Имульсная люминесценция гетероструктур на основе GaN

Имульсная люминесценция гетероструктур на основе GaN

Sonraí bibleagrafaíochta
Parent link:	Современные техника и технологии: сборник трудов XVIII международной научно-практической конференции студентов, аспирантов и молодых ученых, Томск, 9-13 апреля 2012 г/ Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ).— , 2012 Т. 3.— 2012.— [С. 335-336]
Príomhchruthaitheoir:	Васенев А. С.
Údar corparáideach:	Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ)
Rannpháirtithe:	Степанов С. А. Сергей Александрович (727), Штанько В. Ф. Виктор Федорович
Achoimre:	Заглавие с титульного листа
Teanga:	Rúisis
Foilsithe / Cruthaithe:	2012
Sraith:	Секция 12: Наноматериалы, нанотехнологии и новая энергетика
Ábhair:	электронный ресурс труды учёных ТПУ люминесценция гетероструктуры нитрид галлия
Rochtain ar líne:	http://www.lib.tpu.ru/fulltext/v/Conferences/2012/C2/V3/v3_162.pdf
Formáid:	Leictreonach Caibidil leabhair
KOHA link:	https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=226586

Míreanna comhchosúla

Деградация светодиодных гетероструктур на основе InGaN/GaN при возбуждении сильноточным электронным пучком
de réir: Олешко В. И. Владимир Иванович
Foilsithe / Cruthaithe: (2013)

Времяразрешенная люминесцентная спектроскопия гетероструктур на основе InGaN/GaN-квантовых ям
Foilsithe / Cruthaithe: (2013)

Время-разрешенная фотолюминесценция в квантовых ямах InGaN/GaN
de réir: Олешко В. И. Владимир Иванович
Foilsithe / Cruthaithe: (2013)

Люминесценция тонкопленочных светодиодных структур при возбуждении сильноточным электронным пучком
Foilsithe / Cruthaithe: (2013)

Разработка макета дискретного быстродействующего драйвера управления силовыми GaN транзисторами
de réir: Ерофеев Е. В.
Foilsithe / Cruthaithe: (2017)

Power switching transistors based on gallium nitride epitaxial heterostructures
de réir: Erofeev E. V. Evgeny Viktorovich
Foilsithe / Cruthaithe: (2017)

Влияние плотности дислокаций на суперлюминесценцию эпитаксиальных слоев GaN, выращенных методом металлоорганической газофазной эпитаксии на сапфировых подложках
de réir: Олешко В. И. Владимир Иванович
Foilsithe / Cruthaithe: (2024)

Люминесценция и разрушение гетероструктур на основе InGaN/GaN при облучении сильноточным электронным пучком диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук спец. 01.04.07
de réir: Сысоева С. Г. Светлана Геннадьевна
Foilsithe / Cruthaithe: (Томск, 2017)

Стимулированная люминесценция светодиодных гетероструктур при возбуждении сильноточным электронным пучком
de réir: Козубова М. А.
Foilsithe / Cruthaithe: (2013)

Люминесценция и разрушение гетероструктур на основе InGaN/GaN при облучении сильноточным электронным пучком автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук спец. 01.04.07
de réir: Сысоева С. Г. Светлана Геннадьевна
Foilsithe / Cruthaithe: (Томск, 2018)

Люминесценция и разрушение гетероструктур на основе InGaN/GaN при облучении сильноточным электронным пучком диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук спец. 01.04.07
de réir: Сысоева С. Г. Светлана Геннадьевна
Foilsithe / Cruthaithe: (Томск, [Б. и.], 2017)

Люминесценция и разрушение гетероструктур на основе InGaN/GaN при облучении сильноточным электронным пучком автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук спец. 01.04.07
de réir: Сысоева С. Г. Светлана Геннадьевна
Foilsithe / Cruthaithe: (Томск, [Б. и.], 2018)

Время разрешенная фотолюминесцентная спектроскопия гетероструктур на основе InGaN/GaN-квантовых ям
de réir: Ли Цзысюань
Foilsithe / Cruthaithe: (2017)

Процессы рекомбинации в квантовых точках GaN в матрице AIN автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук Спец. 01.04.10
de réir: Александров И. А. Иван Анатольевич
Foilsithe / Cruthaithe: (Новосибирск, 2015)

Анализ граничных условий для огибающих функций в гетероструктурах GaN/InGaN(0001)
de réir: Караваев Г. Ф. Геннадий Федорович
Foilsithe / Cruthaithe: (2012)

