• English
    • Deutsch
    • Español
    • Français
    • Italiano
    • 日本語
    • Nederlands
    • Português
    • Português (Brasil)
    • 中文(简体)
    • 中文(繁體)
    • Türkçe
    • עברית
    • Gaeilge
    • Cymraeg
    • Ελληνικά
    • Català
    • Euskara
    • Русский
    • Čeština
    • Suomi
    • Svenska
    • polski
    • Dansk
    • slovenščina
    • اللغة العربية
    • বাংলা
    • Galego
    • Tiếng Việt
    • Hrvatski
    • हिंदी
    • Հայերէն
    • Українська
Avançada
  • Silicon Carbide: New Materials...
  • Citar
  • Enviar aquest missatge de text
  • Enviar per correu electrònic aquest
  • Imprimir
  • Exportar registre
    • Exportar a RefWorks
    • Exportar a EndNoteWeb
    • Exportar a EndNote
  • Enllaç permanent
Silicon Carbide: New Materials, Production Methods and Applications

Silicon Carbide: New Materials, Production Methods and Applications

Dades bibliogràfiques
Altres autors: Vanger S. Sofia (редактор)
Idioma:anglès
Publicat: New York, Nova Science Publishers, Inc., 2011
Col·lecció:Materials Science and Technologies
Matèries:
Карбиды > Производство
химическая технология
карбид кремния
производство
новые материалы
свойства
состав
структура
применение
английский язык
Format: Llibre
KOHA link:https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=225397
  • Fons
  • Descripció
  • Ítems similars
  • Visualització del personal

Ítems similars

  • Silicon Carbide. Recent Major Advances
    Publicat: (Pitsburgh, Springer, 2004)
  • Nanosized Borides and Carbides for Electroplating. Metal-Matrix Coatings: Specifications, Performance Evaluation; IOP Conference Series: Materials Science and Engineering; Vol. 125 : Materials Treatment: Current Problems and Solutions
    Publicat: (2016)
  • Разработка рациональной технологии подготовки шихты для производства карбида кремния: диссертация на соискание ученой степени кандидата технических наук
    per: Прохорович В. А.
    Publicat: (Томск, 1964)
  • Plasmodynamic Synthesis of Nanodispersed Silicon Carbide; Advanced Materials Research; Vol. 1040 : High Technology: Research and Applications 2014 (HTRA 2014)
    Publicat: (2014)
  • Silicon Carbide on Silicon (110): Surface Structure and Mechanisms of Epitaxial Growth; Russian Physics Journal; Vol. 56, iss. 12
    Publicat: (2014)