Исследование свойств оксометаллатов состава XZ10O36n-, где X - Ge, Cr, Ga, Z - Mo,W методом вольтамперометрии; Химия и химическая технология в XXI веке

Исследование свойств оксометаллатов состава XZ10O36n-, где X - Ge, Cr, Ga, Z - Mo,W методом вольтамперометрии; Химия и химическая технология в XXI веке

التفاصيل البيبلوغرافية
Parent link:	Химия и химическая технология в XXI веке.— 2006
المؤلف الرئيسي:	Дорожкина А. И. Анастасия Игоревна
مؤلفون آخرون:	Виссер Е. Е. Елена Евгеньевна
الملخص:	Заглавие с титульного листа Электронная версия печатной публикации
اللغة:	الروسية
منشور في:	2006
سلاسل:	Химия и химическая технология органических веществ и материалов
الموضوعات:	труды учёных ТПУ электронный ресурс
الوصول للمادة أونلاين:	http://www.lib.tpu.ru/fulltext/m/2006/m24.pdf#page=130
التنسيق:	الكتروني فصل الكتاب
KOHA link:	https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=230415

مواد مشابهة

Синтез и исследование свойств гетерополисоединений декамолибдо-, декавольфрамогерманатов состава XZ10O36n-, где X - Ge, Z - Mo, W; Известия Томского политехнического университета [Известия ТПУ]; Т. 309, № 1
منشور في: (2006)

Химия соединений MO(VI) и W(VI)
منشور في: (Новосибирск, Наука, 1979)

Hysteresis of tunnel current in w-GaN/AlGaN(0001) double-barrier structures; Semiconductors; Vol. 42, iss. 5
حسب: Razzhuvalov A. N. Alexander Nikolaevich
منشور في: (2008)

A multi-dimensional search for new heavy resonances decaying to boosted W W, W Z , or Z Z boson pairs in the dijet final state at 13 TeV; European Physical Journal C; Vol. 80, iss. 3
منشور في: (2020)

Self-consistent calculation of tunneling current in w-GaN/AlGaN(0001) two-barrier heterostructures; Semiconductors; Vol. 40, iss. 6
حسب: Grinyaev S. N. Sergey Nikolaevich
منشور في: (2006)

"Двурезонансный" гистерезис туннельного тока в гетероструктурах w-GaN/AlGaN; Нитриды галлия, индия и алюминия: структуры и приборы
حسب: Разжувалов А. Н. Александр Николаевич
منشور في: (2007)

Таблицы значений функции w(z)=e от комплексного аргумента
حسب: Фаддеева В. Н. Вера Николаевна
منشور في: (Москва, Изд-во технико-теоретической литературы, 1954)

Роль глубоких уровней в токе туннельных диодов w-AlGaN/GaN; Нитриды галлия, индия и алюминия: структуры и приборы
حسب: Разжувалов А. Н. Александр Николаевич
منشور في: (2015)

A “capacitor” model of the hysteresis of tunneling current in w-GaN/AlGaN(0001) structures; Physics of the Solid State; Vol. 51, iss. 1
حسب: Razzhuvalov A. N. Alexander Nikolaevich
منشور في: (2009)

“Конденсаторная” модель гистерезиса туннельного тока в структурах w-GaN/AlGaN(0001); Физика твёрдого тела; Т. 51, вып. 1
حسب: Разжувалов А. Н. Александр Николаевич
منشور في: (2009)

Гистерезис туннельного тока в двухбарьерных структурах w-GaN/AlGaN(0001); Физика и техника полупроводников; Т. 42, вып. 5
حسب: Разжувалов А. Н. Александр Николаевич
منشور في: (2008)

Влияние дефектов на туннельный ток в структурах w-GaN/AlGaN(0001); Нитриды галлия, индия и алюминия: структуры и приборы
حسب: Разжувалов А. Н. Александр Николаевич
منشور في: (2008)

Особенности туннельного тока в двухбарьерных нитридных структурах w-GaN/AlGaN(0001); Нитриды галлия, индия и алюминия - структуры и приборы
حسب: Разжувалов А. Н. Александр Николаевич
منشور في: (2005)

Самосогласованный расчет туннельного тока в двухбарьерных гетероструктурах w-GaN / AlGaN (0001); Физика и техника полупроводников; Т. 40, вып. 6
حسب: Гриняев С. Н. Сергей Николаевич
منشور في: (2006)

Tunneling current in w-GaN/AlN(0001) structures with deep-level defects; Superlattices and Microstructures; Vol. 122
حسب: Razzhuvalov A. N. Alexander Nikolaevich
منشور في: (2018)

Ostatni z niewaznikow. Eter i jego znaczenie w fizyce dzisiejszej
حسب: Kramsztyk S. Stanislaw
منشور في: (Warszawa, Druck K. Kowalewskiego, 1897)

Вып. 7: (Mn, Tc, Re, Cr, Mo, W, V, Nb, Ta, Ti, Zr, Hf); Ч. 1: Таблицы принятых значений; Термические константы веществ
منشور في: (1974)

Оптоэлектронные фотопреобразователи излучений на основе гетеропереходов AlxGa1-x As-GaAs
حسب: Трофим В. Г. Виорел Георгиевич
منشور في: (Кишинев, Штиинца, 1987)

