Структуры для детекторов ионизирующих излучений на основе эпитаксиального арсенида галлия: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук; спец. 01.04.10

Библиографические подробности
Главный автор:	Пономарев И. В. Иван Викторович
Корпоративные авторы:	Национальный исследовательский Томский государственный университет (ТГУ) Кафедра полупроводниковой электроники, Томский государственный университет (ТГУ) Сибирский физико-технический институт им. В. Д. Кузнецова (СФТИ)
Другие авторы:	Вилисова М. Д. Мария Дмитриевна (научный руководитель), Гермогенов В. П. Валерий Петрович (научный консультант)
Примечания:	Защита сост. 8.12.2011 г.
Язык:	русский
Опубликовано:	Томск, 2011
Предметы:	Детекторы ионизирующих излучений, полупроводниковые арсенид галлия эпитаксиальные слои использование электрические характеристики детекторные характеристики атомы хрома диффузия амплитудные спектры авторефераты диссертаций
Формат:	Книга
Запись в KOHA:	https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=206615

Описание
Объем:	18 с. ил.
Примечания:	Защита сост. 8.12.2011 г.

Схожие документы