Радиационная стойкость гетероструктур AlGaAs для светодиодов ИК-диапазона: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук; спец. 01.04.07

Радиационная стойкость гетероструктур AlGaAs для светодиодов ИК-диапазона: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук; спец. 01.04.07

Bibliographic Details
Main Author:	Рубанов П. В. Павел Владимирович
Corporate Author:	Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ) Юргинский технологический институт (ЮТИ)
Other Authors:	Градобоев А. В. Александр Васильевич (научный руководитель)
Summary:	Защита сост. 28.03.2012 г.
Language:	Russian
Published:	Томск, 2012
Subjects:	Полупроводниковые приборы > Радиационная стойкость светодиоды гетероструктуры облучение быстрые нейтроны комбинированное облучение гамма-кванты светоизлучающие диоды производство радиационные технологии авторефераты диссертаций труды учёных ТПУ
Format:	Book
KOHA link:	https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=212683

Similar Items

Радиационная стойкость гетероструктур AlGaAs для светодиодов ИК-диапазона: диссертация на соискание ученой степени кандидата технических наук; спец. 01.04.07
by: Рубанов П. В. Павел Владимирович
Published: (Томск, 2012)

Радиационная стойкость гетероструктур AlGaAs для светодиодов ИК-диапазона: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук; спец. 01.04.07
by: Рубанов П. В. Павел Владимирович
Published: (Томск, 2012)

Радиационная модель светодиодов на основе гетероструктур AlGaInP; I; Облучение гамма-квантами 60Со; Радиационная физика твердого тела
by: Градобоев А. В. Александр Васильевич
Published: (2012)

Радиационная стойкость гетероструктур AlGaInP с множественными квантовыми ямами: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук; спец. 01.04.07
by: Орлова К. Н. Ксения Николаевна
Published: (Томск, 2013)

Радиационная стойкость гетероструктур AlGaInP с множественными квантовыми ямами: диссертация на соискание ученой степени кандидата технических наук; спец. 01.04.07
by: Орлова К. Н. Ксения Николаевна
Published: (Томск, 2013)

Радиационная стойкость гетероструктур AlGaInP с множественными квантовыми ямами: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук; спец. 01.04.07
by: Орлова К. Н. Ксения Николаевна
Published: (Томск, 2013)

The fast neutron irradiation influence on the AlGaAs IR-LEDs reliability; Microelectronics Reliability; Vol. 65
Published: (2016)

Influence of preliminary irradiation by gamma-quanta on development of catastrophic failures during operation of IR-LEDs; Journal of Physics: Conference Series; Vol. 830 : Energy Fluxes and Radiation Effects 2016
by: Gradoboev A. V. Aleksandr Vasilyevich
Published: (2017)

LEDs based upon AlGaInP heterostructures with multiple quantum wells: comparison of fast neutrons and gammaquanta irradiation; IOP Conference Series: Materials Science and Engineering; Vol. 363 : Cognitive Robotics
by: Gradoboev A. V. Aleksandr Vasilyevich
Published: (2018)

Влияния температуры на стойкость светодиодов ИК-диапазона к облучению гамма-квантами 60Со; Вопросы атомной науки и техники. Серия: Физика радиационного воздействия на радиоэлектронную аппаратуру; № 1
by: Градобоев А. В. Александр Васильевич
Published: (2016)

Деградация светодиодов на основе гетероструктур InGaN/GaN при облучении гамма-квантами; Известия вузов. Физика; Т. 54, № 1/2 : Радиационно-термические эффекты и процессы в неорганических материалах
by: Градобоев А. В. Александр Васильевич
Published: (2011)

Радиационные методы в твердотельной электронике: [монография]
Published: (Москва, Радио и связь, 1990)

Время разрешенная фотолюминесцентная спектроскопия гетероструктур на основе InGaN/GaN-квантовых ям; Высокие технологии в современной науке и технике (ВТСНТ-2017)
by: Ли Цзысюань
Published: (2017)

Effect of temperature on resistance of LEDs based on AlGaAs heterostructures to {60}Co gamma radiation; Journal of Physics: Conference Series; Vol. 830 : Energy Fluxes and Radiation Effects 2016
by: Gradoboev A. V. Aleksandr Vasilyevich
Published: (2017)

Получение гетероструктур Ag[2]S/Ag фотохимическим методом; Химия и химическая технология в XXI веке
by: Итыгина Д. Р.
Published: (2020)

Деградация светодиодов на основе гетероструктур AlGaAs при облучении электронами; Известия вузов. Физика; Т. 54, № 1/2 : Радиационно-термические эффекты и процессы в неорганических материалах
by: Градобоев А. В. Александр Васильевич
Published: (2011)

Исследование стойкости светодиодов на основе гетероструктур AlGaAs к воздействию нейтронного излучения; Физико-технические проблемы в науке, промышленности и медицине
by: Жамалдинов Ф. Ф.
Published: (2022)

Исследование гетероструктур AlGaInP при облучении гамма-квантами в области перестройки дефектной структуры; Известия вузов. Физика; Т. 56, № 11-3
Published: (2013)

Механизмы разрушения в гетероструктурах InGaN/GaN под действием сильноточного электронного пучка; Ученые записки физического факультета Московского университета; № 5
by: Олешко В. И. Владимир Иванович
Published: (2015)

