Радиационная стойкость гетероструктур AlGaAs для светодиодов ИК-диапазона: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук; спец. 01.04.07

Dettagli Bibliografici
Autore principale:	Рубанов П. В. Павел Владимирович
Ente Autore:	Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ) Юргинский технологический институт (ЮТИ)
Altri autori:	Градобоев А. В. Александр Васильевич (научный руководитель)
Riassunto:	Защита сост. 28.03.2012 г.
Lingua:	russo
Pubblicazione:	Томск, 2012
Soggetti:	Полупроводниковые приборы > Радиационная стойкость светодиоды гетероструктуры облучение быстрые нейтроны комбинированное облучение гамма-кванты светоизлучающие диоды производство радиационные технологии авторефераты диссертаций труды учёных ТПУ
Natura:	Libro
KOHA link:	https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=212683

Descrizione
Descrizione fisica:	19 с. ил.
Riassunto:	Защита сост. 28.03.2012 г.

Documenti analoghi