Тест-система диагностики температурных характеристик светоизлучающих наногетероструктур на основе твердых растворов AlGaN И GaInN; Современные техника и технологии; Т. 3

Тест-система диагностики температурных характеристик светоизлучающих наногетероструктур на основе твердых растворов AlGaN И GaInN; Современные техника и технологии; Т. 3

Sonraí bibleagrafaíochta
Parent link:	Современные техника и технологии: сборник трудов XVIII международной научно-практической конференции студентов, аспирантов и молодых ученых, Томск, 9-13 апреля 2012 г/ Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ).— , 2012 Т. 3.— 2012.— [С. 365-366]
Príomhchruthaitheoir:	Менькович Е. А.
Údar corparáideach:	Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет (СПбГЭТУ)
Rannpháirtithe:	Ламкин И. А. (научный руководитель), Тарасов С. А.
Achoimre:	Заглавие с титульного листа
Teanga:	Rúisis
Foilsithe / Cruthaithe:	2012
Sraith:	Секция 12: Наноматериалы, нанотехнологии и новая энергетика
Ábhair:	электронный ресурс тест-системы диагностика температурный режим гетероструктуры твердые растворы
Rochtain ar líne:	http://www.lib.tpu.ru/fulltext/v/Conferences/2012/C2/V3/v3_177.pdf
Formáid:	Leictreonach Caibidil leabhair
KOHA link:	https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=226828

Míreanna comhchosúla

Анализ граничных условий для огибающих функций в гетероструктурах GaN/InGaN(0001); Известия вузов. Физика; Т. 55, № 7
de réir: Караваев Г. Ф. Геннадий Федорович
Foilsithe / Cruthaithe: (2012)

Luminescent diagnostics of led heterostructures based on InGaN/GaN; Energy Fluxes and Radiation Effects (EFRE-2016)
Foilsithe / Cruthaithe: (2016)

Механизмы разрушения в гетероструктурах InGaN/GaN под действием сильноточного электронного пучка; Ученые записки физического факультета Московского университета; № 5
de réir: Олешко В. И. Владимир Иванович
Foilsithe / Cruthaithe: (2015)

Время разрешенная фотолюминесцентная спектроскопия гетероструктур на основе InGaN/GaN-квантовых ям; Высокие технологии в современной науке и технике (ВТСНТ-2017)
de réir: Ли Цзысюань
Foilsithe / Cruthaithe: (2017)

Имульсная люминесценция гетероструктур на основе GaN; Современные техника и технологии; Т. 3
de réir: Васенев А. С.
Foilsithe / Cruthaithe: (2012)

Физическое моделирование GaN/AlGaN HEMTнаногетероструктур и мощных СВЧ-транзисторовс использованием пакета Synopsys; Доклады Томского государственного университета систем управления и радиоэлектроники; № 2 (26), ч. 2
Foilsithe / Cruthaithe: (2012)

Hysteresis of tunnel current in w-GaN/AlGaN(0001) double-barrier structures; Semiconductors; Vol. 42, iss. 5
de réir: Razzhuvalov A. N. Alexander Nikolaevich
Foilsithe / Cruthaithe: (2008)

Physical nature of size effects in TiAlNiAu/GaN ohmic contacts to AlGaN/GaN heteroepitaxial structures; Semiconductor Science and Technology; Vol. 37, iss. 5
Foilsithe / Cruthaithe: (2022)

Исследование свойств наногетероструктур Ga2O3 -ZnO как материалов для фотоэлектрохимических устройств; Химия и химическая технология в XXI веке; Т. 1
de réir: Блинова А. А.
Foilsithe / Cruthaithe: (2024)

Self-consistent calculation of tunneling current in w-GaN/AlGaN(0001) two-barrier heterostructures; Semiconductors; Vol. 40, iss. 6
de réir: Grinyaev S. N. Sergey Nikolaevich
Foilsithe / Cruthaithe: (2006)

