MARC

LEADER 00000nam0a2200000 4500
001 228051
005 20231101230839.0
010 |a 5120012868 
020 |a RU  |b 90-29173 
035 |a (RuTPU)RU\TPU\book\248501 
090 |a 228051 
100 |a 20121214d1990 k y0rusy5003 ca 
101 0 |a rus 
102 |a UA 
105 |a a z 001zy 
200 1 |a Моделирование кинетических явлений в полупроводниках. Метод Монте-Карло  |f В. М. Иващенко, В. В. Митин  |g Академия наук Украинской ССР (АН УССР), Институт полупроводников (ИП) 
210 |a Киев  |c Наук. думка  |d 1990 
215 |a 192 с.  |c ил.  |d 22 см 
320 |a Библиогр.: с. 178-190 (289 назв.). 
606 1 |a Полупроводники  |x Кинетика  |2 stltpush  |3 (RuTPU)RU\TPU\subj\50562  |9 69215 
610 1 |a полупроводники 
610 1 |a Монте-Карло метод 
610 1 |a кинетика 
610 1 |a математическое моделирование 
610 1 |a зонная структура 
610 1 |a рассеяние 
675 |a 537.311.322  |z rus  |v 3 
700 1 |a Иващенко  |b В. М.  |g Виктор Михайлович  |4 070 
701 1 |a Митин  |b В. В.  |g Владимир Васильевич  |4 070 
712 0 2 |a Академия наук Украинской ССР (АН УССР)  |b Институт полупроводников (ИП)  |c (Киев)  |2 stltpush  |3 (RuTPU)RU\TPU\col\12057 
801 0 |a RU  |b RuMRKP  |c 19950417  |g psbo 
801 1 |a RU  |b 63413507  |c 20121214 
801 2 |a RU  |b 63413507  |c 20150514  |g RCR 
942 |c BK