• English
    • Deutsch
    • Español
    • Français
    • Italiano
    • 日本語
    • Nederlands
    • Português
    • Português (Brasil)
    • 中文(简体)
    • 中文(繁體)
    • Türkçe
    • עברית
    • Gaeilge
    • Cymraeg
    • Ελληνικά
    • Català
    • Euskara
    • Русский
    • Čeština
    • Suomi
    • Svenska
    • polski
    • Dansk
    • slovenščina
    • اللغة العربية
    • বাংলা
    • Galego
    • Tiếng Việt
    • Hrvatski
    • हिंदी
    • Հայերէն
    • Українська
Avançada
  • Позитроника в радиационном мат...
  • Citar
  • Enviar aquest missatge de text
  • Enviar per correu electrònic aquest
  • Imprimir
  • Exportar registre
    • Exportar a RefWorks
    • Exportar a EndNoteWeb
    • Exportar a EndNote
  • Enllaç permanent
Позитроника в радиационном материаловедении ионных структур и полупроводников

Позитроника в радиационном материаловедении ионных структур и полупроводников

Dades bibliogràfiques
Autor principal: Арефьев К. П. Константин Петрович
Altres autors: Воробьев С. А. Сергей Александрович, Прокопьев Е. П. Евгений Петрович
Idioma:rus
Publicat: Москва, Энергоатомиздат, 1983
Matèries:
Полупроводники > Дефекты
материаловедение
позитроны
спектроскопия
методы
ионные кристаллы
полупроводниковые кристаллы
дефекты
поверхности
радиационное материаловедение
труды учёных ТПУ
Format: Llibre
KOHA link:https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=222154
  • Fons
  • Descripció
  • Ítems similars
  • Visualització del personal
Descripció
Descripció física:88 с.

Ítems similars

  • Дефекты и диффузия в эпитаксиальных структурах [монография]
    per: Джафаров Т. Д. Таяр Джумшуд оглы
    Publicat: (Ленинград, Наука, 1978)
  • Теория радиационных дефектов в полупроводниках
    per: Тележкин В. А. Вениамин Александрович
    Publicat: (Киев, Наукова думка, 1988)
  • Механизмы образования и миграции дефектов в полупроводниках
    per: Вавилов В. С. Виктор Сергеевич
    Publicat: (Москва, Наука, 1981)
  • Исследование процессов и механизмов аккумуляции энергии излучения в твердых диэлектриках с дефектной структурой (ионные кристаллы, стекло, полимеры, керамика) и полупроводниковых кристаллах Промежуточный отчет о НИР Тема : г/б ; проблема 1.3.8.3.
    Publicat: (Томск, 1983)
  • Чтения памяти А. Ф. Иоффе сборник научных трудов
    Publicat: (Ленинград, Наука, 1986)