|
|
|
|
| LEADER |
00000nam0a2200000 4500 |
| 001 |
202391 |
| 005 |
20231101225105.0 |
| 010 |
|
|
|a 9785948362908
|
| 035 |
|
|
|a (RuTPU)RU\TPU\book\220548
|
| 090 |
|
|
|a 202391
|
| 100 |
|
|
|a 20111011d2011 m y0rusy50 ca
|
| 101 |
0 |
|
|a rus
|
| 102 |
|
|
|a RU
|
| 105 |
|
|
|a a j 000zy
|
| 200 |
1 |
|
|a СВЧ транзисторы на широкозонных полупроводниках
|e учебное пособие
|f А. Г. Васильев, Ю. В. Колковский, Ю. А. Концевой
|
| 210 |
|
|
|a Москва
|c Техносфера
|d 2011
|
| 215 |
|
|
|a 256 с.
|c ил.
|
| 318 |
|
|
|5 63413507
|a Вне серий
|b выставка
|
| 330 |
|
|
|a Книга представляет собой учебное пособие по физическим основам и технологии транзисторов на широкозонных полупроводниках. Рассмотрены свойства двумерного электронного газа и физика гетеропереходов, в основном типа AlGaN/GaN. Дан обзор структур транзисторов на основе широкозонного полупроводника GaN. Рассмотрены структуры транзисторов на алмазе и карбиде кремния. Рассмотрены свойства подложек из сапфира, карбида кремния и других материалов, применяющихся для создания гетероструктур. Детально проанализированы методы изготовления гетеропереходов при использовании эпитаксии из металло-органичес-ких соединений и молекулярно-лучевой эпитаксии. Рассмотрены требования к омическим контактам и барьерам Шоттки, при использовании которых создаются гетероэпитаксиальные полевые транзисторы с высокой подвижностью электронов в канале (НЕМТ). Рассмотрена технология транзисторов на алмазе. Дан детальный обзор методов контроля технологических процессов, применяющихся при изготовлении транзисторов. Рассмотрены методы измерения основных параметров СВЧ транзисторов и методы контроля надежности транзисторов. Книга предназначена для студентов, обучающихся по профилю 210100 "Электроника и наноэлектроника". Книга будет полезна также магистрам, аспирантам, инженерам и научным работникам, специализирующимся в области разработки и применения изделий твердотельной электроники.
|
| 606 |
1 |
|
|a Транзисторы сверхвысокочастотные
|2 stltpush
|3 (RuTPU)RU\TPU\subj\71280
|9 85249
|
| 610 |
1 |
|
|a широкозонные полупроводниковые материалы
|
| 610 |
1 |
|
|a гетероструктуры
|
| 610 |
1 |
|
|a свойства
|
| 610 |
1 |
|
|a гетеропереходы
|
| 610 |
1 |
|
|a зонная диаграмма
|
| 610 |
1 |
|
|a биполярные гетеротранзисторы
|
| 610 |
1 |
|
|a транзисторы на алмазе
|
| 610 |
1 |
|
|a гетероэпитаксиальные структуры
|
| 610 |
1 |
|
|a GAN
|
| 610 |
1 |
|
|a гетероэпитаксия
|
| 610 |
1 |
|
|a метод газофазной эпитаксии
|
| 610 |
1 |
|
|a метод молекулярно-лучевой эпитаксии
|
| 610 |
1 |
|
|a контроль
|
| 610 |
1 |
|
|a оптические методы
|
| 610 |
1 |
|
|a рентгеновские методы
|
| 610 |
1 |
|
|a электронно-микроскопические методы
|
| 610 |
1 |
|
|a электроны
|
| 610 |
1 |
|
|a дифракция
|
| 610 |
1 |
|
|a электрические методы
|
| 610 |
1 |
|
|a параметры
|
| 610 |
1 |
|
|a надежность
|
| 610 |
1 |
|
|a учебные пособия
|
| 675 |
|
|
|a 621.382.3.02(075.8)
|v 3
|
| 700 |
|
1 |
|a Васильев
|b А. Г.
|g Андрей Георгиевич
|
| 701 |
|
1 |
|a Колковский
|b Ю. В.
|g Юрий Владимирович
|
| 701 |
|
1 |
|a Концевой
|b Ю. А.
|g Юлий Абрамович
|
| 801 |
|
1 |
|a RU
|b 63413507
|c 20111011
|
| 801 |
|
2 |
|a RU
|b 63413507
|c 20150610
|g RCR
|
| 900 |
|
|
|a Физические основы электроники
|
| 900 |
|
|
|a Физические основы электронных приборов
|
| 942 |
|
|
|c BK
|
| 951 |
|
|
|b 210100
|
| 959 |
|
|
|a 85/20110928
|d 5
|e 0,00
|f ЧЗТЛ:1
|f АНЛ:1
|f УФ:3
|
