Гребнева Ю. Ю., Ишуткин С. В., & Анищенко Е. В. (2012). Формирование многослойной резистивной маски с использованием термического оплавления для создания субмикронного Т-образного затвора транзистора; Современные техника и технологии; Т. 3. 2012.
Trích dẫn kiểu Chicago (xuất bản lần thứ 7)Гребнева Ю. Ю., Ишуткин С. В., và Анищенко Е. В. Формирование многослойной резистивной маски с использованием термического оплавления для создания субмикронного Т-образного затвора транзистора; Современные техника и технологии; Т. 3. 2012, 2012.
Trích dẫn kiểu MLA (xuất bản lần thứ 9)Гребнева Ю. Ю., et al. Формирование многослойной резистивной маски с использованием термического оплавления для создания субмикронного Т-образного затвора транзистора; Современные техника и технологии; Т. 3. 2012, 2012.
Cảnh báo: Các trích dẫn này có thể không phải lúc nào cũng chính xác 100%.