Deterioration of Watt and Voltage Characteristics of AlGaInP Heterostructures under Irradiation by Fast Neutrons; IOP Conference Series: Materials Science and Engineering; Vol. 110 : Radiation-Thermal Effects and Processes in Inorganic Materials (RTEP2015)
by: Gradoboev A. V. Aleksandr Vasilyevich
Published: (2016)

Разрушение светодиодных гетероструктур при облучении сильноточным электронным пучком; Перспективные материалы конструкционного и медицинского назначения
by: Ли Цзысюань
Published: (2018)

Фотолюминесценция полупроводниковых гетероструктур ALGAN / INGAN / GANс возбуждением импульсной Хе-лампой; Высокие технологии в современной науке и технике (ВТСНТ-2016)
by: Сычева А. В.
Published: (2016)

Влияние ионизирующего излучения на деградационные процессы в светодиодах при эксплуатации: диссертация на соискание ученой степени кандидата технических наук; спец. 01.04.07
by: Симонова А. В. Анастасия Владимировна
Published: (Томск, 2019)

Влияние ионизирующего излучения на деградационные процессы в светодиодах при эксплуатации: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук; спец. 01.04.07
by: Симонова А. В. Анастасия Владимировна
Published: (Томск, 2019)

Stability of the GaAs based Hall sensors irradiated by gamma quanta; IOP Conference Series: Materials Science and Engineering; Vol. 81 : Radiation-Thermal Effects and Processes in Inorganic Materials
by: Gradoboev A. V. Aleksandr Vasilyevich
Published: (2015)

Люминесценция и разрушение гетероструктур на основе InGaN/GaN при облучении сильноточным электронным пучком: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук; спец. 01.04.07
by: Сысоева С. Г. Светлана Геннадьевна
Published: (Томск, [Б. и.], 2018)

Природа и механизм заряда электронных ловушек в кристалле [Lu2SiO5 : Ce³+]; Журнал экспериментальной и теоретической физики; Т. 126, вып. 2
Published: (2004)

Люминесценция и разрушение гетероструктур на основе InGaN/GaN при облучении сильноточным электронным пучком: диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук; спец. 01.04.07
by: Сысоева С. Г. Светлана Геннадьевна
Published: (Томск, 2017)

Деградация параметров гетероструктур AlGaInP при облучении быстрыми нейтронами и гамма-квантами; Вопросы атомной науки и техники. Серия: Физика радиационного воздействия на радиоэлектронную аппаратуру; № 2
by: Градобоев А. В. Александр Васильевич
Published: (2013)

The Influence of Power Mode on Ir-Leds Resistance to the Irradiation with Fast Neutrons; Applied Mechanics and Materials; Vol. 770 : Urgent Problems of Up-to-Date Mechanical Engineering
by: Gradoboev A. V. Aleksandr Vasilyevich
Published: (2015)

Мощные излучающие диоды на основе двойных гетероструктур в AlGaAs: разработка и применение: диссертация на соискание ученой степени доктора технических наук
by: Вилисов А. А. Анатолий Александрович
Published: (Томск, 2001)

Исследование стойкости датчиков магнитной индукции при облучении гамма-квантами; Радиационно-термические эффекты и процессы в неорганических материалах
by: Градобоев А. В. Александр Васильевич
Published: (2002)

Способы увеличения мощности излучения светодиодов на основе гетероструктур AlGaInP; Приволжский научный вестник; № 10 (14)
by: Орлова К. Н. Ксения Николаевна
Published: (2012)

Effects of P-N Junction Built-In Electric Field on Ir-Led Resistance under Gamma Rays Irradiation; Applied Mechanics and Materials; Vol. 770 : Urgent Problems of Up-to-Date Mechanical Engineering
by: Gradoboev A. V. Aleksandr Vasilyevich
Published: (2015)

Люминесценция и разрушение гетероструктур на основе InGaN/GaN при облучении сильноточным электронным пучком: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук; спец. 01.04.07
by: Сысоева С. Г. Светлана Геннадьевна
Published: (Томск, 2018)

Электронная микроскопия кристаллов вольфрама и молибдена, облученных γ-квантами; Вестник Московского университета; Т. 29, № 5
Published: (1988)

Мощные излучающие диоды на основе двойных гетероструктур в AlGaAs: разработка и применение: автореферат диссертации на соискание ученой степени доктора технических наук
by: Вилисов А. А. Анатолий Александрович
Published: (Томск, [Б. и.], 2001)

Светодиоды на основе гетероструктур AlGaAs: действие гамма-излучения и эксплуатационных факторов; IX Школа-конференция молодых атомщиков Сибири
by: Симонова А. В.
Published: (2018)

Change in radiating power of the AlGaInP heterostructures under irradiation by fast neutrons; Microwave & Telecommunication Technology (CriMiCo)
by: Orlova K. N. Kseniya Nikolaevna
Published: (2014)

Destruction of LED heterostructures under high-current electron beam irradiation; IOP Conference Series: Materials Science and Engineering; Vol. 511 : Perspective Materials of Constructional and Medical Purpose
by: Zixuan Li
Published: (2019)