Малоинерционные кремниевые фотоприемники на основе эпитаксиальных структур

Малоинерционные кремниевые фотоприемники на основе эпитаксиальных структур

Бібліографічні деталі
Parent link:	Импульсная фотометрия: [сборник статей]/ Государственный оптический институт им. С. И. Вавилова ; под ред. А. А. Волькенштейна.— , 1969-1986 Вып. 6.— 1979.— С. 188-190
Інші автори:	Борисова Т. А., Глиберман А. Я., Ковалев И. И., Четверикова Г. А., Молодык А. М., Яковлев И. М.
Мова:	Російська
Опубліковано:	1979
Серія:	Фотоэлектрические приемники импульсного излучения
Формат:	Частина з книги
KOHA link:	https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=209414

Схожі ресурси

Бескорпусные малоинерционные фотодиоды
Опубліковано: (1984)

Одноэлектронные фотоприемники
Опубліковано: (Москва, Атомиздат, 1979)

Одноэлектронные фотоприемники
Опубліковано: (Москва, Энергоатомиздат, 1986)

Силовые кремниевые выпрямители
за авторством: Быков Е. И. Евгений Ильич
Опубліковано: (Москва, Энергия, 1966)

Кремниевые планарные транзисторы
Опубліковано: (Москва, Советское радио, 1973)

Силовые кремниевые вентили
за авторством: Преображенский В. И. Всеволод Иванович
Опубліковано: (Москва, Энергия, 1971)

Кремниевые солнечные батареи
за авторством: Глиберман А. Я. Анатолий Яковлевич
Опубліковано: (Москва, Госэнергоиздат, 1961)

Современные кремниевые фотодиоды
за авторством: Юшин А.
Опубліковано: (2002)

Фотоприемники для импульсной фотометрии
Опубліковано: (1984)

Фотоприемники и фотопреобразователи сборник научных трудов
Опубліковано: (Ленинград, Наука, 1986)

Получение эпитаксиальных структур кремния с контролируемым примесным профилем
за авторством: Харченко В. В. Валерий Владимирович
Опубліковано: (Ташкент, Фан, 1989)

Кремниевые биполярные транзисторы справочное пособие
за авторством: Овсянников Н. И. Николай Игнатьевич
Опубліковано: (Минск, Вышэйшая школа, 1989)

Кремниевые детекторы ионизирующих излучений
Опубліковано: (Москва, Энергоатомиздат, 1983)

Многоэлементные фотоприемники в преобразователях перемещений
за авторством: Пилипович В. А. Владимир Антонович
Опубліковано: (Минск, Навука i тэхнiка, 1991)

Техника оптической связи. Фотоприемники пер. с англ.
Опубліковано: (Москва, Мир, 1988)

Малоинерционные электродвигатели постоянного тока с печатной обмоткой на якоре
за авторством: Казанский В. М. Василий Михайлович
Опубліковано: (Ленинград, Энергия, 1965)

Кремниевые минералы - носители генетической информации
Опубліковано: (2003)

Фотоприемники видимого и ИК диапазонов пер. с англ.
Опубліковано: (Москва, Радио и связь, 1985)

Теория формирования эпитаксиальных наноструктур
за авторством: Дубровский В. Г. Владимир Германович
Опубліковано: (Москва, Физматлит, 2009)

Легирование эпитаксиальных слоев полупроводников
за авторством: Харченко В. В. Валерий Владимирович
Опубліковано: (Ташкент, Фан, 1979)

Малоинерционные электродвигатели постоянного тока с гладким якорем серии ПГ
Опубліковано: (Ленинград, 1969)

Эпитаксиальные кремниевые слои на диэлектрических подложках и приборы на их основе
за авторством: Папков В. С. Владимир Сергеевич
Опубліковано: (Москва, Энергия, 1979)

Технология эпитаксиальных слоев арсенида галлия и приборы на их основе
за авторством: Черняев В. Н. Владимир Николаевич
Опубліковано: (Москва, Энергия, 1974)

Фотоприемники в оптико-электронных приборах и системах учебное пособие
за авторством: Филачёв А. М. Анатолий Михайлович
Опубліковано: (Москва, Физматкнига, 2016)

Переходные области эпитаксиальных полупроводниковых пленок монография
за авторством: Александров Л. Н. Леонид Наумович
Опубліковано: (Новосибирск, Наука, 1978)

Методы получения эпитаксиальных гетерокомпозиций учебное пособие для вузов
за авторством: Ратушный В. И.
Опубліковано: (Москва, НИЯУ МИФИ, 2012)

Полупроводниковые кремниевые диоды и триоды, технология производства
Опубліковано: (Москва, Энергия, 1964)

Полупроводниковые фотоприемники и преобразователи излучения (фотоэлементы, фотодиоды, фототриоды) сборник статей
Опубліковано: (Москва, Мир, 1965)

Оптические и волноводные свойства эпитаксиальных структур GaN/InGaN, выращенных на сапфировой подложке
Опубліковано: (2015)

Дефекты и диффузия в эпитаксиальных структурах [монография]
за авторством: Джафаров Т. Д. Таяр Джумшуд оглы
Опубліковано: (Ленинград, Наука, 1978)

Влияние дислокаций на люминесценцию эпитаксиальных слоев GaN
Опубліковано: (2015)

Мощные кремниевые эпитаксиально-планарные диоды с барьером Шоттки
за авторством: Киселёв В.
Опубліковано: (2002)

Контроль параметров полупроводниковых материалов и эпитаксиальных слоев
за авторством: Батавин В. В. Виталий Васильевич
Опубліковано: (Москва, Советское радио, 1976)

Технология эпитаксиальных слоев и гетерокомпозоций лабораторный практикум для студентов специальности 200102
за авторством: Крапухин В. В.
Опубліковано: (Москва, МИСИС, 1998)

Технология эпитаксиальных слоев и гетерокомпозоций учебно-методическое пособие для студентов специальности 200100
за авторством: Кожитов Л. В.
Опубліковано: (Москва, МИСИС, 2001)

Разработка компьютерной модели силовой части комплекса преобразователь - кремниевые стержни
за авторством: Лидовский Р. К.
Опубліковано: (2010)

Исследование дефекности эпитаксиальных пленок InP, выращенных на GaAs (100)
Опубліковано: (2005)

Влияние двойного легирования на совершенство эпитаксиальных пленок полупроводниковых кристаллов GaAs
Опубліковано: (1981)

Неуправляемые кремниевые вентили ВК2, ВК2В и ВКДЛ каталог 05.03.38-67
Опубліковано: (Москва, Изд-во ИНФОРМСТАНДАРТЭЛЕКТРО, 1967)

Многодиапазонные антенны на основе фрактальных структур монография
за авторством: Савочкин А. А. Александр Анатольевич
Опубліковано: (Москва, Вузовский учебник, 2018)