
|3 (RuTPU)RU\TPU\col\17866
|
| 801 |
|
1 |
|a RU
|b 63413507
|c 20130131
|
| 801 |
|
2 |
|a RU
|b 63413507
|c 20150702
|g RCR
|
| 900 |
|
|
|a Наноматериалы
|
| 900 |
|
|
|a Наноструктурные материалы
|
| 942 |
|
|
|c BK
|
| 959 |
|
|
|a 15/20130131
|d 2
|e 490,00
|f ЧЗТЛ:1
|f АНЛ:1
|
