Фототравление пленок диоксида кремния в донорно-акцепторных композициях; Известия Томского политехнического университета [Известия ТПУ]; Т. 320, № 3 : Химия
| Parent link: | Известия Томского политехнического университета [Известия ТПУ]/ Томский политехнический университет (ТПУ).— , 2000- Т. 320, № 3 : Химия.— 2012.— [С. 62-66] |
|---|---|
| 1. Verfasser: | |
| Weitere Verfasser: | |
| Zusammenfassung: | Заглавие с титульного листа Электронная версия печатной публикации Представлены экспериментальные результаты по фотоактивированному травлению диэлектрических слоев SiO2, используемых в планарной технологии микроэлектроники. Показано, что композиции, содержащие в своем составе доноры и акцепторы протонов и фтор-содержащие соединения, обеспечивают высокую скорость травления диоксида кремния за счет высвобождения ионов фтора из сольватной оболочки и их активации при УФ облучении. |
| Sprache: | Russisch |
| Veröffentlicht: |
2012
|
| Schriftenreihe: | Химия |
| Schlagworte: | |
| Online-Zugang: | http://earchive.tpu.ru/bitstream/11683/4164/1/bulletin_tpu-2012-320-3-13.pdf |
| Format: | Elektronisch Buchkapitel |
| KOHA link: | https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=216997 |
| Beschreibung: | 1 файл (96 Кб) |
|---|---|
| Zusammenfassung: | Заглавие с титульного листа Электронная версия печатной публикации Представлены экспериментальные результаты по фотоактивированному травлению диэлектрических слоев SiO2, используемых в планарной технологии микроэлектроники. Показано, что композиции, содержащие в своем составе доноры и акцепторы протонов и фтор-содержащие соединения, обеспечивают высокую скорость травления диоксида кремния за счет высвобождения ионов фтора из сольватной оболочки и их активации при УФ облучении. |