О влиянии предварительного облучения нейтронами на коэффициент ослабления β-излучения в щелочно-галоидных кристаллах; Известия Томского политехнического института [Известия ТПИ]; Т. 140

О влиянии предварительного облучения нейтронами на коэффициент ослабления β-излучения в щелочно-галоидных кристаллах; Известия Томского политехнического института [Известия ТПИ]; Т. 140

Библиографические подробности
Источник:	Известия Томского политехнического института [Известия ТПИ]/ Томский политехнический институт (ТПИ).— , 1944-1976 Т. 140.— 1965.— [С. 76-78]
Главный автор:	Чернышев В. А.
Другие авторы:	Попов В. А.
Примечания:	Заглавие с титульного листа Электронная версия печатной публикации
Язык:	русский
Опубликовано:	1965
Предметы:	электронный ресурс труды учёных ТПУ
Online-ссылка:	Черно-белая версия для предварительного просмотра Цветная версия без потери качества
Формат:	Электронный ресурс Статья
Запись в KOHA:	https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=206701

Схожие документы

К вопросу о влиянии пластической деформации на радиационную генерацию вакансий в щелочно-галоидных кристаллах; Известия Томского политехнического института [Известия ТПИ]; Т. 140
по: Мелик-Гайказян И. Я. Ирина Яковлевна
Опубликовано: (1965)

Энергия, запасаемая в щелочно-галоидных кристаллах при облучении; Известия Томского политехнического института [Известия ТПИ]; Т. 140
по: Завадовская Е. К. Екатерина Константиновна
Опубликовано: (1965)

Дозиметрия электронного пучка бетатрона в кристаллах щелочно-галоидных солей; Известия Томского политехнического института [Известия ТПИ]; Т. 140
по: Руденко В. Н.
Опубликовано: (1965)

Разрушение F-центров в щелочно-галоидных кристаллах рентгеновскими лучами; Известия Томского политехнического института [Известия ТПИ]; Т. 140
по: Аринштейн М. М.
Опубликовано: (1965)

Примесные дефекты в щелочно-галоидных кристаллах
по: Кожогулов О. Ч.
Опубликовано: (Фрунзе, Илим, 1984)

Влияние облучения на коэффициент линейного расширения щелочно-галоидных кристаллов; Конференция "Изменение свойств материалов под действием излучений"
по: Анохина И. Н.
Опубликовано: (1961)

Образование M-центров в щелочно-галоидных кристаллах с двухвалентной примесью; Известия Томского политехнического института [Известия ТПИ]; Т. 140
по: Лисицын В. М. Виктор Михайлович
Опубликовано: (1965)

Растворение облученных щелочно-галоидных кристаллов; Известия Томского политехнического института [Известия ТПИ]; Т. 140
по: Наумов А. Ф.
Опубликовано: (1965)

Быстропротекающие радиационно-стимулированные процессы в щелочно-галоидных кристаллах
Опубликовано: (Рига, Зинатне, 1987)

Позитронные состояния в дефектных щелочно-галоидных кристаллах; Известия вузов. Физика; № 12
по: Арефьев К. П. Константин Петрович
Опубликовано: (1975)

Расчет поверхностной энергии кристаллов щелочно-галоидных соединений; Известия Томского политехнического института [Известия ТПИ]; Т. 140
по: Медвинский А. А.
Опубликовано: (1965)

Коэффициенты ослабления β-излучения твердых растворов монокристаллов и прессованных образцов солей, KCl-KBr; Известия Томского политехнического института [Известия ТПИ]; Т. 140
по: Кащук С. Л.
Опубликовано: (1965)

Отжиг щелочно-галоидных кристаллов, облученных нейтронами и рентгеновскими лучами; Действие излучений на свойства материалов
по: Анохина И. Н.
Опубликовано: (1963)

Радиационная генерация катионных вакансий в щелочно-галоидных кристаллах; Известия вузов. Физика; № 3
Опубликовано: (1975)

Центры окраски в щелочно-галоидных кристаллах: [черновой вариант книги]
по: Воробьев А. А. Александр Акимович
Опубликовано: (Томск, 1965-1967)

Формирование и свойства центров люминесценции в щелочно-галоидных кристаллах
по: Кочубей В. И. Вячеслав Иванович
Опубликовано: (Москва, Физматлит, 2006)

