Влияние некоторых одно- и двухвалентных примесей на радиационное изменение электропроводности щелочно-галоидных кристаллов; Известия Томского политехнического института [Известия ТПИ]; Т. 140

Влияние некоторых одно- и двухвалентных примесей на радиационное изменение электропроводности щелочно-галоидных кристаллов; Известия Томского политехнического института [Известия ТПИ]; Т. 140

Бібліографічні деталі
Parent link:	Известия Томского политехнического института [Известия ТПИ]/ Томский политехнический институт (ТПИ).— , 1944-1976 Т. 140.— 1965.— [С. 109-116]
Автор:	Игнатьева М. И.
Інші автори:	Рощина Л. И.
Резюме:	Заглавие с титульного листа Электронная версия печатной публикации
Мова:	Російська
Опубліковано:	1965
Предмети:	электронный ресурс труды учёных ТПУ
Онлайн доступ:	Черно-белая версия для предварительного просмотра Цветная версия без потери качества
Формат:	MixedMaterials Електронний ресурс Частина з книги
KOHA link:	https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=206708

Схожі ресурси

Влияние дефектов на радиационное изменение оптических свойств щелочно-галоидных монокристаллов; Известия Томского политехнического института [Известия ТПИ]; Т. 140
за авторством: Мелик-Гайказян И. Я. Ирина Яковлевна
Опубліковано: (1965)

Влияние примесей на радиационное изменение внутренней энергии щелочно-галоидных кристаллов: диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук
за авторством: Арьянов А. П.
Опубліковано: (Томск, [Б. и.], 1968)

Влияние двухвалентных примесей на радиационную устойчивость щелочногалоидных кристаллов; Конференция "Изменение свойств материалов под действием излучений"
за авторством: Игнатьева М. И.
Опубліковано: (1961)

Изменение электропроводности кристаллов KCl с добавками двухвалентных примесей после действия рентгеновского излучения; Физика твердого тела; Т. 6, № 4
за авторством: Мелик-Гайказян И. Я.
Опубліковано: (1964)

Растворение облученных щелочно-галоидных кристаллов; Известия Томского политехнического института [Известия ТПИ]; Т. 140
за авторством: Наумов А. Ф.
Опубліковано: (1965)

Расчет поверхностной энергии кристаллов щелочно-галоидных соединений; Известия Томского политехнического института [Известия ТПИ]; Т. 140
за авторством: Медвинский А. А.
Опубліковано: (1965)

Физика электропластичности щелочно-галоидных кристаллов
за авторством: Зуев Л. Б. Лев Борисович
Опубліковано: (Новосибирск, Наука, 1990)

Пробой некоторых щелочно-галоидных кристаллов при высоких температурах; Известия вузов. Физика; № 4
за авторством: Андреев Г. А.
Опубліковано: (1958)

Радиационные повреждения и радиационная устойчивость щелочно-галоидных кристаллов; Известия Томского политехнического института [Известия ТПИ]; Т. 140
за авторством: Воробьев А. А. Александр Акимович
Опубліковано: (1965)

Влияние двухвалентных примесей на радиационную устойчивость щелочногалоидных кристаллов; Физика твердого тела; Т. 5, № 10
за авторством: Игнатьева М. И.
Опубліковано: (1963)

Влияние облучения и двухвалентных примесей на электропроводность щелочногалоидных кристаллов; Действие излучений на свойства материалов
за авторством: Игнатьева М. И.
Опубліковано: (1963)

Радиационное изменение некоторых свойств пластически деформированных щелочно-галоидных кристаллов; Тезисы докладов четырнадцатого совещания по люминесценции. Кристаллофосфоры (г.Рига, 16-23 сентября 1965 г.)
за авторством: Рощина Л. И.
Опубліковано: (1965)

Радиационное изменение электропроводности щелочногалоидных кристаллов с добавками двухвалентных катионов: доклад на XII совещании по люминесценции (январь-февраль 1964 г.; Известия Академии наук СССР. Серия физическая; Т. 29, № 1
за авторством: Завадовская Е. К. Екатерина Константиновна
Опубліковано: (1965)

Электронные возбуждения и радиолюминесценция щелочно-галоидных кристаллов
за авторством: Алукер Э. Д. Эдуард Давыдович
Опубліковано: (Рига, Зинатне, 1979)

Экситоны и зоны щелочно-галоидных кристаллов: [монография]
за авторством: Соболев В. В. Валентин Викторович
Опубліковано: (Кишинев, Штиинца, 1984)

О кинетике взаимной диффузии щелочно-галоидных кристаллов с образованием жидкой фазы; Известия Томского политехнического института [Известия ТПИ]; Т. 140
за авторством: Зленко В. Я.
Опубліковано: (1965)

Изменение электропроводности кристаллов KCl с добавками двухвалентных примесей после действия рентгеновского облучения; Тезисы докладов двенадцатого совещания по люминесценции. Физика люминесцирующих ионных кристаллов (г. Львов, 30 января-5 февраля 1964 г.)
за авторством: Завадовская Е. К.
Опубліковано: (1964)

