|
|
|
|
| LEADER |
00000nam0a2200000 4500 |
| 001 |
222738 |
| 005 |
20231031200049.0 |
| 010 |
|
|
|a 9785922113946
|
| 035 |
|
|
|a (RuTPU)RU\TPU\book\242953
|
| 090 |
|
|
|a 222738
|
| 100 |
|
|
|a 20120928d2012 k y0rusy50 ca
|
| 101 |
1 |
|
|a rus
|c eng
|
| 102 |
|
|
|a RU
|
| 105 |
|
|
|a a z 001zy
|
| 200 |
1 |
|
|a Основы физики полупроводников. Нанофизика и технические приложения
|e пер. с англ.
|f М. Грундман
|
| 205 |
|
|
|a 2-е изд.
|
| 210 |
|
|
|a Москва
|c Физматлит
|d 2012
|
| 215 |
|
|
|a 772 с.
|c ил.
|
| 320 |
|
|
|a Библиогр.: с. 711-751.
|
| 320 |
|
|
|a Предметный указатель: с. 752-771.
|
| 330 |
|
|
|a В учебнике известного немецкого физика М. Грундмана излагаются как фундаментальные основы физики твердого тела, так и последние достижения в области физики полупроводников и полупроводниковых приборов. Особое внимание уделяется оптоэлектронным и электромеханическим эффектам в сложных полупроводниковых структурах с микро- и наноразмерами функциональных элементов. Подробно рассматриваются приборные и схемотехнические реализации теоретических моделей. Изложены технические аспекты получения полупроводников и изготовления полупроводниковых структур. Во второе издание добавлены самые последние достижения в исследованиях органических и магнитных полупроводников, нанотехнологий, тонкопленочных транзисторов, прозрачных проводящих оксидов, новых типов солнечных батарей. Для научных работников и инженеров, работающих в области электроники и вычислительной техники, и студентов старших курсов соответствующих специальностей.
|
| 606 |
1 |
|
|a Полупроводники
|x Физика
|2 stltpush
|3 (RuTPU)RU\TPU\subj\50607
|
| 610 |
1 |
|
|a нанофизика
|
| 610 |
1 |
|
|a технические приложения
|
| 610 |
1 |
|
|a связи
|
| 610 |
1 |
|
|a кристаллы
|
| 610 |
1 |
|
|a дефекты
|
| 610 |
1 |
|
|a механические свойства
|
| 610 |
1 |
|
|a зонная структура
|
| 610 |
1 |
|
|a электронные состояния
|
| 610 |
1 |
|
|a перенос
|
| 610 |
1 |
|
|a оптические свойства
|
| 610 |
1 |
|
|a рекомбинация
|
| 610 |
1 |
|
|a гетероструктуры
|
| 610 |
1 |
|
|a внешние поля
|
| 610 |
1 |
|
|a наноструктуры
|
| 610 |
1 |
|
|a поляризующиеся полупроводники
|
| 610 |
1 |
|
|a магнитные полупроводники
|
| 610 |
1 |
|
|a органические полупроводники
|
| 610 |
1 |
|
|a графен
|
| 610 |
1 |
|
|a углеродные нанотрубки
|
| 610 |
1 |
|
|a диэлектрические структуры
|
| 610 |
1 |
|
|a диоды
|
| 610 |
1 |
|
|a электричество
|
| 610 |
1 |
|
|a свет
|
| 610 |
1 |
|
|a преобразование
|
| 610 |
1 |
|
|a транзисторы
|
| 675 |
|
|
|a 537.311.322
|v 3
|
| 700 |
|
1 |
|a Грундман
|b М.
|g Мариус
|
| 801 |
|
1 |
|a RU
|b 63413507
|c 20120928
|
| 801 |
|
2 |
|a RU
|b 63413507
|c 20150515
|g RCR
|
| 900 |
|
|
|a Электроника
|
| 942 |
|
|
|c BK
|
| 959 |
|
|
|a 122/20120928
|d 2
|e 1100,00
|f ЧЗТЛ:1
|f АНЛ:1
|