"Двурезонансный" гистерезис туннельного тока в гетероструктурах w-GaN/AlGaN; Нитриды галлия, индия и алюминия: структуры и приборы
de réir: Разжувалов А. Н. Александр Николаевич
Foilsithe / Cruthaithe: (2007)

Технологии получения гетероструктур AlGaInP; Инновации в машиностроении
de réir: Орлова К. Н. Ксения Николаевна
Foilsithe / Cruthaithe: (2012)

“Конденсаторная” модель гистерезиса туннельного тока в структурах w-GaN/AlGaN(0001); Физика твёрдого тела; Т. 51, вып. 1
de réir: Разжувалов А. Н. Александр Николаевич
Foilsithe / Cruthaithe: (2009)

A “capacitor” model of the hysteresis of tunneling current in w-GaN/AlGaN(0001) structures; Physics of the Solid State; Vol. 51, iss. 1
de réir: Razzhuvalov A. N. Alexander Nikolaevich
Foilsithe / Cruthaithe: (2009)

Гистерезис туннельного тока в двухбарьерных структурах w-GaN/AlGaN(0001); Физика и техника полупроводников; Т. 42, вып. 5
de réir: Разжувалов А. Н. Александр Николаевич
Foilsithe / Cruthaithe: (2008)

Роль глубоких уровней в токе туннельных диодов w-AlGaN/GaN; Нитриды галлия, индия и алюминия: структуры и приборы
de réir: Разжувалов А. Н. Александр Николаевич
Foilsithe / Cruthaithe: (2015)

Особенности туннельного тока в двухбарьерных нитридных структурах w-GaN/AlGaN(0001); Нитриды галлия, индия и алюминия - структуры и приборы
de réir: Разжувалов А. Н. Александр Николаевич
Foilsithe / Cruthaithe: (2005)

Самосогласованный расчет туннельного тока в двухбарьерных гетероструктурах w-GaN / AlGaN (0001); Физика и техника полупроводников; Т. 40, вып. 6
de réir: Гриняев С. Н. Сергей Николаевич
Foilsithe / Cruthaithe: (2006)

Влияние дефектов на туннельный ток в структурах w-GaN/AlGaN(0001); Нитриды галлия, индия и алюминия: структуры и приборы
de réir: Разжувалов А. Н. Александр Николаевич
Foilsithe / Cruthaithe: (2008)

Эпитаксиальные слои GaN на кремниевых подложках для AlGaN/GaN гетероструктур с высокой подвижностью электронов: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук; спец. 1.3.11
de réir: Малин Т. В. Тимур Валерьевич
Foilsithe / Cruthaithe: (Новосибирск, 2025)

Влияние электрических полей на пропускание двойной гетероструктуры на основе GaN с квантовой ямой; Известия вузов. Физика; Т. 47, № 11
de réir: Грушко Н. С.
Foilsithe / Cruthaithe: (2004)

The fast neutron irradiation influence on the AlGaAs IR-LEDs reliability; Microelectronics Reliability; Vol. 65
Foilsithe / Cruthaithe: (2016)

Люминесценция и разрушение гетероструктур на основе InGaN/GaN при облучении сильноточным электронным пучком: диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук; спец. 01.04.07
de réir: Сысоева С. Г. Светлана Геннадьевна
Foilsithe / Cruthaithe: (Томск, [Б. и.], 2017)

Люминесценция и разрушение гетероструктур на основе InGaN/GaN при облучении сильноточным электронным пучком: диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук; спец. 01.04.07
de réir: Сысоева С. Г. Светлана Геннадьевна
Foilsithe / Cruthaithe: (Томск, 2017)

Люминесценция и разрушение гетероструктур на основе InGaN/GaN при облучении сильноточным электронным пучком: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук; спец. 01.04.07
de réir: Сысоева С. Г. Светлана Геннадьевна
Foilsithe / Cruthaithe: (Томск, [Б. и.], 2018)