Формирование и свойства центров люминесценции в щелочно-галоидных кристаллах
по: Кочубей В.
Опубликовано: (Москва, ФИЗМАТЛИТ, 2006)

Радиационные повреждения и радиационная устойчивость щелочно-галоидных кристаллов; Известия Томского политехнического института [Известия ТПИ]; Т. 140
по: Воробьев А. А. Александр Акимович
Опубликовано: (1965)

Температурные изменения модуля Юнга щелочно-галоидных твердых растворов; Известия Томского политехнического института [Известия ТПИ]; Т. 140
по: Ботаки А. А.
Опубликовано: (1965)

Определение эффективной энергии вторичных электронов в кристаллах щелочно-галоидных солей при облучении тормозным излучением бетатрона; Известия Томского политехнического института [Известия ТПИ]; Т. 140
по: Воробьев В. А.
Опубликовано: (1965)

Коэффициент ослабления В-излучения в щелочногалоидных кристаллах различного химического состава; Действие излучений на свойства материалов
по: Берзин А. К.
Опубликовано: (1963)

Эффект радиационной «памяти» в щелочно-галоидных кристаллах; Известия вузов. Физика; Т. 59, № 9
по: Коровкин М. В. Михаил Владимирович
Опубликовано: (2016)

Исследование скорости распространения разряда в кристаллах щелочно-галоидных солей; Известия вузов. Энергетика; № 7
по: Барченко Т. Н.
Опубликовано: (1959)

Кн. 2, гл. 3; Центры окраски в щелочно-галоидных кристаллах
Опубликовано: (1967)

Кн. 2. Гл. 4; Центры окраски в щелочно-галоидных кристаллах
Опубликовано: (1967)

Кн. 2, гл. 1; Центры окраски в щелочно-галоидных кристаллах
Опубликовано: (1967)

Гл. 5, гл. 6; Центры окраски в щелочно-галоидных кристаллах
Опубликовано: (1965)

Гл. 1, гл. 2; Центры окраски в щелочно-галоидных кристаллах
Опубликовано: (1967)

Гл.1, гл. 2; Центры окраски в щелочно-галоидных кристаллах
Опубликовано: (1967)

Спектроскопия кислородных и водородных примесных центров в щелочно-галоидных кристаллах
по: Егранов А. В. Александр Васильевич
Опубликовано: (Новосибирск, Наука, 1992)

Развитие поверхностного разряда на щелочно-галоидных кристаллах; Известия Томского политехнического института [Известия ТПИ]; Т. 139
по: Прудникова Л. А.
Опубликовано: (1965)

Исследование прохождения и поглощения тормозного излучения в щелочно-галоидных кристаллах; Известия вузов. Физика; № 11
Опубликовано: (1969)

Влияние дефектов на радиационное изменение оптических свойств щелочно-галоидных монокристаллов; Известия Томского политехнического института [Известия ТПИ]; Т. 140
по: Мелик-Гайказян И. Я. Ирина Яковлевна
Опубликовано: (1965)

Диэлектрические потери в легированных щёлочно-галоидных кристаллах; Электротехника, электромеханика и электротехнологии
по: Пономарёв В. В.
Опубликовано: (2002)

Гл. 4 ; параграфы 1-17; Центры окраски в щелочно-галоидных кристаллах
Опубликовано: (1967)

Гл. 4 ; параграфы 18-35; Центры окраски в щелочно-галоидных кристаллах
Опубликовано: (1967)

Электронные и дырочные центры в чистых щелочно-галоидных кристаллах; Гл. 3.
по: Воробьев А. А. Александр Акимович
Опубликовано: (Томск, 1965)

Рекомбинационные процессы в щелочно-галоидных кристаллах, активированных галлием; Исследования по люминесценции
по: Лущик Н. Е.
Опубликовано: (1959)

Электронные и дырочные центры в чистых щелочно-галоидных кристаллах; гл. 6
по: Воробьев А. А. Александр Акимович
Опубликовано: (Томск, 1966)

О диффузии и электропроводности в щелочно-галоидных кристаллах; Известия Томского политехнического института [Известия ТПИ]; Т. 105
по: Савинцев П. А. Петр Алексеевич
Опубликовано: (1960)