|
|
|
|
| LEADER |
00000nam0a2200000 4500 |
| 001 |
215665 |
| 005 |
20231031193947.0 |
| 035 |
|
|
|a (RuTPU)RU\TPU\book\235596
|
| 090 |
|
|
|a 215665
|
| 100 |
|
|
|a 20120515d1984 km y0rusy50 ca
|
| 101 |
0 |
|
|a rus
|
| 102 |
|
|
|a EE
|
| 105 |
|
|
|a a z 001zy
|
| 200 |
1 |
|
|a Запоминающие среды на основе широкощелевых диэлектриков
|f Академия наук Эстонской ССР (АН ЭССР), Институт физики (ИФ)
|
| 210 |
|
|
|a Тарту
|d 1984
|
| 215 |
|
|
|a 245 с.
|c ил.
|
| 225 |
1 |
|
|a Труды института физики АН ЭССР
|v Вып. 55
|
| 320 |
|
|
|a Библиография в конце статей
|
| 610 |
1 |
|
|a диэлектрики
|
| 610 |
1 |
|
|a запоминающие среды
|
| 610 |
1 |
|
|a ионные кристаллы
|
| 610 |
1 |
|
|a электронно-дырочные механизмы
|
| 610 |
1 |
|
|a запоминающие материалы
|
| 610 |
1 |
|
|a электронные процессы
|
| 610 |
1 |
|
|a ионные процессы
|
| 610 |
1 |
|
|a рентгенолюминесценция
|
| 610 |
1 |
|
|a щелочно-галоидные кристаллы
|
| 675 |
|
|
|a 537.226
|v 3
|
| 712 |
0 |
2 |
|a Академия наук Эстонской ССР (АН ЭССР)
|b Институт физики (ИФ)
|c (Тарту)
|c (1975-1991)
|2 stltpush
|3 (RuTPU)RU\TPU\col\12460
|
| 801 |
|
1 |
|a RU
|b 63413507
|c 20120515
|
| 801 |
|
2 |
|a RU
|b 63413507
|c 20200825
|g RCR
|
| 942 |
|
|
|c BK
|