Люминесценция и разрушение гетероструктур на основе InGaN/GaN при облучении сильноточным электронным пучком: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук; спец. 01.04.07
de réir: Сысоева С. Г. Светлана Геннадьевна
Foilsithe / Cruthaithe: (Томск, 2018)

Способы увеличения мощности излучения светодиодов на основе гетероструктур AlGaInP; Приволжский научный вестник; № 10 (14)
de réir: Орлова К. Н. Ксения Николаевна
Foilsithe / Cruthaithe: (2012)

Метод огибающих функций для гетероструктур. Модели сшивания и применения для [AlAs/AlxGa1-xAs(110)]; Известия вузов. Физика; Т. 46, № 6
de réir: Караваев Г. Ф.
Foilsithe / Cruthaithe: (2003)

Особенности перестройки электронного спектра двухъямной гетероструктуры GaAs/AlGaAs с переменной размерностью электронных состояний во внешнем электричесом поле; Журнал экспериментальной и теоретической физики; Т. 125, вып. 5
Foilsithe / Cruthaithe: (2004)

Эпитаксиальные методы получения наноразмерных гетероструктур InGaAlP; Актуальные проблемы биохимии и бионанотехнологии; Т. 2
de réir: Орлова К. Н. Ксения Николаевна
Foilsithe / Cruthaithe: (2012)

Радиационная модель светодиодов на основе гетероструктур AlGaInP; I; Облучение гамма-квантами 60Со; Радиационная физика твердого тела
de réir: Градобоев А. В. Александр Васильевич
Foilsithe / Cruthaithe: (2012)

Диагностика радиационной стойкости светодиодов с наноразмерными квантовыми ямами на основе гетероструктур AlGaInP; Студент и научно-технический прогресс
de réir: Орлова К. Н. Ксения Николаевна
Foilsithe / Cruthaithe: (2012)

Исследование стойкости светодиодов на основе гетероструктур AlGaAs к воздействию нейтронного излучения; Физико-технические проблемы в науке, промышленности и медицине
de réir: Жамалдинов Ф. Ф.
Foilsithe / Cruthaithe: (2022)

Радиационная стойкость гетероструктур AlGaInP (λ = 630 нм) с множественными квантовыми ямами; Известия вузов. Физика; Т. 57, № 2-2
de réir: Орлова К. Н. Ксения Николаевна
Foilsithe / Cruthaithe: (2014)

Светодиоды на основе гетероструктур AlGaAs: действие гамма-излучения и эксплуатационных факторов; IX Школа-конференция молодых атомщиков Сибири
de réir: Симонова А. В.
Foilsithe / Cruthaithe: (2018)

Research on the radiation exposure "memory effects" in AlGaAs heterostructures; IOP Conference Series: Materials Science and Engineering; Vol. 81 : Radiation-Thermal Effects and Processes in Inorganic Materials
de réir: Gradoboev A. V. Aleksandr Vasilyevich
Foilsithe / Cruthaithe: (2015)

Исследование гетероструктур AlGaInP при облучении гамма-квантами в области перестройки дефектной структуры; Известия вузов. Физика; Т. 56, № 11-3
Foilsithe / Cruthaithe: (2013)

Resistance of LEDs Based on AlGaInP Heterostructures to Irradiation by Fast Neutrons; Journal of Chemistry and Chemical Engineering; Vol. 7, № 5
de réir: Gradoboev A. V. Aleksandr Vasilyevich
Foilsithe / Cruthaithe: (2013)

Исследование стабильности наносекундных источников света на основе синих светоизлучающих диодов из соединений CaN и InGaN; Приборы и техника эксперимента; № 4
de réir: Вятчин Е. Э.
Foilsithe / Cruthaithe: (2004)

Тематический апперцептивный тест
de réir: Шпунтова В. В.
Foilsithe / Cruthaithe: (Самара, Самарский университет, 2021)