|
|
|
|
| LEADER |
00000naa2a2200000 4500 |
| 001 |
215740 |
| 005 |
20260105123639.0 |
| 035 |
|
|
|a (RuTPU)RU\TPU\book\235673
|
| 035 |
|
|
|a RU\TPU\book\235670
|
| 090 |
|
|
|a 215740
|
| 100 |
|
|
|a 20120516d1984 k y0rusy50 ca
|
| 101 |
0 |
|
|a rus
|
| 102 |
|
|
|a RU
|
| 200 |
1 |
|
|a Ассоциация H-центров в процессе отжига X-облученного при 4,2 К кристалла KBr
|f А. Т. Акилбеков
|
| 320 |
|
|
|a Библиогр.: с. 178-179 (21 назв.)
|
| 463 |
|
0 |
|0 (RuTPU)RU\TPU\book\235596
|t Запоминающие среды на основе широкощелевых диэлектриков
|f Академия наук Эстонской ССР (АН ЭССР), Институт физики (ИФ)
|v С. 165-179
|d 1984
|s Труды института физики АН ЭССР
|
| 700 |
|
1 |
|a Акилбеков
|b А. Т.
|
| 801 |
|
1 |
|a RU
|b 63413507
|c 20120515
|
| 801 |
|
2 |
|a RU
|b 63413507
|c 20120516
|g RCR
|
| 942 |
|
|
|c BK
|
