Тест-система диагностики температурных характеристик светоизлучающих наногетероструктур на основе твердых растворов AlGaN И GaInN

Тест-система диагностики температурных характеристик светоизлучающих наногетероструктур на основе твердых растворов AlGaN И GaInN

Бібліографічні деталі
Parent link:	Современные техника и технологии: сборник трудов XVIII международной научно-практической конференции студентов, аспирантов и молодых ученых, Томск, 9-13 апреля 2012 г/ Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ).— , 2012 Т. 3.— 2012.— [С. 365-366]
Автор:	Менькович Е. А.
Співавтор:	Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет (СПбГЭТУ)
Інші автори:	Ламкин И. А. (727), Тарасов С. А.
Резюме:	Заглавие с титульного листа
Опубліковано:	2012
Серія:	Секция 12: Наноматериалы, нанотехнологии и новая энергетика
Предмети:	электронный ресурс тест-системы диагностика температурный режим гетероструктуры твердые растворы
Онлайн доступ:	http://www.lib.tpu.ru/fulltext/v/Conferences/2012/C2/V3/v3_177.pdf
Формат:	Електронний ресурс Частина з книги
KOHA link:	https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=226828

Схожі ресурси

Анализ граничных условий для огибающих функций в гетероструктурах GaN/InGaN(0001)
за авторством: Караваев Г. Ф. Геннадий Федорович
Опубліковано: (2012)

Luminescent diagnostics of led heterostructures based on InGaN/GaN
Опубліковано: (2016)

Физическое моделирование GaN/AlGaN HEMTнаногетероструктур и мощных СВЧ-транзисторовс использованием пакета Synopsys
Опубліковано: (2012)

Время разрешенная фотолюминесцентная спектроскопия гетероструктур на основе InGaN/GaN-квантовых ям
за авторством: Ли Цзысюань
Опубліковано: (2017)

Имульсная люминесценция гетероструктур на основе GaN
за авторством: Васенев А. С.
Опубліковано: (2012)

Механизмы разрушения в гетероструктурах InGaN/GaN под действием сильноточного электронного пучка
за авторством: Олешко В. И. Владимир Иванович
Опубліковано: (2015)

"Двурезонансный" гистерезис туннельного тока в гетероструктурах w-GaN/AlGaN
за авторством: Разжувалов А. Н. Александр Николаевич
Опубліковано: (2007)

Исследование свойств наногетероструктур Ga2O3 -ZnO как материалов для фотоэлектрохимических устройств
за авторством: Блинова А. А.
Опубліковано: (2024)

Роль глубоких уровней в токе туннельных диодов w-AlGaN/GaN
за авторством: Разжувалов А. Н. Александр Николаевич
Опубліковано: (2015)

Гистерезис туннельного тока в двухбарьерных структурах w-GaN/AlGaN(0001)
за авторством: Разжувалов А. Н. Александр Николаевич
Опубліковано: (2008)

Hysteresis of tunnel current in w-GaN/AlGaN(0001) double-barrier structures
за авторством: Razzhuvalov A. N. Alexander Nikolaevich
Опубліковано: (2008)

Physical nature of size effects in TiAlNiAu/GaN ohmic contacts to AlGaN/GaN heteroepitaxial structures
Опубліковано: (2022)

Особенности туннельного тока в двухбарьерных нитридных структурах w-GaN/AlGaN(0001)
за авторством: Разжувалов А. Н. Александр Николаевич
Опубліковано: (2005)

“Конденсаторная” модель гистерезиса туннельного тока в структурах w-GaN/AlGaN(0001)
за авторством: Разжувалов А. Н. Александр Николаевич
Опубліковано: (2009)

A “capacitor” model of the hysteresis of tunneling current in w-GaN/AlGaN(0001) structures
за авторством: Razzhuvalov A. N. Alexander Nikolaevich
Опубліковано: (2009)

Самосогласованный расчет туннельного тока в двухбарьерных гетероструктурах w-GaN / AlGaN (0001)
за авторством: Гриняев С. Н. Сергей Николаевич
Опубліковано: (2006)

Влияние дефектов на туннельный ток в структурах w-GaN/AlGaN(0001)
за авторством: Разжувалов А. Н. Александр Николаевич
Опубліковано: (2008)

Технологии получения гетероструктур AlGaInP
за авторством: Орлова К. Н. Ксения Николаевна
Опубліковано: (2012)

