Зависимость эмиссионных сумм пиков термостимулированной электронной эмиссии от скорости нагрева в случае большой вероятности повторных захватов электронов проводимости

Opis bibliograficzny
Parent link:	Электронные возбуждения и дефекты ионных кристаллов/ Академия наук Эстонской ССР (АН ЭССР), Институт физики (ИФ). С. 167-178.— , 1979
1. autor:	Бичевин В. В.
Język:	rosyjski
Wydane:	1979
Format:	Rozdział
KOHA link:	https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=215014

MARC


LEADER	00000naa2a2200000 4500
001	215014
005	20231031193737.0
035			\|a (RuTPU)RU\TPU\book\234908
035			\|a RU\TPU\book\234907
090			\|a 215014
100			\|a 20120503d1979 k y0rusy50 ca
101	0		\|a rus
102			\|a RU
200	1		\|a Зависимость эмиссионных сумм пиков термостимулированной электронной эмиссии от скорости нагрева в случае большой вероятности повторных захватов электронов проводимости \|f В. В. Бичевин
320			\|a Библиогр.: с. 177 (4 назв.)
463		0	\|0 (RuTPU)RU\TPU\book\234862 \|t Электронные возбуждения и дефекты ионных кристаллов \|f Академия наук Эстонской ССР (АН ЭССР), Институт физики (ИФ) \|v С. 167-178 \|d 1979 \|p 180 с. \|s Труды института физики АН ЭССР ; Вып. 50
700		1	\|a Бичевин \|b В. В.
801		1	\|a RU \|b 63413507 \|c 20120503
801		2	\|a RU \|b 63413507 \|c 20120503 \|g RCR
942			\|c BK