Взаимодействие щелочно-галоидных кристаллов с ионизирующим излучением: доклад на Львовском 3-м совещании по физике щелочно-галоидных кристаллов
за авторством: Воробьев А. А. Александр Акимович
Опубліковано: (Томск, Изд-во ТПИ, 1964 )

Ослабление узкого пучка тормозного излучения бетатрона в толстых слоях щелочно-галоидных кристаллов; Известия Томского политехнического института [Известия ТПИ]; Т. 140
за авторством: Воробьев В. А.
Опубліковано: (1965)

О диффузии и электропроводности в щелочно-галоидных кристаллах; Известия Томского политехнического института [Известия ТПИ]; Т. 105
за авторством: Савинцев П. А. Петр Алексеевич
Опубліковано: (1960)

Влияние облучения на теплопроводность щелочно-галоидных кристаллов; Конференция "Изменение свойств материалов под действием излучений"
за авторством: Анохина И. Н.
Опубліковано: (1961)

Черновик доклада на Львовском 3-ем совещании по физике щелочно-галоидных кристаллов "Взаимодействие щелочно-галоидных кристаллов с ионизирующими излучениями"
за авторством: Воробьев А. А. Александр Акимович
Опубліковано: (Томск, 1963)

Электрическая прочность и время разряда кристаллов щелочно-галоидных солей в "тонком" слое; Второе совещание по физике щелочно-галоидных кристаллов
за авторством: Кострыгин В. А.
Опубліковано: (1961)

Введение в радиационную физикохимию поверхности щелочно-галоидных кристаллов
Опубліковано: (Рига, Зинатне, 1989)

Энергия, запасаемая в щелочно-галоидных кристаллах при облучении; Известия Томского политехнического института [Известия ТПИ]; Т. 140
за авторством: Завадовская Е. К. Екатерина Константиновна
Опубліковано: (1965)

Температурные изменения модуля Юнга щелочно-галоидных твердых растворов; Известия Томского политехнического института [Известия ТПИ]; Т. 140
за авторством: Ботаки А. А.
Опубліковано: (1965)

Радиационное изменение электропроводности форстеритовой керамики; Известия Томского политехнического института [Известия ТПИ]; Т. 247 : Радиационная физика ионных структур
за авторством: Галанов Ю. И. Юрий Иванович
Опубліковано: (1977)

Ионная проводимость щёлочно-галоидных кристаллов; Электротехника, электромеханика и электротехнологии
за авторством: Асовский П. В.
Опубліковано: (2002)

Механические и тепловые свойства щелочно-галоидных кристаллов; Гл. 3.
за авторством: Воробьев А. А. Александр Акимович
Опубліковано: (Томск, 1966)

Радиационные изменения и устойчивость щелочно-галоидных кристаллов (авторский экземпляр)
за авторством: Воробьев А. А. Александр Акимович
Опубліковано: (Томск, 1961)

Дозиметрия электронного пучка бетатрона в кристаллах щелочно-галоидных солей; Известия Томского политехнического института [Известия ТПИ]; Т. 140
за авторством: Руденко В. Н.
Опубліковано: (1965)

Разрушение F-центров в щелочно-галоидных кристаллах рентгеновскими лучами; Известия Томского политехнического института [Известия ТПИ]; Т. 140
за авторством: Аринштейн М. М.
Опубліковано: (1965)

Влияние облучения на коэффициент линейного расширения щелочно-галоидных кристаллов; Конференция "Изменение свойств материалов под действием излучений"
за авторством: Анохина И. Н.
Опубліковано: (1961)

Механические и тепловые свойства щелочно-галоидных кристаллов; Гл. 4, 5
за авторством: Воробьев А. А. Александр Акимович
Опубліковано: (Томск, 1966)

Механические и тепловые свойства щелочно-галоидных кристаллов; Гл. 3 (1963)
за авторством: Воробьев А. А. Александр Акимович
Опубліковано: (Томск, 1966)

Электронные и дырочные свойства щелочно-галоидных кристаллов: черновик; Гл. 4.
за авторством: Воробьев А. А. Александр Акимович
Опубліковано: (Томск, 1966)

Исследование анизотропии электрической прочности щелочно-галоидных кристаллов; Известия Томского политехнического института [Известия ТПИ]; Т. 139
за авторством: Мурашко Л. Т.
Опубліковано: (1965)

Образование M-центров в щелочно-галоидных кристаллах с двухвалентной примесью; Известия Томского политехнического института [Известия ТПИ]; Т. 140
за авторством: Лисицын В. М. Виктор Михайлович
Опубліковано: (1965)

Экспериментальные исследования по пробою кристаллов щелочногалоидных солей; Совещание по физике щелочно-галоидных кристаллов
Опубліковано: (1959)

Электролюминесценция щелочно-галоидных кристаллов при температуре выше комнатной; Известия вузов. Физика; Т. 47, № 2
Опубліковано: (2004)