X-ray Bragg Ptychography on a Single InGaN/GaN Core-Shell Nanowire; ACS Nano; Vol. 11, iss. 7
منشور في: (2017)

The effect of internal fields on tunneling current in strained GaN/AlxGa1-x N(0001) structures; Semiconductors; Vol. 37, iss. 4
حسب: Grinyaev S. N. Sergey Nikolaevich
منشور في: (2003)

Селективное лазерное плавление Co-Cr-Mo сплавов; Междисциплинарные проблемы аддитивных технологий
منشور في: (2019)

Изучение механизмов роста и фазообразования покрытий Ti-Cr-Ni-Mo-N; Функциональные материалы: разработка, исследование, применение
حسب: Черногор А. В.
منشور في: (2017)

Физико-химическое исследование твердых растворов SrMO₄ - Eu₂(MO₄)₃ (M=Mо, W) с использованием вольтамперометрии с пастовым электродом: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата химических наук; спец. 02.00.04
حسب: Видревич М. Б. Марина Борисовна
منشور في: (Свердловск, [Б. и.], 1980)

Вып. 7: (Mn, Tc, Cr, Mo, W, V, Nb, Ta, Ti, Zr ,Hf); Ч. 2: Таблицы литературных ссылок, приложения, список литературы, указатель; Термические константы веществ
منشور في: (1974)

Роль кристаллической структуры Mo в стойкости к окислению циркониевого сплава Zr-1Nb с покрытием Cr/Mo; Физико-технические проблемы в науке, промышленности и медицине
حسب: Абдульменова А. В. Анастасия Владимировна
منشور في: (2022)

Многомерное уравнение Монжа-Алепера det//Zij//=φ(Z1, ... ,Zn, Z, X1, ... ,Xn)
حسب: Погорелов А. В. Алексей Васильевич
منشور في: (Москва, Наука, 1988)

Preparation of Zr(Mo, W)2O8 with a larger negative thermal expansion by controlling the thermal decomposition of Zr(Mo, W)2(OH, Cl)2∙2H2O; Scientific Reports; Vol. 8
منشور في: (2018)

Resonant electron tunneling in GaN/Ga1-x AlxN(0001) strained structures with spontaneous polarization and piezoeffec; Physics of the Solid State; Vol. 43, iss. 3
حسب: Grinyaev S. N. Sergey Nikolaevich
منشور في: (2001)

Покрытия системы FE-CR-V-MO-C; Современные техника и технологии; Т. 1
حسب: Дегтерев А. С. Александр Сергеевич
منشور في: (2014)

Синтез керамических нитридсодержащих материалов сжиганием в воздухе смесей нанопорошка алюминия с нанопорошками W и Mo и порошком Cr: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук
حسب: Толбанова Л. О. Людмила Олеговна
منشور في: (Томск, [Б. и.], 2007)

Влияние внутренних полей на туннельный ток в напряженных структурах GaN/AlxGa1-xN(0001); Физика и техника полупроводников; Т. 37, вып. 4
حسب: Гриняев С. Н. Сергей Николаевич
منشور في: (2003)

The Koktenkol Stockwork W - Mo Deposit, Central Kazakhstan; Granite-related ore deposits of Central Kazakhstan and adjacent areas
حسب: Mazurov A. K. Aleksey Karpovich
منشور في: (1996)

Карбид VC В Fe-Cr-V-Mo-C-покрытии; Вестник науки Сибири; № 3 (9)
حسب: Дегтерев А. С. Александр Сергеевич
منشور في: (2013)

Особенности строения Fe-Cr-V-Mo-C покрытий, сформированных плазменной порошковой наплавкой; Неразрушающий контроль
حسب: Кирилкин М. С. Михаил Сергеевич
منشور في: (2011)

Где найдешь, где потеряешь..: Роман
حسب: Нестерова К. В. Ксения Владимировна
منشور في: (Москва, ЭКСМО-Пресс, 1999)

Protective Cr coatings with CrN/Cr multilayers for zirconium fuel claddings; Surface and Coatings Technology; Vol. 433
منشور في: (2022)

Кислотные и каталитические свойства цеолитных катализаторов, модифицированных гетерополисоединениями Mo и W и нанопорошками металлов Mo и W, в конверсии прямогонных бензинов газового конденсата в высокооктановые компоненты бензина; Проблемы геологии и освоения недр; Т. 2
حسب: Хомяков И. С. Иван Сергеевич
منشور في: (2012)

Peculiarities of tunneling current in w-AlN/GaN(0001) two-barrier structures induced by deep-level defects; Journal of Applied Physics; Vol. 120, iss. 5
حسب: Grinyaev S. N. Sergey Nikolaevich
منشور في: (2016)

N - Z; Немецко-русский металлургический словарь
منشور في: (1999)

Резонансное туннелирование электронов в напряженных структурах GaN/Ga1-xAlxN(0001) с учетом спонтанной поляризации и пьезоэффекта; Физика твёрдого тела; Т. 43, вып. 3
حسب: Гриняев С. Н. Сергей Николаевич
منشور في: (2001)