Радиационные эффекты в кремниевых интегральных схемах космического применения

Радиационные эффекты в кремниевых интегральных схемах космического применения

Detalhes bibliográficos
Autor principal: Таперо К. И. Константин Иванович
Outros Autores: Улимов В. Н. Виктор Николаевич, Членов А. М. Александр Михайлович
Resumo:В монографии анализируется влияние ионизирующих излучений (ИИ), преимущественно космического пространства, на характеристики изделий микро- и наноэлектроники. Рассмотрены: основы физики взаимодействий ИИ с полупроводниками; изменение электрофизических параметров приборных структур в результате образования наноразмерных дефектов под действием ИИ; дозовые ионизационные эффекты в структуре Si/SiO2 и их влияние на характеристики приборов и микросхем; особенности радиационных испытаний изделий, изготовленных по МОП-, КМОП-, а также по биполярной технологии, на стойкость к воздействию низкоинтенсивного ИИ; одиночные события в изделиях микро- и наноэлектроники при воздействии отдельных заряженных частиц. Для технических специалистов, работающих в области электроники, а также для студентов и аспирантов.
Idioma:russo
Publicado em: Москва, БИНОМ. Лаборатория знаний, 2012
Assuntos:
Интегральные схемы
ионизирующие излучения
полупроводники
взаимодействие
физика
окружающее пространство
радиационные характеристики
электронная техника
материалы
биполярные приборные структуры
электрофизические параметры
радиационное облучение
структурные дефекты
диодные структуры
транзисторные структуры
полупроводниковые приборы
электрические параметры
радиационные изменения
кремниевые структуры
дозовые ионизационные эффекты
МОП-структуры
космическая радиация
влияние
радиационные испытания
деградация
космическое пространство
заряженные частицы
воздействие
Formato: Livro
KOHA link:https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=212194
Descrição
Descrição Física:304 с. ил.
Resumo:В монографии анализируется влияние ионизирующих излучений (ИИ), преимущественно космического пространства, на характеристики изделий микро- и наноэлектроники. Рассмотрены: основы физики взаимодействий ИИ с полупроводниками; изменение электрофизических параметров приборных структур в результате образования наноразмерных дефектов под действием ИИ; дозовые ионизационные эффекты в структуре Si/SiO2 и их влияние на характеристики приборов и микросхем; особенности радиационных испытаний изделий, изготовленных по МОП-, КМОП-, а также по биполярной технологии, на стойкость к воздействию низкоинтенсивного ИИ; одиночные события в изделиях микро- и наноэлектроники при воздействии отдельных заряженных частиц. Для технических специалистов, работающих в области электроники, а также для студентов и аспирантов.
ISBN:9785996306336

Registros relacionados