APA (7th ed.) Citation

Гребнева Ю. Ю., Ишуткин С. В., & Анищенко Е. В. (2012). Формирование многослойной резистивной маски с использованием термического оплавления для создания субмикронного Т-образного затвора транзистора; Современные техника и технологии; Т. 3. 2012.

Chicago Style (17th ed.) Citation

Гребнева Ю. Ю., Ишуткин С. В., and Анищенко Е. В. Формирование многослойной резистивной маски с использованием термического оплавления для создания субмикронного Т-образного затвора транзистора; Современные техника и технологии; Т. 3. 2012, 2012.

MLA (9th ed.) Citation

Гребнева Ю. Ю., et al. Формирование многослойной резистивной маски с использованием термического оплавления для создания субмикронного Т-образного затвора транзистора; Современные техника и технологии; Т. 3. 2012, 2012.