|
|
|
|
| LEADER |
00000naa2a2200000 4500 |
| 001 |
215645 |
| 005 |
20260105110304.0 |
| 035 |
|
|
|a (RuTPU)RU\TPU\book\235576
|
| 035 |
|
|
|a RU\TPU\book\235575
|
| 090 |
|
|
|a 215645
|
| 100 |
|
|
|a 20120515d1983 k y0rusy50 ca
|
| 101 |
0 |
|
|a rus
|
| 102 |
|
|
|a RU
|
| 200 |
1 |
|
|a Экситонный и электронно-дырочный механизмы создания F, H- и α, I-пар в кристаллах KBr и KBr-Cl
|f М. М. Тайиров
|
| 320 |
|
|
|a Библиогр.: с. 99-101 (57 назв.)
|
| 463 |
|
0 |
|0 (RuTPU)RU\TPU\book\235571
|t Экситоны в широкощелевых диэлектриках
|f Академия наук Эстонской ССР (АН ЭССР), Институт физики (ИФ)
|v С. 73-101
|d 1983
|s Труды института физики АН ЭССР ; Вып. 54
|
| 700 |
|
1 |
|a Тайиров
|b М. М.
|
| 801 |
|
1 |
|a RU
|b 63413507
|c 20120515
|
| 801 |
|
2 |
|a RU
|b 63413507
|c 20120515
|g RCR
|
| 942 |
|
|
|c BK
|