Luminescent diagnostics of led heterostructures based on InGaN/GaN
Foilsithe / Cruthaithe: (2016)

Туннельная излучательная рекомбинация в p-n- гетероструктурах на основе нитрида галлия и других соединнений типа [AIIIBV]
de réir: Кудряшов В. Е.
Foilsithe / Cruthaithe: (2003)

Влияние дислокаций на люминесценцию эпитаксиальных слоев GaN
Foilsithe / Cruthaithe: (2015)

Механизмы разрушения в гетероструктурах InGaN/GaN под действием сильноточного электронного пучка
de réir: Олешко В. И. Владимир Иванович
Foilsithe / Cruthaithe: (2015)

Технологии получения гетероструктур AlGaInP
de réir: Орлова К. Н. Ксения Николаевна
Foilsithe / Cruthaithe: (2012)

Стимулированная люминесценция светодиодных гетероструктур при возбуждении сильноточным электронным пучком
de réir: Цзысюань Ли
Foilsithe / Cruthaithe: (2023)

Влияние термо-и микроволновой обработок на свойства омических контактов K n-n+-n++ -Inp(GaAs, GaN)
Foilsithe / Cruthaithe: (2011)

Способы увеличения мощности излучения светодиодов на основе гетероструктур AlGaInP
de réir: Орлова К. Н. Ксения Николаевна
Foilsithe / Cruthaithe: (2012)

Исследование стойкости светодиодов на основе гетероструктур AlGaAs к воздействию нейтронного излучения
de réir: Жамалдинов Ф. Ф.
Foilsithe / Cruthaithe: (2022)

Радиационная модель светодиодов на основе гетероструктур AlGaInP
de réir: Градобоев А. В. Александр Васильевич
Foilsithe / Cruthaithe: (2012)

Влияние электрических полей на пропускание двойной гетероструктуры на основе GaN с квантовой ямой
de réir: Грушко Н. С.
Foilsithe / Cruthaithe: (2004)

Проблемы высокотемпературного синтеза композита, содержащего нитрид галлия
de réir: Черепанова Д. Н.
Foilsithe / Cruthaithe: (2017)

Проблемы высокотемпературного синтеза композита, содержащего нитрид галлия
de réir: Черепанова Д. Н.
Foilsithe / Cruthaithe: (2018)

Фотокаталитическая активность гетероструктур на основе оксида цинка
de réir: Юхновец О. И.
Foilsithe / Cruthaithe: (2018)

Тест-система диагностики температурных характеристик светоизлучающих наногетероструктур на основе твердых растворов AlGaN И GaInN
de réir: Менькович Е. А.
Foilsithe / Cruthaithe: (2012)

Разработка методологии контроля чистоты сапфировых подложек для изготовления гетеротранзисторов и оптоэлектронных приборов на основе нитрида галлия
de réir: Гурская А. А.
Foilsithe / Cruthaithe: (2004)

Светодиоды на основе гетероструктур AlGaAs: действие гамма-излучения и эксплуатационных факторов
de réir: Симонова А. В.
Foilsithe / Cruthaithe: (2018)

Эпитаксиальные методы получения наноразмерных гетероструктур InGaAlP
de réir: Орлова К. Н. Ксения Николаевна
Foilsithe / Cruthaithe: (2012)

Проблемы высокотемпературного синтеза композита, содержащего нитрид галлия
de réir: Черепанова Д. Н.
Foilsithe / Cruthaithe: (2017)

Физико-химические условия устойчивости гетероструктур плёночных наночипов на основе нитрида галлия автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук спец.02.00.04
de réir: Комаровских Н. В. Нина Валерьевна
Foilsithe / Cruthaithe: (Барнаул, 2013)

Экситонная и доменная люминесценция полупроводников [сборник научных трудов]
Foilsithe / Cruthaithe: (Москва, Наука, 1977)

Люминесценция и нелинейная оптика
Foilsithe / Cruthaithe: (Москва, Наука, 1972)

Исследование и применение широкозонных полупроводников сборник научных трудов
Foilsithe / Cruthaithe: (Ленинград, Изд-во ЛЭТИ, 1982)

Деградация светодиодов на основе гетероструктур InGaN/GaN при облучении гамма-квантами
de réir: Градобоев А. В. Александр Васильевич
Foilsithe / Cruthaithe: (2011)

Радиационная стойкость гетероструктур AlGaInP (λ = 630 нм) с множественными квантовыми ямами
de réir: Орлова К. Н. Ксения Николаевна
Foilsithe / Cruthaithe: (2014)