Радиационная стойкость гетероструктур AlGaAs для светодиодов ИК-диапазона: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук; спец. 01.04.07

Радиационная стойкость гетероструктур AlGaAs для светодиодов ИК-диапазона: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук; спец. 01.04.07

Dettagli Bibliografici
Autore principale:	Рубанов П. В. Павел Владимирович
Ente Autore:	Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ) Юргинский технологический институт (ЮТИ)
Altri autori:	Градобоев А. В. Александр Васильевич (научный руководитель)
Riassunto:	Защита сост. 28.03.2012 г.
Lingua:	russo
Pubblicazione:	Томск, 2012
Soggetti:	Полупроводниковые приборы > Радиационная стойкость светодиоды гетероструктуры облучение быстрые нейтроны комбинированное облучение гамма-кванты светоизлучающие диоды производство радиационные технологии авторефераты диссертаций труды учёных ТПУ
Natura:	Libro
KOHA link:	https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=212683

Documenti analoghi

Радиационная стойкость гетероструктур AlGaAs для светодиодов ИК-диапазона: диссертация на соискание ученой степени кандидата технических наук; спец. 01.04.07
di: Рубанов П. В. Павел Владимирович
Pubblicazione: (Томск, 2012)

Радиационная стойкость гетероструктур AlGaAs для светодиодов ИК-диапазона: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук; спец. 01.04.07
di: Рубанов П. В. Павел Владимирович
Pubblicazione: (Томск, 2012)

Радиационная модель светодиодов на основе гетероструктур AlGaInP; I; Облучение гамма-квантами 60Со; Радиационная физика твердого тела
di: Градобоев А. В. Александр Васильевич
Pubblicazione: (2012)

Радиационная стойкость гетероструктур AlGaInP с множественными квантовыми ямами: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук; спец. 01.04.07
di: Орлова К. Н. Ксения Николаевна
Pubblicazione: (Томск, 2013)

Радиационная стойкость гетероструктур AlGaInP с множественными квантовыми ямами: диссертация на соискание ученой степени кандидата технических наук; спец. 01.04.07
di: Орлова К. Н. Ксения Николаевна
Pubblicazione: (Томск, 2013)

Радиационная стойкость гетероструктур AlGaInP с множественными квантовыми ямами: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук; спец. 01.04.07
di: Орлова К. Н. Ксения Николаевна
Pubblicazione: (Томск, 2013)

The fast neutron irradiation influence on the AlGaAs IR-LEDs reliability; Microelectronics Reliability; Vol. 65
Pubblicazione: (2016)

Influence of preliminary irradiation by gamma-quanta on development of catastrophic failures during operation of IR-LEDs; Journal of Physics: Conference Series; Vol. 830 : Energy Fluxes and Radiation Effects 2016
di: Gradoboev A. V. Aleksandr Vasilyevich
Pubblicazione: (2017)

LEDs based upon AlGaInP heterostructures with multiple quantum wells: comparison of fast neutrons and gammaquanta irradiation; IOP Conference Series: Materials Science and Engineering; Vol. 363 : Cognitive Robotics
di: Gradoboev A. V. Aleksandr Vasilyevich
Pubblicazione: (2018)

Влияния температуры на стойкость светодиодов ИК-диапазона к облучению гамма-квантами 60Со; Вопросы атомной науки и техники. Серия: Физика радиационного воздействия на радиоэлектронную аппаратуру; № 1
di: Градобоев А. В. Александр Васильевич
Pubblicazione: (2016)

Деградация светодиодов на основе гетероструктур InGaN/GaN при облучении гамма-квантами; Известия вузов. Физика; Т. 54, № 1/2 : Радиационно-термические эффекты и процессы в неорганических материалах
di: Градобоев А. В. Александр Васильевич
Pubblicazione: (2011)

Время разрешенная фотолюминесцентная спектроскопия гетероструктур на основе InGaN/GaN-квантовых ям; Высокие технологии в современной науке и технике (ВТСНТ-2017)
di: Ли Цзысюань
Pubblicazione: (2017)

Радиационные методы в твердотельной электронике: [монография]
Pubblicazione: (Москва, Радио и связь, 1990)

Effect of temperature on resistance of LEDs based on AlGaAs heterostructures to {60}Co gamma radiation; Journal of Physics: Conference Series; Vol. 830 : Energy Fluxes and Radiation Effects 2016
di: Gradoboev A. V. Aleksandr Vasilyevich
Pubblicazione: (2017)

Получение гетероструктур Ag[2]S/Ag фотохимическим методом; Химия и химическая технология в XXI веке
di: Итыгина Д. Р.
Pubblicazione: (2020)

Исследование стойкости светодиодов на основе гетероструктур AlGaAs к воздействию нейтронного излучения; Физико-технические проблемы в науке, промышленности и медицине
di: Жамалдинов Ф. Ф.
Pubblicazione: (2022)

Деградация светодиодов на основе гетероструктур AlGaAs при облучении электронами; Известия вузов. Физика; Т. 54, № 1/2 : Радиационно-термические эффекты и процессы в неорганических материалах
di: Градобоев А. В. Александр Васильевич
Pubblicazione: (2011)

Исследование гетероструктур AlGaInP при облучении гамма-квантами в области перестройки дефектной структуры; Известия вузов. Физика; Т. 56, № 11-3
Pubblicazione: (2013)

Механизмы разрушения в гетероструктурах InGaN/GaN под действием сильноточного электронного пучка; Ученые записки физического факультета Московского университета; № 5
di: Олешко В. И. Владимир Иванович
Pubblicazione: (2015)