Self-consistent calculation of tunneling current in w-GaN/AlGaN(0001) two-barrier heterostructures
за авторством: Grinyaev S. N. Sergey Nikolaevich
Опубліковано: (2006)

Эпитаксиальные слои GaN на кремниевых подложках для AlGaN/GaN гетероструктур с высокой подвижностью электронов автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук спец. 1.3.11
за авторством: Малин Т. В. Тимур Валерьевич
Опубліковано: (Новосибирск, 2025)

Влияние электрических полей на пропускание двойной гетероструктуры на основе GaN с квантовой ямой
за авторством: Грушко Н. С.
Опубліковано: (2004)

Research on the radiation exposure "memory effects" in AlGaAs heterostructures
за авторством: Gradoboev A. V. Aleksandr Vasilyevich
Опубліковано: (2015)

The fast neutron irradiation influence on the AlGaAs IR-LEDs reliability
Опубліковано: (2016)

Люминесценция и разрушение гетероструктур на основе InGaN/GaN при облучении сильноточным электронным пучком диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук спец. 01.04.07
за авторством: Сысоева С. Г. Светлана Геннадьевна
Опубліковано: (Томск, [Б. и.], 2017)

Люминесценция и разрушение гетероструктур на основе InGaN/GaN при облучении сильноточным электронным пучком автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук спец. 01.04.07
за авторством: Сысоева С. Г. Светлана Геннадьевна
Опубліковано: (Томск, [Б. и.], 2018)

Люминесценция и разрушение гетероструктур на основе InGaN/GaN при облучении сильноточным электронным пучком диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук спец. 01.04.07
за авторством: Сысоева С. Г. Светлана Геннадьевна
Опубліковано: (Томск, 2017)

Радиационная модель светодиодов на основе гетероструктур AlGaInP
за авторством: Градобоев А. В. Александр Васильевич
Опубліковано: (2012)

Люминесценция и разрушение гетероструктур на основе InGaN/GaN при облучении сильноточным электронным пучком автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук спец. 01.04.07
за авторством: Сысоева С. Г. Светлана Геннадьевна
Опубліковано: (Томск, 2018)

Эпитаксиальные методы получения наноразмерных гетероструктур InGaAlP
за авторством: Орлова К. Н. Ксения Николаевна
Опубліковано: (2012)

Способы увеличения мощности излучения светодиодов на основе гетероструктур AlGaInP
за авторством: Орлова К. Н. Ксения Николаевна
Опубліковано: (2012)

Reliability of LEDs based upon AlGaAs heterostructures: combined influence of fast neutron and operation factors
за авторством: Gradoboev A. V. Aleksandr Vasilyevich
Опубліковано: (2018)

Deterioration of Watt and Voltage Characteristics of AlGaInP Heterostructures under Irradiation by Fast Neutrons
за авторством: Gradoboev A. V. Aleksandr Vasilyevich
Опубліковано: (2016)

Особенности перестройки электронного спектра двухъямной гетероструктуры GaAs/AlGaAs с переменной размерностью электронных состояний во внешнем электричесом поле
Опубліковано: (2004)

Исследование стойкости светодиодов на основе гетероструктур AlGaAs к воздействию нейтронного излучения
за авторством: Жамалдинов Ф. Ф.
Опубліковано: (2022)

Метод огибающих функций для гетероструктур. Модели сшивания и применения для [AlAs/AlxGa1-xAs(110)]
за авторством: Караваев Г. Ф.
Опубліковано: (2003)

Transition in AlGaInP heterostructures with multiple quantum wells during fast neutron radiation
за авторством: Gradoboev A. V. Aleksandr Vasilyevich
Опубліковано: (2015)

Resistance of LEDs Based on AlGaInP Heterostructures to Irradiation by Fast Neutrons
за авторством: Gradoboev A. V. Aleksandr Vasilyevich
Опубліковано: (2013)

Gamma degradation of light-emitting diodes based on heterostructured AlGaInP
за авторством: Orlova K. N. Kseniya Nikolaevna
Опубліковано: (2012)

Радиационная стойкость гетероструктур AlGaInP (λ = 630 нм) с множественными квантовыми ямами
за авторством: Орлова К. Н. Ксения Николаевна
Опубліковано: (2014)

Светодиоды на основе гетероструктур AlGaAs: действие гамма-излучения и эксплуатационных факторов
за авторством: Симонова А. В.
Опубліковано: (2018)