Конструктивно-технологические особенности субмикронных МОП-транзисторов

Конструктивно-технологические особенности субмикронных МОП-транзисторов

Podrobná bibliografie
Hlavní autor: Красников Г. Я. Геннадий Яковлевич
Shrnutí:В книге рассмотрены особенности работы субмикронных МОП-транзисторов, описаны направления развития и ограничения применения методов масштабирования транзисторов, представлены требования к подзатворным диэлектрикам и технологии их формирования, различные конструкции сток-истоковых областей МОПТ и технологические процессы создания мелкозалегающих легированных слоев. Рассмотрены проблемы влияния масштабирования размеров элементов в субмикронную область и особенностей технологических процессов на надежность и долговечность субмикронных МОП-транзисторов. Представлены данные о влиянии технологических процессов изготовления субмикронных СБИС (процессов плазменной обработки, ионного легирования и технологических операций переноса изображения) на деградацию подзатворного диэлектрика, а значит - на уровень выхода, надежность и долговечность годных готовых изделий. Книга предназначена для специалистов в области проектирования и разработки технологии изготовления КМОП СБИС, а также для студентов старших курсов, аспирантов и преподавателей технических вузов.
Jazyk:ruština
Vydáno: Москва, Техносфера, 2011
Vydání:2-е изд., испр.
Edice:Мир электроники
Témata:
субмикронные МОП-транзисторы
масштабирование
принципы
ограничения
подзатворные диэлектрики
формирование
сток-истоковые области
каналы
структура
затворы
надежность
технологические процессы
Médium: Kniha
KOHA link:https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=202390

Podobné jednotky

Podobné jednotky