Фотолюминесценция полупроводниковых гетероструктур ALGAN / INGAN / GANс возбуждением импульсной Хе-лампой; Высокие технологии в современной науке и технике (ВТСНТ-2016)
di: Сычева А. В.
Pubblicazione: (2016)

Deterioration of Watt and Voltage Characteristics of AlGaInP Heterostructures under Irradiation by Fast Neutrons; IOP Conference Series: Materials Science and Engineering; Vol. 110 : Radiation-Thermal Effects and Processes in Inorganic Materials (RTEP2015)
di: Gradoboev A. V. Aleksandr Vasilyevich
Pubblicazione: (2016)

Разрушение светодиодных гетероструктур при облучении сильноточным электронным пучком; Перспективные материалы конструкционного и медицинского назначения
di: Ли Цзысюань
Pubblicazione: (2018)

Влияние ионизирующего излучения на деградационные процессы в светодиодах при эксплуатации: диссертация на соискание ученой степени кандидата технических наук; спец. 01.04.07
di: Симонова А. В. Анастасия Владимировна
Pubblicazione: (Томск, 2019)

Влияние ионизирующего излучения на деградационные процессы в светодиодах при эксплуатации: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук; спец. 01.04.07
di: Симонова А. В. Анастасия Владимировна
Pubblicazione: (Томск, 2019)

Мощные излучающие диоды на основе двойных гетероструктур в AlGaAs: разработка и применение: диссертация на соискание ученой степени доктора технических наук
di: Вилисов А. А. Анатолий Александрович
Pubblicazione: (Томск, 2001)

Stability of the GaAs based Hall sensors irradiated by gamma quanta; IOP Conference Series: Materials Science and Engineering; Vol. 81 : Radiation-Thermal Effects and Processes in Inorganic Materials
di: Gradoboev A. V. Aleksandr Vasilyevich
Pubblicazione: (2015)

Способы увеличения мощности излучения светодиодов на основе гетероструктур AlGaInP; Приволжский научный вестник; № 10 (14)
di: Орлова К. Н. Ксения Николаевна
Pubblicazione: (2012)

Люминесценция и разрушение гетероструктур на основе InGaN/GaN при облучении сильноточным электронным пучком: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук; спец. 01.04.07
di: Сысоева С. Г. Светлана Геннадьевна
Pubblicazione: (Томск, [Б. и.], 2018)

Деградация параметров гетероструктур AlGaInP при облучении быстрыми нейтронами и гамма-квантами; Вопросы атомной науки и техники. Серия: Физика радиационного воздействия на радиоэлектронную аппаратуру; № 2
di: Градобоев А. В. Александр Васильевич
Pubblicazione: (2013)

Люминесценция и разрушение гетероструктур на основе InGaN/GaN при облучении сильноточным электронным пучком: диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук; спец. 01.04.07
di: Сысоева С. Г. Светлана Геннадьевна
Pubblicazione: (Томск, 2017)

Мощные излучающие диоды на основе двойных гетероструктур в AlGaAs: разработка и применение: автореферат диссертации на соискание ученой степени доктора технических наук
di: Вилисов А. А. Анатолий Александрович
Pubblicazione: (Томск, [Б. и.], 2001)

Природа и механизм заряда электронных ловушек в кристалле [Lu2SiO5 : Ce³+]; Журнал экспериментальной и теоретической физики; Т. 126, вып. 2
Pubblicazione: (2004)

The Influence of Power Mode on Ir-Leds Resistance to the Irradiation with Fast Neutrons; Applied Mechanics and Materials; Vol. 770 : Urgent Problems of Up-to-Date Mechanical Engineering
di: Gradoboev A. V. Aleksandr Vasilyevich
Pubblicazione: (2015)

Светодиоды на основе гетероструктур AlGaAs: действие гамма-излучения и эксплуатационных факторов; IX Школа-конференция молодых атомщиков Сибири
di: Симонова А. В.
Pubblicazione: (2018)

Люминесценция и разрушение гетероструктур на основе InGaN/GaN при облучении сильноточным электронным пучком: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук; спец. 01.04.07
di: Сысоева С. Г. Светлана Геннадьевна
Pubblicazione: (Томск, 2018)

Исследование стойкости датчиков магнитной индукции при облучении гамма-квантами; Радиационно-термические эффекты и процессы в неорганических материалах
di: Градобоев А. В. Александр Васильевич
Pubblicazione: (2002)

Effects of P-N Junction Built-In Electric Field on Ir-Led Resistance under Gamma Rays Irradiation; Applied Mechanics and Materials; Vol. 770 : Urgent Problems of Up-to-Date Mechanical Engineering
di: Gradoboev A. V. Aleksandr Vasilyevich
Pubblicazione: (2015)

Электронная микроскопия кристаллов вольфрама и молибдена, облученных γ-квантами; Вестник Московского университета; Т. 29, № 5
Pubblicazione: (1988)

Диагностика радиационной стойкости светодиодов с наноразмерными квантовыми ямами на основе гетероструктур AlGaInP; Студент и научно-технический прогресс
di: Орлова К. Н. Ксения Николаевна
Pubblicazione: (2012)

Change in radiating power of the AlGaInP heterostructures under irradiation by fast neutrons; Microwave & Telecommunication Technology (CriMiCo)
di: Orlova K. N. Kseniya Nikolaevna
Pubblicazione: (2014)