MARC

LEADER 00000nam0a2200000 4500
001 218456
005 20231031194916.0
010 |a 5648000758 
035 |a (RuTPU)RU\TPU\book\238484 
090 |a 218456 
100 |a 20120620d1989 k y0rusy50 ca 
101 0 |a rus 
102 |a UZ 
105 |a y z 001zy 
200 1 |a Подпороговые радиационные эффекты в полупроводниках  |e [монография]  |f М. С. Юнусов [и др.]  |g Академия наук Узбекской ССР (АН УзССР), Институт ядерной физики (ИЯФ) ; отв. ред. М. С. Юнусов , Л. П. Хизниченко 
210 |a Ташкент  |c Фан  |d 1989 
215 |a 224 с. 
320 |a Библиогр.: с. 211-221. 
606 1 |a Полупроводники  |x Физика  |2 stltpush  |3 (RuTPU)RU\TPU\subj\50622 
610 1 |a подпороговые излучения 
610 1 |a дефектообразование 
675 |a 621.315.592:53  |v 3 
701 1 |a Юнусов  |b М. С. 
701 1 |a Абурахманова  |b С. Н. 
701 1 |a Зайковская  |b М. А. 
701 1 |a Маннанова  |b Х. Х. 
701 1 |a Оксенгендлер  |b Б. Л. 
702 1 |a Юнусов  |b М. С.  |4 340 
702 1 |a Хизниченко  |b Л. П.  |4 340 
712 0 2 |a Академия наук Узбекской ССР (АН УзССР)  |b Институт ядерной физики (ИЯФ)  |2 stltpush  |3 (RuTPU)RU\TPU\col\11486 
801 1 |a RU  |b 63413507  |c 20120620 
801 2 |a RU  |b 63413507  |c 20121115  |g RCR 
942 |c BK