Формирование многослойной резистивной маски с использованием термического оплавления для создания субмикронного Т-образного затвора транзистора; Современные техника и технологии; Т. 3

Xehetasun bibliografikoak
Parent link:Современные техника и технологии: сборник трудов XVIII международной научно-практической конференции студентов, аспирантов и молодых ученых, Томск, 9-13 апреля 2012 г/ Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ).— , 2012
Т. 3.— 2012.— [С. 347-348]
Egile nagusia: Гребнева Ю. Ю.
Erakunde egilea: Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники (ТУСУР)
Beste egile batzuk: Ишуткин С. В. (научный руководитель), Анищенко Е. В.
Gaia:Заглавие с титульного листа
Hizkuntza:errusiera
Argitaratua: 2012
Saila:Секция 12: Наноматериалы, нанотехнологии и новая энергетика
Gaiak:
Sarrera elektronikoa:http://www.lib.tpu.ru/fulltext/v/Conferences/2012/C2/V3/v3_168.pdf
Formatua: Baliabide elektronikoa Liburu kapitulua
KOHA link:https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=226814
Deskribapena
Deskribapen fisikoa:1 файл (754 Kb)
Gaia:Заглавие с титульного листа